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中频电阻焊机电源的IGBT保护
引言 电阻焊是一种重要的焊接工艺，具有生产效率高、成本低、节省材料和易于自动化等特点。IGBT是一种用MOS管来控制晶体管的电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点。本文从实际应用出发，总
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南通富士通日前成为SEMI会员
2012年12月，南通富士通作为拥有全球领先封测技术的代表性企业正式成为SEMI会员。自1997年10月成立至始终站在行业科技发展的前沿，坚持以科技创新为宗旨，成功承担并实施了“高集成度多功能芯片系统级封装技
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南通富士通日前成为SEMI会员
2012年12月，南通富士通作为拥有全球领先封测技术的代表性企业正式成为SEMI会员。自1997年10月成立至始终站在行业科技发展的前沿，坚持以科技创新为宗旨，成功承担并实施了“高集成度多功能芯片系统级封装技术研
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功率器件IGBT在不间断电源（UPS）中的应用
1. 引言 在UPS 中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT 成为
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IGBT安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理
摘要：本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。关键词：安全工作区 失效机理 短路电流Tsc1、
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IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词：栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
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IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
IGBT及其子器件的四种失效模式介绍
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IGBT及其子器件的四种失效模式比较
摘要：本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词：栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融
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中科院微电子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院微电子所超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的年轻研究团队紧张而期待。由他们设计的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海华虹NEC电子有限公司的工艺线上流片完成，要进行超高压测试。之所以紧张，是因为他们没有像
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上海先进半导体：告别被动代工
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。 当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。 由于之前发展的保守与缺乏战略，从2006年上市后到2009年，
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上海先进半导体：告别被动代工
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。由于之前发展的保守与缺乏战略，从2006年上市后到2009年，这
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上海先进半导体：孵化国内芯片设计告别被动代工
上海先进半导体：告别被动代工，孵化国内芯片设计企业先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。由于之
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开关电源发展过程中的十个技术焦点
20世纪60年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。 功
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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic讯 国际整流器公司 (IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飞兆半导体获颁伊顿亚太区最佳供应商奖
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司获颁伊顿亚太区2011年最佳供应商奖。伊顿(Eaton)公司总部位于美国，并在上海设有亚太区总部，该公司是为单相与三相UPS、电信
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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宏微“高压大电流 NPT IGBT 和FRED芯片”达到世界先进水平
具有自主知识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管（NPT IGBT）芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管（FRED）芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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基于DSP控制的数字移相器—变压变频器模块的设计
移相器简介 两个同频信号，特别是工频信号之间的移相，在电力行业的继电保护领域中是一个模拟、分析事故的重要手段。传统的移相方式都是通过三相供电用特殊变压器抽头，以跨相的方法进行移相，可统称为电工式移相。
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