飞兆半导体650V场截止IGBT提高功率转换应用的效率和系统可靠性

时间：2012-03-27 14:03:30

关键字： IGBT 功率转换飞兆半导体高功率

[导读]太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效，满足散热法规，同时减少元件数目的挑战。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品

太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效，满足散热法规，同时减少元件数目的挑战。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品，帮助设计人员应对这一行业挑战。

飞兆半导体公司的场截止IGBT技术能够让设计人员开发出具有更高输入电压的高可靠系统设计，同时提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大电流处理能力、正温度系数、严格的参数分布，以及较宽的安全工作区等特点。

更高的击穿电压改善了寒冷环境温度下的可靠性，随着温度的降低，IGBT和FRD阻断电压亦会下降，因而650V IGBT特别适合较冷气候之下工作的太阳能光伏逆变器。仔细选择IGBT和续流二极管是获得最高效率的必要条件，650V IGBT提供了快速和软恢复特性，能够降低功率耗散，并减小开启和关断损耗。