纳祥科技NX7011，应用于电机的双N沟道MOSFET，替代AP20G02BDF

纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术，提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型产品的应用。

在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。

（一）NX7011主要特性

NX7011的主要特性有以下几个：

● 30V，30A
● RDS(ON) =7.3mΩ (Typ.) @ VGS = 10V
● RDS(ON)=9.8mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V
● 先进的沟槽技术
● 提供先进的RDS(ON)

（二）NX7011芯片亮点

NX7011采用小型化封装，导通电阻低，电路性能优良。

① 小型化封装
NX7011采用PDFN3*3小型化封装，有助于节省PCB设计空间。NX7011还具备良好的电气性能与热性能，通用性和兼容性强。

② 低漏源导通电阻
在栅极电压为 10V 时，NX7011的漏极与源极之间呈现的典型导通电阻为 7.3 mΩ ，能够减少功率损耗，简化散热要求，增强电路性能。

（三）NX7011应用领域

‌因其性能特质，NX7011应用范围广泛，特别适用于需要高电流处理和大功率控制的场合，如无线充，电动工具、液晶电视、电动自行车、安防、电机‌等领域中。