生成式AI的爆发式增长正重塑数据中心生态,供电系统成为支撑算力革命的基石。据国际能源署(IEA),2023至2030年间,数据中心能耗将激增165%,而AI服务器机架功耗已从10kW飙升至120kW以上,单GPU功耗甚至逼近2kW。这种高功率密度需求对电源效率、散热设计和可靠性提出前所未有的挑战。
什么是OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET?它有什么作用?英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
【2020年2月18日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。
英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150