MOSFET
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英飞凌推出全新紧凑型CoolSET™封装系统（SiP），可在宽输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出
【2025年5月28日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSET™封装系统（SiP）。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85 - 305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。系统中的高压 MOSFET采用小型SMD封装，拥有低RDS(ON)且无需外部散热器，从而缩小了系统尺寸并降低了复杂性。CoolSET™ SiP支持零电压开关（ZVS）反激式操作，在实现低开关损耗和低EMI特性的同时，提高系统可靠性和稳健性。这使其成为大型家用电器和AI服务器等应用的理想解决方案。此外，这款控制器使开发者更容易满足严格的能源标准，帮助他们设计开发出与时俱进的最新功率解决方案。
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利用理想二极管，实现稳健的电源
稳健的系统通常允许使用多个电源。使用多个不同电源为器件供电时，需要部署若干开关以将电源相互分隔开，以防损坏。对此，固然可在电源路径中使用多个二极管来实现，但更灵活、更高效的方法是使用理想二极管。本文将介绍此类理想二极管的优势。文中将展示两个版本的理想二极管：一个是无需根据电压电平选择输入电源轨的理想二极管；另一个版本则更加简单，始终由更高的电压为系统供电。
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英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
【2025年5月16日, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采用紧凑型5x6 mm² 双面散热（DSC）封装的OptiMOS™ 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的 IBC级。应用测试表明，其效率较之前使用的解决方案提高约 0.4%，相当于每kW负载节省约4.3 W。如果能扩展到系统层面，如服务器机架或整个数据中心，则将带来显著的节能效果。
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英飞凌与科士达深入合作，全栈方案树立UPS高效可靠新标杆
【2025年4月10日, 中国上海讯】在全球数据中心加速向高效化、集约化转型的背景下，高频中大功率UPS（不间断电源）市场需求持续攀升，对能效、功率密度及可靠性的要求亦日益严苛。 近日，英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC™二极管、650V CoolSiC™ MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案，助力科士达100kVA在线式UPS系统实现关键突破，满足数据中心对高可靠、高能效电源的严苛需求。
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英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
【2025年3月27日, 德国慕尼黑讯】Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的 MOSFET 内阻（RDS(on)），进而减少了导通损耗，提高了整体设备效率和电流密度，而且还节省了与MOSFET相关的成本。
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纳祥科技NX7011，应用于电机的双N沟道MOSFET，替代AP20G02BDF
纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。 在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
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纳祥科技30V 20A双N沟道MOSFET NX7010，高性能PIN TO PIN AP20H03DF
纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时，两个MOS管都处于导通状态，电流从N1的源极流向N2的漏极，再从N2的源极回到N1的漏极；当栅极电压小于截止电压时，两个MOS管都处于截止状态，电路中的电流几乎为零。 在性能上，NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF
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Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封装融合卓越散热性能、紧凑尺寸与便捷封装特性，适用于高功率应用场景
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MOSFET和IGBT电源开关驱动的基本概念和作用
它们的原理基于PN结及其组合、变形，同时还有结构更为简单的二极管、BJT、JFET等元件。本节将重点介绍电机控制器中常用的场效应晶体管——Mosfet。
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英飞凌推出专为AI服务器优化的新型48 V热插拔控制器，扩展其XDP™数字保护产品系列
【2025年3月14日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY)扩展旗下XDP™ 数字保护产品系列，推出 XDP711-001。这是一款拥有 48 V 宽输入电压范围的数字热插拔控制器，具备可编程安全操作区域(SOA)控制且专为高功率 AI 服务器设计。该控制器拥有出色的输入及输出电压监控与报告功能，精度达 ≤0.4%，还有系统输入电流监控与报告功能，在全 ADC 范围内精度达≤0.75% ，可提升系统的故障检测和报告准确性。
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浮地非隔离半桥栅极驱动器
半桥拓扑结构广泛用于各种商业和工业应用的电源转换器件中。这种开关模式配置的核心是栅极驱动器IC，其主要功能是使用脉宽调制信号向高端和低端MOSFET功率开关提供干净的电平转换信号。
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MOSFET开关管损失了解吗？限制MOSFET开关速度的因素有哪些
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。
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如何计算MOSFET驱动电流？哪些因素影响MOSFET开关损耗
在下述的内容中，小编将会对MOSFET的相关消息予以报道，如果MOSFET是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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MOSFET和JFET在性能特点上有什么区别？MOSFET和晶体管有什么区别
以下内容中，小编将对MOSFET的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET的了解，和小编一起来看看吧。
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分阶段解读MOSFET工作原理！功率MOSFET等效电路分享
本文中，小编将对MOSFET予以介绍，如果你想对MOSFET的详细情况有所认识，或者想要增进对MOSFET的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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并联MOSFET有何优势？MOSFET开关损耗是怎么回事
MOSFET将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOSFET的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
【2025年2月20日, 德国慕尼黑讯】电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。
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DC-DC转换器如何调整电流限制阈值
最近的进展已经通过在低侧MOSFET(同步整流器)上取代压降来消除电流检测电阻。这种拓扑节省了感测电阻的成本和空间，并且还提供了效率的适度提高。
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设计同步整流电源：MOSFET选择与驱动电路设计
在电力电子领域，同步整流技术以其高效率、低损耗的特点，成为现代电源转换系统的重要组成部分。特别是在直流-直流（DC-DC）转换器中，同步整流技术通过使用两个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来控制电流的方向，从而实现了电能的有效传输。本文将深入探讨在设计同步整流电源时，如何选择合适的MOSFET以及设计其驱动电路，以确保电源的高效率和稳定性。
