MOSFET
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IGBT的基本结构与工作原理
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了MOSFET的电压驱动特性与双极型晶体管的低导通压降优势，在变频调速、新能源发电、轨道交通等领域得到广泛应用。其开关过程的动态特性直接决定了系统的效率、可靠性与电磁兼容性，深入理解这一过程是优化电路设计的关键。
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一文搞懂三极管和MOSFET选型规范
在电子电路设计中，三极管和MOSFET是最常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、稳压等电路。三极管是电流控制型器件，MOSFET是电压控制型器件，两者在特性和应用场景上存在较大差异。如何根据电路需求选择合适的三极管或MOSFET，直接影响电路的性能、效率和可靠性。
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最好的解析！开关电源MOS的8大损耗
开关电源的效率直接关系到能源利用率、散热设计和产品可靠性，而MOS管作为开关电源的核心器件，其损耗占电源总损耗的40%-60%。深入理解MOS管的损耗机理，并针对性地进行优化，是提高开关电源效率的关键。MOS管的损耗主要由导通损耗、开关损耗、驱动损耗等八大类构成，每类损耗都有其独特的产生机理和优化方向。
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东芝开始提供面向大电流车载直流有刷电机桥式电路的栅极驱动IC
中国上海，2026年1月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，开始提供适用于大电流车载直流有刷电机桥式电路的栅极驱动IC[1]——“TB9104FTG”。该器件适用于电动尾门、电动滑门和电动座椅等车身系统应用。
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汇总MOSFET技术疑难
在电力电子领域，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)以其高速开关特性、低驱动功耗和易于集成的优势，成为现代电子设备的核心元件。从智能手机的电源管理到电动汽车的逆变器，从数据中心服务器到航空航天控制系统，MOSFET的身影无处不在。然而，随着应用场景的不断扩展，其技术瓶颈逐渐显现：高频化带来的开关损耗激增、耐压能力与导通电阻的矛盾、高温环境下的可靠性问题等，已成为制约行业发展的关键因素。
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英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻(RDS(on))值60 mΩ。
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专为12 V电池防反接设计的保护器件TPSMB非对称瞬态抑制二极管
创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用
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一文深入详解IGBT开关过程
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心器件，凭借其高输入阻抗、低导通损耗和快速开关能力，广泛应用于新能源汽车、工业变频、可再生能源等领域。其开关过程直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。
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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
中国上海，2025年12月18日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。
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了解齐纳二极管和建立自己的测试仪
二极管在正向工作时具有小的电压降(约0.2V至0.7V)。当反向布线时，它们有很大的电压降。流行的1N4001二极管的反向电压为50V或更高，而1N4007二极管的反向电压为1000V或更高。这意味着当它们的反向击穿电压超过时，它们将开始传导电流。
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安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作，共同推进新一代电源技术发展
此次合作将带来更智能的汽车电源解决方案，兼具卓越能效与优化性能
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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性
薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性
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在电子系统中，MOSFET的应用解析
在电子系统中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件，其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。
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大联大诠鼎集团推出基于PI产品的62W三输出定电压反激式电源解决方案
2025年11月13日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux™-2系列IMX2379F芯片的62W三输出定电压反激式电源解决方案。
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
中国上海，2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48VAI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。
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英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。
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大联大友尚集团推出基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案
2025年10月23日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC单栅极驱动器以及使用ST Gen3的1200V碳化硅MOSFET所设计的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案。
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英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7 功率MOSFET
【2025年10月22日, 德国慕尼黑讯】各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS™ 7系列为各类工业与消费应用场景提供了理想的解决方案，其产品涵盖高性能开关、电机驱动、RDS(ON)优化等特定应用领域。
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如何利用Arduino控制直流电机MOSFET速度
在本教程中，我们将学习如何使用MOSFET模块控制直流电机速度。
