早在今年的FMS国际闪存会议上,SK Hynix就宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。
工控储存领导厂商宜鼎国际,旗下工业级3D NAND SSD将正式于10月份开启全球量产,稳步提高产能。宜鼎国际董事长简川胜表示,为提供业界高等级工控品质,宜鼎3D NAND TLC花费超过两年时间进行前期导入测试以及工规等级的压力震动测试,目前已成功导入客户端,并持续以高端规格支持工控产业升级。
OK6410裸机简单的NAND FLASH驱动,只写了个简单的函数,读取一页 /**********************************************************
房地产泡沫喊了好多年了也没见多少破裂,半导体行业里却遇上了!还记得去年存储产品的疯狂涨价吗?现在开始价格就像过山车开始下坡了。2016年下半年开始的新一轮存储芯片的旺季,DRAM内存及NAND闪存的价格从那时候开始
导致西数业绩大降的因素除了HDD、NAND市场自身原因之外,还有很重要的外因,那就是某厂商的处理器缺货,西数没有指明品牌,不过大家都知道这是在说英特尔,早前也有分析称英特尔14nm产能不足将会导致整个PC产业链受到影响,现在也应验了。
1978年10月18日,美光公司正式成立,现今差不多是美光成立四十周年,如今的美光已经是全球第四大半导体公司。除了四十年纪念日,今天美光还宣布了一件事,那就是收购与英特尔合资的IM Flash(简称I
据日本共同社(Kyodo News)24日报道称,全球第二大NAND闪存制造商东芝内存公司(Toshiba Memory)最快将于2019年秋季IPO(首次公开招股)。
Crucial P1 SSD可提供最高2000MBps读取与1700MBps写入的表现,而在PCMark 8的混合模式测试可达到565MBps与5084分的表现,通过搭配SLC缓存构成动态写入加速,具备180万小时的MTTF与耐用性达200TB的写入量,平均功耗仅100mW。QLC闪存颗粒相比以往的MLC、TLC速度低、稳定性更差,所以售价方面想必也会更低一些,比较适合系统内没有重要文件的用户使用。
Western Digital(西部数据)公司近日推出了全球首款名为“i-NAND AT EU312 EFD”的3D TLC NAND车用嵌入式快闪存储器,以满足高级辅助驾驶系统(ADAS)和自动驾驶汽车等先进汽车系统的需求。
本次工程是要同时实现SD卡读卡器和NAND Flash模拟U盘的功能。结合之前的两个工程,稍稍修改下就可以了。既然要实现两个盘,当然在usb_prop.c中的Max_Lun变量赋值为1,在USB_User组中同时添加fsmc_nand.c和sdio_sdcar
移植环境1,主机环境:VMare下CentOS 5.5 ,1G内存。2,集成开发环境:Elipse IDE3,编译编译环境:arm-linux-gcc v4.4.3,arm-none-eabi-gcc v4.5.1。4,开发板:mini2440,2M nor flash,128M nand flash。5,u-bo
西部数据公司近日推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD)-西部数据iNAND?MC EU321,旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。
西数发布的96层3D NAND UFS 2.1存储就是针对这一情况发布的产品,具备iNAND SmartSLC 5.1架构,针对目前热门的AI、AR和多摄像头支持、高分辨率拍摄等领域有所优化。
报道进一步指出,三星2019年针对存储器的投资总体会减少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分,三星的投资仍将持续增加。
日前有韩国媒体《Business Korea》分析,SK海力士这间M15工厂落成后,可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示,DRAM占80%的销量,NAND Flash则仅占18%,和三星电子60:40的比重来比,SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。
一、目的 通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中,了解如何初始化并使用 ARM 的内存, 为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备。二、代码 关于如何建立开发环境,在我的前一篇随笔(FS2401 发光二极管循
对于一个多月前在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布的突破性技术Xtacking,长江存储执行董事长高启全接受中国证券报记者专访表示,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。未来十年,长江存储将持续增加研发投入。
前几天,一直在寻找NAND Flash模拟U盘程序无法格式化的问题。在中秋月圆之夜,还苦逼地在实验室调代码,也许是杭州大圆月的原因,今晚感觉整人特别亢奋,效率也特别高,灵感也多。终于,在不懈的努力下,找到代码中的