随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路,IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态,期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图
21ic讯 全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司,在加利福尼亚州圣何塞举行的国际光学工程学会(SPIE)先进光刻技术大会上,推出了业界首款在线3D扫描电子线宽量测系统,成
在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下,2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证,美光(Micron)公司有意将这套已出现两年的NAND设计方案推向
大家好,又到了天嵌【嵌入式分享】的时间,相对于前几期【嵌入式分享】做的主要是TQ335X开发板的技术分享,本期决定做同是cortex-a8系列的TQ210开发板的技术分享。本期是关于TQ210开发板的Nand flash驱动编写,可能
主攻个人计算机市场的标准型动态随机存取存储器(DRAM)近期呈现强劲的拉货力道,本月价格可望强弹;应用行动装置的储存型快闪存储器(NAND Flash)因补货需求落空,价格看跌。
NAND型闪存和闪存控制器一体化,以17mm×17mm尺寸实现了容量为1GByte~4GByte的SATA 3Gbps SSD TDK株式会社(社长:上釜健宏)成功开发出Single Chip固态硬盘eSSD系列
纵观半导体发展历史,一种新兴技术的出现,影响的不只是个别公司的兴衰,更是推动了某个产业的转型,新技术是变革者赶超传统技术列强的利器,也是产业升级的动力源,当年的
主攻个人计算机市场的标准型动态随机存取存储器(DRAM)近期呈现强劲的拉货力道,本月价格可望强弹;应用行动装置的储存型快闪存储器(NAND Flash)因补货需求落空,价格看跌。
转自台湾digitimes的消息,DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高端桌上型电脑平台,并与LP-DDR3存储器将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪存储器也跨
加州大学和微软的研究发现,随着芯片尺寸缩小,NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm,SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura
1月12日消息 据彭博社报道,有消息人士表示,苹果以3.9亿美元的价格完成收购以色列闪存盘部件制造商Anobit。据称,该收购价格较此前Anobit方面的报价要低。收购传闻最早于
在移动互联网时代,业界皆以苹果为首。在iphone6没出之前就流传着“iphone6不出,业界无以为手机”。苹果的影响力由此可见一斑。现在苹果iphone6终于来了,在其引领手机发展的同时,无意中也大大影响了NAN
苹果发布iPhone 6 与iPhone 6 Plus两款新机,因应4G时代对超大影音档案储存需求,最高储存容量增至128GB,主打64GB机种,比原本大增三倍,是历来储存容量最高的iPhone。苹果以储存型快闪存储器(NAND Flash)为储存空间
21ic讯 中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自
21ic讯 武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会,业内专家对该项目的技术
虽然用SSD当做随身储存装置并非创新,不过三星在此次IFA 2014期间首度推出以随身储存为诉求的外接式SSD「T1」,并且以micro USB 3.0作为连接接口。三星针对随身储存诉求推出外接式SSD「T1」,并且采用轻巧、迷你机身
O 引言Flash是一种非易失存储器,它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点,近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设
OFweek显示网讯 2014年7月7日,加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣布推出两款帮助客户解决在制造高性能、低功耗3D器件关键性挑战的全新半导体制造系统,展示了其在高尖端半导体材料工程上的专业领
在本月6日至8日举办的IEDM2010旧金山大会上,Intel与镁光两家公司合作展示了其25nm NAND制程的细节,有趣的是,这种制程竟然会是首款将曾被IBM热捧的AirGap(空气隙型介电层
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代,DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术,有利DRAM的先进制程转换,但电容器制程问题是一大难题,由于采用新材料将直接影响生产