3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash,3D NAND 闪存)的高密度发展正如火如荼地进行着。通过增加存储单元(Memory Cell)在垂直方向上的堆叠(3D堆叠)数量(Word Line的堆叠数),3D NAND闪存的高密度化、大容量化已经基本得以实现。通过融合3D堆叠技术、多值存储技术(在1个存储单元上存储多个bit的技术),获得了具有较大存储容量的Silicon Die(硅芯片)。
全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,今年首季NAND Flash合约价跌幅颇重,展望第二季,因供应商库存压力未除,第二季价格跌势恐将难止。今年第一季除了受到传统淡季
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。 影响闪存价
尽管日前日本NAND Flash大厂东芝爆出停电导致产能受阻的消息,不过,光宝科总执行长陈广中表示,整体来看,NAND Flash整体市况还是处于供过于求,因此预料下半年报价应该还是会处于缓跌走势。
7月11日消息,据BusinessKorea报道,三星电子计划将NAND闪存价格提高10%,且美光科技有意效法。报道称,NAND闪存的库存已经降至四周,约为DRAM的一半,但需求出现上扬。Busine
2019年2季度,SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%,主要原因是该公司增加了72层3D NAND的产量。继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后,SK海力士也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%,以放缓产能扩张速度。
存储器大厂旺宏25日召开线上法说会,并公布2019年第2季营收数字。营收为74.79亿元新台币(新台币,下同),较第1季增加24%,较2018年同期减少16%。毛利率27%,较第1季增加2个百分点,较2018年同期则是减少18个百分点。税后纯益2.64亿元,每股EPS 0.14元。
NAND Flash近期市况热门,日韩贸易战更让NAND Flash价格看涨。NAND Flash控制晶片暨模组厂群联董事长潘健成表示,7月以来,现货价格已经涨约超过一成,理性来看,未来还有20%至3
对于三星来说,由于日本在三种关键材料上的管控,将导致他们有内存、OLED屏断供的风险。今天早些时候,有消息称,由于需求下滑以及日本的出口限制,三星电子和SK海力士计划削减NAND闪存芯片产量。报道中还
作为NAND闪存的发明人,虽然市场地位已经被三星超越,不过东芝存储(Toshiba Memory)的名字已经为人熟知,可惜今年10月开始这个名字就改为“Kioxia”,公司中文名为“铠侠株式会社”。
西部数据公司发布新款嵌入式闪存盘,旨在从速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及移动设备的功能,丰富5G时代环境下智能手机用户的移动体验。
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。
这几天全球NAND闪存市场到了一个敏感的时刻,大环境下NAND闪存价格依然在下滑,三星、东芝、西数、美光等公司的营收及盈利因此大受影响,而东芝位于日本四日市的NAND工厂日前出现了断电事故,此事有可能
近期,价格“跌跌不休”的NAND Flash(闪存芯片)市场,突然遇到了产业变动。7月初,日本经济产业省宣布,自7月4日起,包括“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩国出口。
NAND闪存的价格一跌再跌,2019年第一季度TLC闪存的晶圆合约价下跌了19~28%,eMMC/UFS类闪存合约价下跌了15~20%,消费级固态硬盘价格跌了17~31%,企业级固态硬盘跌了26~32
从去年初到现在,全球NAND闪存市场已经连跌了6个季度,导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑,多家厂商还削减了产能,其中美光削减的NAND产能从之前的5%增加到了10%。
从去年初到现在,全球NAND闪存市场已经连跌了6个季度,导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑,多家厂商还削减了产能,其中美光削减的NAND产能从之前的5%增加到了10%。
SK海力士26日正式宣布,已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前,该公司宣布了96层4D NAND芯片。
根据集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出,随着美中贸易争端升温,2019年智慧型手机及伺服器的需求量将低于原先预期,加上中央处理器(CPU)缺货问题,仍对笔记型电脑出货略有影响,导致eMMC/UFS、固态硬盘(
爱达荷州博伊西(2019 年 6 月 6 日)——创新内存和存储解决方案的行业领导者——美光科技股份有限公司今日发布针对汽车应用的新型UFS 2.1 托管型NAND 产品。该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的需求,从而增强了驾驶体验。Micron® UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存储解决方案采用高性价比的 64 层 3D TLC NAND 架构,可提供超快速启动和汽车级可靠性。