MOS

100W VMOS家用不停电电源2

100W VMOS家用不停电电源1

5V、2A的VMOS线性电源电路

AMAT投产面向22nm以后工艺的掩模用蚀刻装置

美国应用材料上市了支持22nm以后工艺的掩模用蚀刻装置“Centura Tetra X”。扩展了现有蚀刻装置“Tetra III”的功能，并将关键层加工尺寸的均一性（CDU）提高到了2nm。 据应用材料介绍，如果使用该装置，可实现二

MOS图像传感器示波器成像电路

前摩托罗拉M2M高管加盟泰利特研发部门

9月23日消息，泰利特无线通信解决方案事业部今日宣布，曾在摩托罗拉(以色列)有限公司负责机器到机器通信(M2M)蜂窝模块和车载电话业务的产品组合经理Yossi Lovton现已加盟泰利特。他将在泰利特全球研发部门担任一项战

摩托罗拉M2M高管加盟泰利特

9月21日消息 泰利特无线通信解决方案事业部今日宣布，曾在摩托罗拉（以色列）有限公司负责机器到机器通信（M2M）蜂窝模块和车载电话业务的产品组合经理Yossi Lovton现已加盟泰利特。他将在泰利特全球研发部门担任一项

诺西计划在俄罗斯开设第四个全球网络运营中心：明年运营

北京时间9月16日早间消息（蒋均牧）诺基亚西门子（下称“诺西”）宣布，计划在莫斯科（Moscow）附近建立一个全球网络运营中心（GNOC）。该中心将成为诺西全球第四个全球网络运营中心，现有的3个中2个在印

用PMOS块制作的电子打击乐器电路图

这里介绍一种用PMOS集成电路构成的电子打击乐器。它可以产生板、鼓、叉等八种打击乐的音响效果。如与时序脉冲电路配合，可以组成电子琴中的自动打击乐伴奏电路。由于采用了集成电路，结标简单，使用元件少，用6伏电源

台积电研发副总裁许夫杰离职

台积电对内发出人事公告，原研究发展副总暨设计技术平台(DTP)副总经理许夫杰离职获准，该部门资深处长侯永鑫接任，直接对研究发展资深副总经理蒋尚义报告，即日起生效。许夫杰是在2006年应台积电前技术长、现任柏克莱

CEVA和MoSys携手提供完整SATA 3.0 解决方案IP

全球领先的硅产品知识产权(SIP)、数字信号处理器(DSP)内核、多媒体和存储平台解决方案授权厂商CEVA公司 ，与业界领先的高密度存储器和高速接口(I/O)知识产权(IP)供应商MoSys公司 合作为芯片厂商提供主机(Host)端和

台积电：微缩化与大口径我们都要领先

目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其竞

台积电研究发展资深副总经理蒋尚义：微缩化与大口径我们都要领先

目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其竞

可爱水滴形状LED变色灯（Mathmos）

英国Mathmos公司推出的笑脸银豆豆LED变色灯，灯罩采用了非常细致的镜面处理工艺，让鼠标造型的这款LED灯具呈现出一种高质量的科技感。按下底座上的按钮后，银豆豆将不会只呈现一种光色，而是会不断地进行两种颜色的渐

可爱水滴形状LED变色灯（Mathmos）

英国Mathmos公司推出的笑脸银豆豆LED变色灯，灯罩采用了非常细致的镜面处理工艺，让鼠标造型的这款LED灯具呈现出一种高质量的科技感。按下底座上的按钮后，银豆豆将不会只呈现一种光色，而是会不断地进行两种颜色的渐

台积电副总经理蒋尚义：微缩化与大口径我们都要领先

目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其

SILVACO-UMC 0.35um CDMOS PDK 通过联华电子验证

IC自动化设计软件供货商Silvaco 宣布，0.35um CDMOS 高压制程设计套件 (Process Design Kit, PDK) 已通过世界晶圆专工技术领导者联华电子 (UMC) 验证，可支持 3.3V 5V 12V 18V 30V 40V等多种工作电压的制程，能完成模

Silvaco 0.35um CDMOS PDK通过联电验证

IC自动化设计软件供货商 Silvaco 宣布，该公司 0.35um CDMOS 高压制程设计套件(Process Design Kit；PDK)已通过联华电子(UMC)验证，可支持 3.3V、 5V、 12V 、18V、 30V与 40V等多种工作电压的制程，能完成模拟/混

采用大规模MOS集成电路S178的视频脉冲发生器

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全球半导体产能全面剖析

所有数据的时间段在2007Q1至2010Q1，包括产能、实际产出及产能利用率，代工的产能单列。产能是按线宽尺寸及小于8英寸；200mm(8英寸)及300mm(12英寸)硅片计。最小为60纳米以下，最大为0.7微米以上，中间分若干挡次。国