【导读】06年Q2的NAND市场份额 海力士18.5%、三星跌至46.4% iSuppli Japan公布了2006年第2季度NAND闪存市场的销售额排行榜。其中引人注目的是位居第3的韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)的飞速跃进。
【导读】趋稳还是下降?专家释疑NAND市场迷局 NAND闪存市场是半导体产业中增长最快的芯片领域之一,其增长速度可能正在放缓。市场调研公司Gartner日前把2006年NAND闪存销售额预估砍掉了15亿美元,并预测200
【导读】Data I/O牵手Intel闪存部门,探讨NAND接口标准 Data I/O公司日前宣布与Intel闪存部门建立全球联盟,以为他们共同的客户带来更高的价值。双方公司将提供综合解决方案以减少上市的时间,并推动对英特尔
【导读】NAND Flash产业蓄势待发 东芝深表乐观 据《商业周刊》(Business Week)报道,虽然NAND型Flash价格快速下滑,然而受到近期厂商产能拉回,以及未来市场仍将扩张等因素支持,产业仍处于储备能源的情况;
【导读】NAND Flash进入x3世代 消费性电子产品价格将下滑 新帝4月量产16Gb产品 与产业龙头三星差距拉近 c新帝将在4月量产16Gb容量的3-Bit-Per-Cell产品,预计在同一世代制程下,采用3-Bit-Per-Cell技
【导读】2009年NAND Flash缺货缺翻天,三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余,不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观,还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗,到底葫芦里是卖什么药
【导读】根据EE Times报导,Micron Technology开始在其新加坡十二吋晶圆厂中生产NAND晶圆,值得注意的是该公司在这个领域多年的合作伙伴Intel,并没有对这座晶圆厂投资。 根据EE Times报导,Micron Technology开始
【导读】亚洲最大半导体交易市场Dramexchange分析师西恩·杨15号(周三)表示,东芝旗下一家芯片工厂突发短时电力故障,以致NAND芯片出现停产。该分析师还表示,到2011年1月中旬之前,包括iPad在内等多款产品均在使用的
【导读】存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降,除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外,市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中,唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士,2011年平板计
【导读】根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXhange调查,八月份上旬NAND Flash合约价持续走稳,均价呈现部分持平与小涨的格局。买卖双方对后续价格走势意见分歧,记忆卡与随身碟业者也呈现保守的态度,
【导读】由于市场担心旺季不旺导致NAND Flash市场交易清淡,但是智能型手机、平板计算机等新产品备货需求,仍驱动9月上旬NAND Flash合约价均价持平甚至小涨格局。预期NAND Flash合约价在近期仍将持平,第四季价格走势
【导读】日本第二大半导体厂商瑞萨电子(Renesas Electronics)因微控制器(Micro Controller Unit;MCU)、模拟/功率组件(Analog&Power;A&P)与系统单芯片(System on Chip;SoC)三大产品线第4季营收均较第3季下滑,致其半导
受到第一季淡季效应的冲击,智能型手机、平板计算机与笔记本电脑出货呈现衰退,影响到相关NAND Flash产品出货量,全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,整体而言2014年第一
日本东芝公司3日宣布,已在台湾法院控告力晶科技、智旺科技、力积电子与瑄誉科技(C.T.C),指控四家台湾公司侵害东芝NAND快闪存储器专利。力晶表示,目前已收到相关文件,快闪存储器相关业务占力晶业务比重低,对公
全球第2大NAND型快闪记忆体(NAND Flash)厂商东芝(Toshiba)3日发布新闻稿宣布,已向台湾智慧财产法院控告力积(Zentel Electronics;3553)、力晶(Powerchip Technology)、Powerflash Technology及C.T.C. Co., Ltd., 等
在上周的5月21号微软发布了最新一代的Surface Pro 3平板电脑,不同于以往Surface产品的定位,这次微软将Surface Pro 3定义为代替笔记本的全能产品。我们在之前也曾经撰写了相关的文章,从发布会、产品的角度来描绘了
May 30, 2014---受到第一季淡季效应的冲击,智能型手机、平板计算机与笔记本电脑出货呈现衰退,影响到相关NAND Flash产品出货量,全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,整体
5月30日消息,据国外媒体报道,三星使用最新存储技术加大了新的1TB固态硬盘的存储能力。该固态硬盘主要面向高端个人电脑,采用三星第二代V-NAND技术。这项技术使得储存芯片可以垂直叠放。三星同时发布了128GB, 256GB
旺宏(2337)昨(29)日宣布,旗下12寸厂开始生产第二代36纳米SLC储存型快闪存储器(NAND Flash)产品,挹注营运。旺宏先前在法说会上表示,因36纳米产能恐怕供不应求,所以今年将增加相关资本支出。旺宏指出,上述第
闪存存储解决方案供应商闪迪公司面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一款理想的存储解决方案——iNAND Standard嵌入式闪存驱动器(EFD)。利用最新1Y纳米X3 NAND闪存解决方案,原始设备制造商(O