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图解IGBT模块特性的测量方法
IGBT模块选型时比较关键的特性有栅极-发射级门槛电压Vce(th)、栅极-发射极漏电流Ices、开通时间ton、开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断耗散功率Poff、关断耗散能量Eoff、关断时间toff、关断延迟时间td(off)、下降
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IGBT工作原理图
IGBT单管工作原理IGBT管是一个非通即断的开关，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT管是靠的是它的
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IGBT模块封装流程原理图
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有
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IGBT驱动电路作用与设计详解
IGBT驱动电路的作用IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作，同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要。IGBT是电路的核心器件，它可在高压下导通，并在大电流下关
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Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动
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IGBT的工作原理
本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方
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PI推出紧凑、高效的SCALE-iDriver IC产品系列 可支持1700 V IGBT
Power Integrations近日推出SCALE-iDriver 系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT，通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于最新的三电平拓扑光伏逆变器，以及采用1500 V新直流母线标准的光伏阵列。扩展后的1700 V SCALE-iDriver产品系列允许OEM厂商在各类解决方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驱动器方案。
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第三代半导体是中国“芯”崛起的希望吗？
继“集成电路产业”带动中国在半导体行业的投资热潮后，三代半导体如今逐步进入人们的视线。今天我(作者)就以一个在三代半导体行业浸淫近15载的江湖中人角度给大家聊一聊，三代半导体产业在中国乃至世界的发展，以及这个行业的特点。
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一颗IGBT如何撬动电动汽车逆变器？
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频
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TDK发布用于新型IGBT模块的直流支撑电容器
TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计，采用多触点结构，具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。其
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解读电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频
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大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出英飞凌(Infineon)最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT，对传统技术的一次突破，重新界定IGBT同级最佳效能。该款器件采用TRENCHSTOP&
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英飞凌RC-E系列单管IGBT可直接升级现有设计，树立性价比新基准
2016年10月17日，德国慕尼黑讯——感应加热电器通常采用谐振拓扑结构，需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出最佳性能。英飞凌科技股份公司(FSE:
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高压无功补偿发生器（SVG）电源解决方案
SVG是目前无功功率控制领域内的最佳方案。相对于传统的调相机、电容器电抗器、以晶闸管控制电抗器TCR为主要代表的传统SVC等方式，SVG有着无可比拟的优势。
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Littelfuse将收购ON Semiconductor部分产品组合 提高在汽车用电子产品市场的份额
Littelfuse, Inc宣布其已达成最终协议，将向ON Semiconductor Corporation收购用于汽车点火应用的瞬态电压抑制(“TVS”)二极管、开关晶闸管和绝缘栅双极晶体管(
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薄膜电容器: 用于新型IGBT模块的直流支撑电容器
TDK 集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计，采用多触点结构，具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。
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IGBT最基础的东西，看完就懂！
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能两方面的优点
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三大方法快速判断IGBT是否已经损坏
随着大功率电源设备的普及率越来越高，IGBT在大功率电源设备中的作用也越来越重要，因此对IGBT知识进行全方面的了解是非常有必要的。随着使用频率的升高，IGBT在使用过程中
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防止电动/混动汽车“发烧”，先测测IGBT的热性能
先来看几个电动/混动汽车(EV/HEV)由于过热问题被召回的真实案例。2016年1月，美国汽车制造商召回五千多万的汽车;2014年9月，福特公司由于电子混合系统过热问题召回7400辆汽车;2014年1月，特斯拉为了防止过热召回290
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Mentor推出 MicReD Power Tester 600A 解决方案，用于解决电动和混合动力车 IGBT 热可靠性问题
Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品，其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。借助 MicReD
之一知足
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淡然浅笑不离ROY
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