MOSFET
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半导体SiC器件：双极退化与短路失效要分治
SiC MOSFET在静态导通时表现正常，并不代表反复续流和短路冲击后仍稳定。半导体功率设计必须区分少数载流子注入推动的堆垛层错扩展，与微秒级短路中的电流丝化，两者的触发条件和筛选方法不同。
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东芝TB67Z833SFTG低待机电流1 μA如何进入续航设计：从器件规格到系统验证
东芝TB67Z833SFTG三相栅极驱动IC将最大待机供电电流控制在1 μA量级，为电池驱动设备的续航优化提供了芯片级基础。但"1 μA待机电流"首先是器件规格，不是整机续航的直接结论。要正确评估它的价值，需要明确测量引脚、待机状态、温度和外部回路，并把驱动IC与MOSFET、采样网络、通信模块的静态消耗分开核算。
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Si MOSFET和SiC MOSFET的导通电阻
在电力电子系统的器件选型环节，导通电阻是决定功率器件导通损耗、整机效率乃至散热设计成本的核心参数。从传统硅基MOSFET到新一代碳化硅MOSFET，导通电阻的物理特性发生了本质性的变化，很多工程师在从硅器件转向SiC器件设计时，依然沿用过去积累的硅MOSFET使用经验，忽略了两者导通电阻的特性差异，最终要么无法充分发挥SiC器件的效率优势，要么在高温工况下出现超出预期的损耗飙升问题。
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制作一个简单的12V ZVS高频感应加热器
感应加热是一种清洁、高效且快速的非接触式导电金属加热方法。在本项目中，我们构建了一种紧凑型低电压感应加热电路，采用零电压开关(ZVS)驱动电路供电(通常基于Mazzilli逆变器架构)。
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功率密度升至2.4kW/L：拆解11kW矩阵式OBC的实现路径
随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11kW矩阵式OBC创新方案。第一篇讲解了系统级架构创新的趋势。本文将聚焦安森美(onsemi)11kW矩阵式OBC核心技术详解与器件应用解析。
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工业电源MOSFET选型：Rds(on)、Qg、Vds与SOA的权衡决策
工业电源中功率MOSFET的选型，本质上是在Rds(on)、Qg、Vds、SOA四个相互制约的参数之间寻找最优解。低Rds(on)意味着更大的芯片面积和更高的栅极电荷Qg，高Vds耐压必然带来更大的寄生电容和开关损耗，而SOA则要求器件在极端瞬态工况下仍能安全存活。任何试图"全面最优"的选型思路都是徒劳的——工程决策的本质是抓住主要矛盾，在具体拓扑和工况下做出有依据的取舍。
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基于PWM控制器利用超市罐子制作的旋风除尘器
你可以买到便宜的NE555 PWM模块，它能驱动电机、调暗灯泡，但无法实现软启动、软停止、电压补偿、保护或滞环功能。
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如何改造汽车标志投影仪
市面上有一些非常酷且价格低廉的汽车后装车标投影仪，安装在车门上。它们能呈现出出色的图像效果，但其激活机制却可能令人头疼，因为这些设备依赖于贴在门框上的微型磁铁，用于触发装置内部的霍尔效应传感器。
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ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET
近年来，随着汽车电子化的发展，要求车载系统能够满足高电压和高电流的需求。尤其是在安全功能和保护电路中，异常或紧急状态下会产生瞬时高功率负载，因此用来驱动的MOSFET需要具备更宽的SOA范围。迄今为止，ROHM面向AI服务器和工业设备电源，已经推出了以Wide-SOA为特色的产品系列，并已被全球云平台企业选为推荐器件，积累了丰富的实际应用业绩。此次，基于这些技术优势和经验积累，ROHM又开发出了适用于车载领域的新产品。
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大联大世平携手onsemi解密3kW SiC图腾柱PFC高密度电源设计挑战
2026年7月16日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下世平集团宣布，携手安森美(onsemi)举办“3kW高功率密度图腾柱PFC + 次级稳压LLC电源架构”研讨会，系统讲解如何通过SiC MOSFET、高频LLC、同步整流及高端控制器，打造兼顾高效、高功率密度与低EMI的新一代AC/DC电源系统。
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顶面散热新封装!ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
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东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
中国上海，2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
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碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》《利用SiC CJFET替代超结MOSFET》，本文将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因。
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英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™栅极驱动，在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率
【2026年6月17日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部元件数量并降低逆变器控制电子设备的物料清单(BOM)成本。
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基于特斯拉线圈的DIY等离子体疗愈机
在我的之前几段视频中，我向大家介绍了制作Rife机器的不同方法，从最简单的使用金属电极作为频率传递介质的版本，到更先进的等离子体Rife机器。这一次，我将重点介绍更高级的版本，这些版本与原始设备一样，都采用等离子体作为向周围环境辐射的媒介。
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碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介绍利用SiC CJFET替代超结MOSFET以及开关电源应用。
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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
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英飞凌推出CoolSET™ SiP系列新品，扩展输出功率范围，助力满足欧盟能效法规
【2026 年 6 月 11 日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出三款CoolSET™ 系统级封装(SiP)新型号：ICE188LM、ICE189LM 和 ICE180LM，进一步扩展其支持的输出功率范围，助力白色家电制造商满足日益严苛的欧盟能效及待机功耗法规要求。CoolSET™ SiP将高压MOSFET、一次侧PWM控制器、二次侧同步整流(SR)控制器、增强型电气隔离以及全面保护功能集成在单一封装中。这种高度集成化设计可减少系统损耗、降低元器件用量，并简化家电(功率最高150W)节能辅助电源的设计。
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英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
【2026年6月11日, 德国慕尼黑讯】绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。
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Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
美国东部时间 2026 年 6 月 9 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市 — 碳化硅 (SiC) 领域行业引领者 Wolfspeed 公司宣布推出第五代 (Gen 5) 技术，将为下一代 1200 V 和 750 V 汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。
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