MOSFET
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英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。
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大联大友尚集团推出基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案
2025年10月23日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC单栅极驱动器以及使用ST Gen3的1200V碳化硅MOSFET所设计的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案。
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英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7 功率MOSFET
【2025年10月22日, 德国慕尼黑讯】各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS™ 7系列为各类工业与消费应用场景提供了理想的解决方案，其产品涵盖高性能开关、电机驱动、RDS(ON)优化等特定应用领域。
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如何利用Arduino控制直流电机MOSFET速度
在本教程中，我们将学习如何使用MOSFET模块控制直流电机速度。
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体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
中国上海，2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。
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东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率
中国上海，2025年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。
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开关电源MOSFET驱动电路的RCD缓冲设计详解
在开关电源设计中，MOSFET作为核心开关器件，其开关过程产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题直接影响系统可靠性。RCD（电阻-电容-二极管）缓冲电路通过钳位电压尖峰、抑制振荡，成为保护MOSFET的关键技术。本文从工作原理、参数设计、优化策略三方面解析RCD缓冲电路的核心设计要点。
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英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC™ 650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景
【2025年9月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，该产品组合可同时支持顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种散热方案，为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源(SMPS)，可广泛应用于多个领域，包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。
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搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产
中国上海，2025年9月10日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。
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东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-
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MOSFET开关速度对系统性能的影响
在电子系统中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件，其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。
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英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电机、光伏逆变器、不间断电源、电机驱动和固态断路器等。
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开启电子热管理技术圈的正向设计之门|鲁欧智造第三届用户大会成功举办
7月18日，由鲁欧智造(山东)数字科技有限公司主办、中关村集成电路设计园、北航确信可靠性联合实验室协办的第三届用户大会在北京朗丽兹西山花园酒店成功举办。本次大会以“开启电子热管理技术圈的正向设计之门”为主题，吸引了来自全国各地的300余名行业专家、企业代表及技术精英齐聚北京。
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配置四开关降压-升压型µModule稳压器来适应不同应用：升压、降压或反相输出
许多电源转换应用都需要支持宽输入或输出电压范围。ADI公司的一款大电流、高效率、全集成式四开关降压-升压型电源模块可以满足此类应用的需求。该款器件将控制器、MOSFET、功率电感和电容集成到先进的3D集成封装中，实现了紧凑的设计和稳健的性能。这款µModule®稳压器支持非常宽的输入和输出电压范围，拥有高功率密度、优越的效率和出色的热性能。本文重点介绍了该款器件的多功能性，展示了它在各种拓扑中的应用，包括降压拓扑、升压拓扑和适用于负输出应用的反相降压-升压配置。
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MOSFET失效模式分析：从雪崩击穿到热失控的预防措施
在电力电子系统中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心开关器件，其可靠性直接影响系统寿命。据统计，功率器件失效案例中，MOSFET占比超过40%，主要失效模式包括雪崩击穿、热失控、栅极氧化层击穿等。本文从物理机制出发，系统分析MOSFET的典型失效模式，并提出针对性的预防策略，为高可靠性设计提供理论支撑。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，体二极管反向恢复与开关振铃的协同抑制
在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性，成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速开关过程中产生的直流电磁干扰(EMI)、体二极管反向恢复电流及开关振铃现象，正成为制约系统可靠性的关键瓶颈。本文从器件物理机制出发，结合工程实践，系统分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出体二极管反向恢复与开关振铃的协同抑制策略。
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iDEAL的SuperQ技术正式量产，推出150V与200V MOSFET，展示业界领先的性能指标
美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。
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Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来
协议旨在整合利用Microchip mSiC™技术与台达智能节能解决方案，加速可持续应用开发
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英飞凌荣获DENSO商业合作伙伴奖
【2025年7月17日, 德国慕尼黑讯】全球领先的交通出行解决方案供应商DENSO在其年度北美商业合作伙伴大会(NABPC)上，为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)授予了2025年北美商业合作伙伴“价值领导者”奖。共有来自北美各地的约150名供应商代表参加了此次大会，DENSO在会上表彰了15家杰出的商业合作伙伴。
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英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用
【2025年7月1日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值为4至60 mΩ，广泛适用于车载充电器（OBC）、 DC-DC转换器、电动汽车（xEV）辅助设备等应用，以及电动汽车充电、光伏逆变器、储能系统、通讯和开关电源（SMPS）等工业应用。
