mos管也称场效应管,首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
怎么判定MOS管的带载能力,如何选择MOS管?1)基本常识点:我们都知道MOS管的带载能力与漏源电流和内阻有关,漏源电流越大,内阻越小,带载能力越强。
MOS管,其英文全称是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管。这种管子属于场效应管的一个分类,即绝缘栅型,因此,它有时也被直接称为绝缘栅场效应管。在电子电路中,MOS管发挥着重要的作用,常被应用于放大电路或开关电路的构建中。
在开关电源等高频应用场景中,MOS管在导通和关断的瞬间,会经历短暂的电压电流交叠过程。这个过程中产生的损耗被称为开关损耗。
在开关电源中,如果MOS管的关断和导通速度不够快,也会产生附加的功率损耗。
米勒效应是指MOS管在开关过程中,栅极和漏极之间的反向传输电容(Cgd)在开关作用下引起的瞬态变化现象。这种现象会导致驱动电压和漏源电流在一段时间内维持不变,形成一个“米勒平台”,从而增加开关损耗,降低效率。
IGBT的工作原理结合了MOSFET和BJT的优点,通过控制MOSFET的栅电压来控制BJT的导通和截止。IGBT适合用于大电流、高电压的开关任务,具有低导通压降和高功率处理能力。
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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是电力电子领域中两种重要的功率开关器件,它们在结构、工作原理、性能特点以及应用场合等方面都存在显著的差异。
MOS管的工作原理基于电场效应,即通过控制栅极电压来改变栅源之间的电场,从而控制源极和漏极之间的电流。当栅极电压超过一定阈值时,会在栅极下方的半导体表面形成一层导电沟道,使源极和漏极之间导通。反之,当栅极电压低于阈值时,沟道消失,源极和漏极之间截止。
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反激电源中MOS管出现两次振铃现象的主要原因是由于功率级寄生电容和电感引起的谐振。
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