5G来临 带动内存大需求

由于物联网尤其是互联网汽车等产业的快速发展，其对网络速度有着更高的要求，这无疑成为推动5G网络发展的重要因素。

力晶集团执行长黄崇仁表示，第五代行动通讯(5G)快速兴起，将启动大量影像传输需求，加上汽车电子及云端服务器快速成长，将开启另一波内存(DRAM和Flash)强劲需求，但供给端都遭遇程技术瓶颈，预料明年DRAM还是会缺货。

市场担心中国大陆大举投入发展内存产业，恐让未来发展蒙阴影，但黄崇仁以多年经验及对市场敏锐度，强调DRAM和Flash前景仍看好，尤其DRAM到明年底都还会缺货。

黄崇仁分析，台湾与南韩两地，过去五年都未见兴建DRAM新厂，虽然中国大陆倾全力发展内存业，但都遭美光、三星和SK海力士等主要大厂反制，发展遇到瓶颈。

此外，DRAM制程进入20nm后，投资成本昂贵，到目前为止，三大厂增产都相当节制，DRAM供给增加速度远低于需求成长速度，预料缺口还是一直存在。

在需求端的应用，过去DRAM几乎全靠个人计算机支撑，如今个人计算机占DRAM总量已不到百分之廿，市场快速分散至智能型手机、服务器、网通和各项消费型电子。

值得注意是，南韩已决定全面布建5G，传输速率比4G快一百倍，因应大量影像传输需求，将成为全球建置标准，推动全球数据中心建置会持续成长，加上汽车电子应用增加，都将推升另一波DRAM和Flash产业成长。

黄崇仁引用未来手机导入内存的新发展，有许多AP厂商希望将内存堆栈一起生产;日本感测芯片大厂，也利用系统级封装(SiP)技术，把传感器、手机芯片和内存封迭起来，导入在智能型手机，未来也会应用在物联网。