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英国Plessey宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED
日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。 尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产，但红光LED通常基于AlInGa
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白光LED存在哪一些种类
白光 LED 的开发 对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=46
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什么是硅基InGaN红光LED？
现在大街上随处可见的LED显示屏，还有装饰用的LED彩灯以及LED车灯，处处可见LED灯的身影，LED已经融入到生活中的每一个角落。日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首 个硅基InGaN红光LED。
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硅衬底InGaN基半导体激光器是个啥？
在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，位错密度小于6×108 cm-2，成功实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器，激射波长为413 nm，阈值电流密度为4.7 kA/cm2。
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Vishay新款带硅树脂透镜陶瓷基底高功率UV LED具有超长使用寿命
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出一颗新的VLMU35xx系列陶瓷基底高功率UV LED器件---VLMU3510-365-130，带有硅树脂透镜，波长在365nm范围内。Vishay Semiconductors VLMU3510-365-1
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关于 UV LED 杀菌：你不知道的那些事！
紫外线消毒属于物理消毒方法，紫外线并不能直接杀死微生物，而是通过破坏微生物的繁殖能力进行灭活。微生物受到紫外线的照射时，其遗传物质核酸DNA和RNA大量吸取紫外线的能
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首尔半导体公布其对 InGaN 系 LED 专利的立场
【导读】首尔半导体，InGaN 系 LED 专利的立场 首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用 InGaN 的 LED 在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN 是组成白、蓝、绿色和紫外光 LED 活跃层的
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韩研究薄化LED衬底 有效提升绿光LED光效
韩国与埃及研究人员采用晶圆薄化技术以提升氮化物半导体绿光LED的效率。参与组织包括韩国全南国立大学、埃及贝尼苏韦夫大学以及韩国光子技术研究院。 薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压
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薄化氮化物LED衬底可提升绿光LED光效
21ic讯 韩国与埃及研究人员采用晶圆薄化(thinning)技术以提升氮化物半导体绿光LED的效率。参与组织包括韩国全南国立大学、埃及贝尼苏韦夫大学以及韩国光子技术研究院。薄化的功效是为了减少氮化物半导体
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日本在InGaN中形成量子点，为利用所有波长太阳光开辟道路
日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为450～750nm的太阳光。InGaN以前只能利用波长更短的太阳光，很难利用这一范围。据该研
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“全球半导体照明突出贡献奖”揭晓 中村修二、曹健林等入选
国际半导体联盟(ISA)组织评选的“全球半导体照明突出贡献奖”结果近期揭晓，中村修二教授、尼克·何伦亚克教授、邓青云教授、马格努斯·乔治·克劳福德博士、曹健林博士入选首届获奖人。 在11月11日下午举行的全球半
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刘志强：低维结构—GaN LED的潜在发展趋势
极值发光效率的解决方案在哪里?我们距离发光极限(400lm/W )还有多远? 11月10日下午，CHINASSL2013材料与装备技术分会首位发言人，中科院半导体研究所照明中心副研究员刘志强在介绍《低维结构—GaN LED的潜在发展趋势
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台湾璨圆光电将“出战”扬州LED照明展
21ic讯 2014第三届中国（扬州）LED照明产业技术展览会，将于2014年3月28-30日在扬州国际展览中心举办。本展会由扬州市科技局指导，扬州路灯产业商会、北京励展北方展览有限公司联合举办的，本展会充分提供商
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台湾璨圆光电股份有限公司报名参加2014扬州LED照明展
2014第三届中国（扬州）LED照明产业技术展览会,将于2014年3月28-30日在扬州国际展览中心举办。本展会由扬州市科技局指导，扬州路灯产业商会、北京励展北方展览有限公司联合举办的,本展会充分提供商业机遇以及让参观者
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白光LED的发光原理简介
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光L
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分享：探索白光LED劣化原因
最近几年全球各国对环保、省能源等能源议题越来越关心，因此间接牵动这些领域的投资与技术开发，在这之中又以太阳电池、锂离子电池、SiC功率晶体管、白光LED最受注目，一般认为上述计划在国家规模的支持下，今后可望
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分享：探索白光LED劣化原因
最近几年全球各国对环保、省能源等能源议题越来越关心，因此间接牵动这些领域的投资与技术开发，在这之中又以太阳电池、锂离子电池、SiC功率晶体管、白光LED最受注目，一般认为上述计划在国家规模的支持下，今后可望
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白光LED的发光原理
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光L
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白光LED的发光原理
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光L
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InGaN-on-Si长波LED设备首次被证实
位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备，其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优势。
