“全球半导体照明突出贡献奖”揭晓 中村修二、曹健林等入选

国际半导体联盟(ISA)组织评选的“全球半导体照明突出贡献奖”结果近期揭晓，中村修二教授、尼克·何伦亚克教授、邓青云教授、马格努斯·乔治·克劳福德博士、曹健林博士入选首届获奖人。

在11月11日下午举行的全球半导体照明突出贡献奖颁奖仪式上，上述获奖人接受了此奖项(何伦亚克教授因病请克劳福德博士代为领取)，并即席发表获奖感言。随后就各自研究领域的最新进展、全球发展趋势等做了主旨演讲。

“全球半导体照明突出贡献奖”旨在奖励表彰为全球半导体照明事业做出了卓越贡献，在技术创新、产业发展、标准制定、政策实施等各个领域取得了巨大成就的个人和机构。本奖项是全球半导体照明领域认定贡献与成就的最高荣誉，今年首次评选。

中村修二教授一直引领着氮化物半导体材料生长、工艺技术和器件结构等领域的发展。他在1992年第一次成功生长了高质量的单晶InGaN 薄膜，在1993 年成功研制并实现了首个高亮度蓝光LED 的商业化制造，以及InGaN 量子阱结构蓝光和绿光LED 的商业化制造。评委认为，白光LED 的应用将LED 从显示及信号领域带入通用照明领域，这一突破为LED进入千家万户奠定了基础。

中村修二

何伦亚克教授是公认的可见光发光二极管之父。1962 年，他在通用电气公司发明了可见光红光LED，此技术推动了III-V 半导体合金技术的广泛应用。何伦亚克教授和他的学生埃德? 雷泽克一起发明了首个量子阱半导体激光器，同时也成功实现了第一个在室温下能连续运转的量子阱二极管激光器(与拉斯? 杜普伊斯一起)。评委认为，何伦亚克教授作为红光LED 可见光之父对这一领域的贡献仅仅是个开始，但没有这一发明，就没有半导体照明。

邓青云教授发现了使用有机分子的基本电子P-N 结，在论文中描述了一种在“有机电致发光二极管”新型的异质结构提出了第一个有机LED。邓青云教授的研究成果促成了许多产业公司能够生产出与其他技术相比具有更优规格和更好性能的独特的有机LED 产品。评委认为，照明界非常激动的看到有机LED 的兴起，这将改变传统的思维和照明应用模式，邓教授作为“有机LED 之父”获得此突出贡献奖之殊荣实至名归。

邓青云教授

克劳福德博士实现了世界首个黄光LED，并显著提升红光LED 的光效，这一技术开创性的推动了LED 在诸如仪器仪表和室内信号等新领域的应用。他极大提升了AllnGaP 的性能，并通过LED 外延片键合技术有效去除吸光砷化镓生长衬底。带领Lumileds 团队研制了首个大功率LED 技术。评委认为，克劳福德博士在研发高性能AlInGaP和InGaN 发射器方面发挥了至关重要的作用。

黄光发明人George Craford博士

曹健林博士十余年来一直致力于增进公众对半导体照明优势的了解。他坚信半导体照明是一项很有前景的绿色技术，能够减少二氧化碳排放和有害物质使用。作为中国科技部副部长，他在促进中国半导体照明产业发展和应用方面发挥了卓越的领导作用。他发起和推动了多项政府间半导体照明合作项目，积极推动了半导体照明国际交流与合作。评委认为，曹健林博士对于中国半导体照明的研发、应用推广、公众普及等都发挥了至关重要的作用。

国际半导体照明联盟主席、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲女士、南非科技部能源及氢能司司长Cordellia Sita女士、印度照明工程师协会秘书长 Mr. A.K. Jain先生、中国照明学会理事长徐淮女士、俄罗斯LED及系统制造商协会的秘书长Evgency Dolin先生分别为上述获奖人颁奖。

“全球半导体照明突出贡献奖”，是对全球半导体照明领域内的卓越贡献者的认可和致敬，并藉此激励越来越多的科学家投身于这一伟大事业，用他们的知识和创新推动历史前进，创造出更多激动人心的成果，造福人类，惠益众生。