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全球 DRAM 和 NAND 闪存市场将迎来巨大增长
最近根据韩国相关媒体报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘密度和性能提升，明年全球 NAND 闪存需求将增加，5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM
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走入Intel Fab68大连工厂：144层闪存、全新傲腾在等你
近日，快科技有幸受邀，参观了Intel位于辽宁省大连市的Fab 68晶圆厂，并学习了Intel NAND闪存、3D XPoint Optane傲腾方面的深层技术与未来规划，与诸君分享。Intel大连工
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NAND Flash 价格迎来冰点，价格能否回升
根据外媒报道，NAND Flash 价格去年跌到今年，第三季初虽然出现短暂止跌回升，但 11 月报价又跌回第二季末低点，包括三星、美光等上游原厂第三季获利大幅下滑。不过，下半
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10月涨价5% 闪存价格已经触底反弹
过去两个都在说NAND闪存价格不断跌价，忽然之间这个跌势就停止了，现在轮到价格上涨了，10月份闪存价格涨幅创造了2年多来的新高。 根据调研公司集邦科技旗下的半导体研究中心DRAMeXchange报告，
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新华三服务器将采用国产闪存：长江存储自研架构 64层闪存
今年9月初，紫光集团旗下的长江存储宣布量产64层堆栈的3D闪存，采用了自研Xtacking架构，核心容量256Gb。今天紫光集团又宣布旗下新华三公司将在自家服务器产品中使用长江存储闪存，共同推动在中国
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19纳米SLC NAND即将量产
存储器厂旺宏将于周四(24日)召开法说，公布第3季财报，市场除关注第4季及明年营运展望，由于第3季大客户拉货动能强劲，旺宏库存去化程度、毛利率表现将受瞩，NAND与NOR Flash需求表现、及19纳米SLC NAND出货情况也将成为焦点。
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美光流片第四代3D闪存：全新替换栅极架构
美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。 美光第四代3D闪存堆叠了最多128层，继续使用阵列下CMOS设计思路，不过美光与Inte
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128层4D NAND即将量产
据报道，SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。
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科技进步：中国首次量产 64层3D NAND闪存芯片
近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
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报告：DRAM价格将继续走低 二季度内存跌幅近10%
据DRAM Exchange最新报告称，DRAM市场正在降价、且趋势是会继续走低。 这份报告中指出，今年第二季度，DRAM价格下跌了近10%。目前的状况是供大于求，这是内存市场将持续下跌的部分原因。对
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最小级别嵌入式NAND闪存产品
东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e.MMCTM标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动，8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。
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日本“祸害”全球NAND闪存市场 传SSD厂商限量供货、涨价15%
从去年初到现在，全球NAND闪存市场已经连跌了6个季度，导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑，多家厂商还削减了产能，其中美光削减的NAND产能从之前的5%增加到了10%。 关于NAN
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NAND涨价！模组厂开始囤货限量供应
7月8日，台湾存储器模组厂威刚否认了暂停出货SSD的传闻，并表示为应对目前NAND Flash价格上扬，在前景有待观察的情形下，将限量供货，并优先支持老客户。随着NAND Flash供应商陆续紧缩供给
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改名铠侠的东芝存储将有大动作 一切只待闪存涨价
作为NAND闪存的发明人，虽然市场地位已经被三星超越，不过东芝存储（Toshiba Memory）的名字已经为人熟知，可惜今年10月开始这个名字就改为“Kioxia”，公司中文名为“铠侠株式会社”。
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SK海力士：Q4季度内存价格将稳定 明年推128层NAND闪存
韩国SK海力士日前发布财报，Q2季度中营收6.45万亿韩元，同比下滑38%，运营利润只有6376亿韩元，同比暴跌了89%，净利润仅为5370亿韩元，约合4.6亿美元，同比暴跌了88%，创下了三年来最低
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3D NAND 闪存高密度发展，未来将走向何方？
3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash，3D NAND 闪存)的高密度发展正如火如荼地进行着。通过增加存储单元(Memory Cell)在垂直方向上的堆叠(3D堆叠)数量(Word Line的堆叠数)，3D NAND闪存的高密度化、大容量化已经基本得以实现。通过融合3D堆叠技术、多值存储技术(在1个存储单元上存储多个bit的技术)，获得了具有较大存储容量的Silicon Die(硅芯片)。
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库存压力未除 NAND Flash第二季价格跌势难止
全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，今年首季NAND Flash合约价跌幅颇重，展望第二季，因供应商库存压力未除，第二季价格跌势恐将难止。今年第一季除了受到传统淡季
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三星美光等公司加速96层堆栈闪存量产 2020年成为主流
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故，导致部分工厂要停产到这个月，再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁，连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。 影响闪存价
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光宝科：NAND Flash仍供过于求，下半年趋于缓跌
尽管日前日本NAND Flash大厂东芝爆出停电导致产能受阻的消息，不过，光宝科总执行长陈广中表示，整体来看，NAND Flash整体市况还是处于供过于求，因此预料下半年报价应该还是会处于缓跌走势。
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三星电子将提高NAND闪存价格 美光有意效法
7月11日消息，据BusinessKorea报道，三星电子计划将NAND闪存价格提高10%，且美光科技有意效法。报道称，NAND闪存的库存已经降至四周，约为DRAM的一半，但需求出现上扬。Busine
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