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美光台湾厂发生意外，对DRAM产业到底有啥影响？
据报道，美光科技桃园厂区氮气纯化厂意外，经调查厂内纯化氮气的关键设备纯化器毁坏，必须停工更换。 美光正寻求台湾备品更换，但应非短期可复工。 由于该产线为供应苹果手机重要移动内存，估计数万片的缺口，正寻求其他厂供应，对正处于缺货的DRAM供应更雪上加霜。
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“动荡不安”的DARM市场：美光污染，价格恐怕要上升
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，台湾美光晶圆科技(原华亚科)上周六惊传氮气系统意外，其Fab2受到污染影响，以目前台湾美光晶圆科技每月投片达125K来计算，保守估计损失约60K，约将影响全球DRAM整体产能5.5%，对供货吃紧的DRAM市场来说无疑雪上加霜，预估价格可能将进一步攀升。
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美光认为DRAM价格将持续高位，这是在说电脑还要涨价？
美光2017年第3季财报营收大幅优于预期，这要因DRAM、NAND Flash价格上涨，美光认为存储器产业需求稳定，价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示，国内相关个股中，华邦电目前DRAM产能约22K，估下半年 DRAM价格维持高档，2018年上半年在供给改善后将趋缓，因此维持族群中立建议。
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供不应求 存储器产品价格依然在上涨
随着应用不断扩大，及系统产品内建容量持续扩增，今年来半导体硅晶圆、磊晶与内存等多项产品市况热络，在供应持续吃紧下，各项产品下半年价格依然看涨。
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提高存储器子系统效率的三种方法
行业专家认为，对于一个典型的大型数据中心而言，其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。对于数据中心服务器，高功率密度的原因之一在于存储器子系统。
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美光计划斥资20亿美在广岛量产新世代DRAM
据日经新闻报导，美光科技计划未来二至三年斥资20亿美元，在位在日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代DRAM。报导指出，美光已在这座厂房内增设
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直接总线式DRAM的信号连接
Direct Rambus DRAM的信号连接关系如图所示。与DDR-SDRAM最大的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以连续不断的方式往复的。 图 Direct Rambus DRAM的信号连接关系
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新兴内存技术抢占市场，抗衡DRAM、NAND Flash还是太嫩？
内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。
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数据中心是存储器价格上涨的导火索？
2017年4~6月的主要电子零组件与材料交易价，以存储器为中心，包括DRAM等挥发性存储器以及NAND Flash与硬盘等非挥发性存储器，呈现持续走扬，除了智能型手机与个人电脑(PC)需求外，4K电视与数据中心需求也带动相关市场。
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挖来台湾DRAM教父,紫光要打破韩国NAND垄断
高启全表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
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传三星决定扩产DRAM
三星电子的韩国华城厂(Hwaseong)，即将扩产的传闻延烧许久。最新消息显示，三星决定投资 3 万亿韩元(约 26.4 亿美元)提升 DRAM 产能。不过由于未来 11 线不再生产 DRAM，产
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后PC时代 移动型DRAM成市场主力
三星挟带存储器产业龙头优势，本季营收可望超越英特尔而荣登半导体产业王座，证明了后PC时代的到来，随着移动产业、物联网及智能汽车产业兴起，让原先并未扩产的存储器产业成为炙手可热的领域，也使得三星更加壮大。
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存储设备涨价优势 三星半导体事业部跃居龙头位置指日可待
三星挟带存储器产业龙头优势，本季营收可望超越英特尔而荣登半导体产业王座，证明了后PC时代的到来，随着移动产业、物联网及智能汽车产业兴起，让原先并未扩产的存储器产业
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论三星芯片业务是怎样成为市场主导力量的
半导体业务正为三星电子创造源源不断的利润，但是该公司在40多年前进军芯片行业时并非一帆风顺。
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一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元
OFweek电子工程网讯 垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。这是一种静
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5G来临 带动内存大需求
力晶集团执行长黄崇仁表示，第五代行动通讯(5G)快速兴起，将启动大量影像传输需求，加上汽车电子及云端服务器快速成长，将开启另一波内存(DRAM和Flash)强劲需求，但供给端都遭遇程技术瓶颈，预料明年DRAM还是会缺货。
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你以为NAND Flash降价了，手机就便宜了？别逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
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朝鲜半岛局势变化恐将影响全球DRAM产业
近日，美国一支从新加坡起航的航母战斗群引发全球关注。据悉，该航母群原先准备前往澳大利亚，后突然掉头向朝鲜半岛驶进，引人遐想。
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如何连接直接总线式DRAM的信号？
Direct Rambus DRAM的信号连接关系如图所示。与DDR-SDRAM最大的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以连续不断的方式往复的。 图 Direct Rambus DRAM的信号连接关系
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3D DRAM帮助延长DRAM存储器的使用寿命
平面DRAM是内存单元数组与内存逻辑电路分占两侧，3D Super-DRAM则是将内存单元数组堆栈在内存逻辑电路的上方，因此裸晶尺寸会变得比较小，每片晶圆的裸晶产出量也会更多;这意味着3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
