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在英特尔至强Ice Lake发布会上，英特尔向数据中心市场投下性能“炸弹”，并且不再沉默，与AMD最新发布的产品“一较高下”。……
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解读世界上最先进的1α DRAM工艺——专访美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran
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疫情后时代新常态下，上云不再是锦上添花，更成为企业生存的关键。……
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十年转瞬，Armv9架构终于露出庐山真面目，适用于Arm全系列芯片的Armv9架构，这次的升级瞄准的则是日益强大的安全、人工智能（AI）和无处不在的专用处理的需求。实际上，Armv9架构的推出也与正预示着行业的发展方向。凭借新架构，Arm提出了3000亿的目标。……
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QLC闪存、TLC闪存是什么?QLC闪存、TLC闪存有何区别?
闪存是最常用器件之一，在诸如SSD等存储设备中均存在闪存。但是，大家对闪存真的足够了解吗?为增进大家对闪存的了解和认识，本文将对QLC闪存以及TLC闪存相关内容予以介绍。如果你对闪存具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。 一、前言 我们渴求大容量的SSD，不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价，对于支付能力有限用户实际上没有意义。SSD的成本主要来源于闪存，在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。只有不断开发新类型的闪存，解决容量与价格的矛盾，才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。 这时，QLC 闪存就应运而生，目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选? 二、QLC闪存颗粒 在聊QLC之前，我觉得先来聊一聊TLC会有助于大家理解它。 现在购买过SSD的朋友应该都听说过TLC闪存颗粒，因为2017年整体TLC SSD出货比重接近75%，而SSD市场所占比重更大，也就是说现在大家买到的固态硬盘，基本上都是TLC的。 QLC则是有望未来接替他成为主流的产品! 闪存颗粒的类型有以下几种：SLC、MLC 、TLC 、QLC。 参照上图解释给大家会更清晰一些 SLC单比特单元(每个Cell单元只储存1个数据，有21=2个状态，就是0和1，也就是仅有两种不同的电压状态)，因为稳定，所以性能最好，寿命也最长(理论可擦写10W次)，成本也最高，最早的顶级颗粒，但因为成本问题，目前已经消失在大家的视野里。 MLC双比特单元(每个Cell单元储存2个数据，有22=4个状态，00/01/10/11，因此有四种不同电压状态)，也就是仅有两种不同的电压状态)性能、寿命(理论可擦写1W次)、成本在几种颗粒中算是均衡的，接替SLC的产品，在TLC之前的绝对主流颗粒，而目前主要用于高端和企业级产品。 TLC三比特单元(每个Cell单元储存3个数据，有23=8个状态，不详列，如上图，有八种不同电压状态)，成本低，容量大，但寿命越来越短(理论可擦写1500次)，但随着技术的成熟，目前寿命问题已经得到解决，并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。 QLC四比特单元(每个Cell单元储存4个数据，有24=16个状态，不详列，如上图，有十六种不同电压状态)，成本更低，容量更大，但寿命更短(理论可擦写150次)，想成为接替TLC的产品还有急需解决的问题。 注：每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性越差，寿命低。利弊都有。 不得不承认，TLC闪存的出现大大提升了SSD的容量，并在一定程度上降低了SSD的价格。不过，依旧没解决SSD价格的难题，大容量SSD仍旧贵。小容量SSD+大容量HDD的存储方案，终究没有单纯大容量SSD来得好。 当QLC 闪存的诞生，也许既廉价又拥有超大容量的SSD，从理想变为现实。 三、QLC与TLC区别 1、寿命 前段时间，东芝称其QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，打破100-150次魔咒，可以与TLC闪存颗粒寿命相媲美。如果真的达到这个标准，那么QLC SSD就能够“理直气壮”进入市场了。 1000次寿命，对于普通人来说，也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB，那么我们就假设是10GB，120GB QLC SSD，写入寿命达到120 TB。假设写入放大系数则假定为3，甚至5，那么三年之内，很难写坏它。且QLC闪存拥有高容量，也意味着其在QLC驱动器中可通过超额配置以延长产品本身的有效寿命。 目前TLC SSD在质保期普遍达到3年，有的质保期甚至达到5年。那么QLC 寿命问题又有什么好担心? 2、稳定性 QLC闪存是存储4位电荷，有16种状态，而TLC存储3位电荷，有8种状态。这意味着QLC闪存单位存储密度更大，是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。但是，也因如此，QLC闪存的电压更难控制，干扰更复杂，而这些问题都会影响QLC闪存的性能、可靠性及稳定性。不过TLC的这个活生生的案例在前面，解决起来会更容易一些。 3、成本 虽然QLC只是在TLC的电子单元内增加了一个比特位，但其所要求的技术含量却非常高。因为不仅要在原有的基础上增加一个比特单位，还需要双倍的精度才能保有足够高的稳定性以及性能。不过，一旦解决了所有技术上的难题，随着SSD容量的大幅增加，其所需要的单位成本也会相应降低。 4、容量 东芝的QLC的技术已经可以实现每闪存颗粒768Gb(96GB)的容量，相比之TLC颗粒的512Gb有了更大提升。如果采用16颗粒封装，那么可以实现单颗芯片封装达到1.5TB的容量，容量达到目前单颗最大。如果一块SSD采用八颗这样的新品，总容量可以达到惊人的12TB。 写在最后： 虽说目前QLC 闪存不过刚正式出现在人们的视线中，其在速度、寿命、稳定性等方面可能会比TLC差，但是更便宜的成本、更大容量的优势是无法忽视的。随着技术的不断发展和成熟，QLC就像当年TLC一样从不被接纳到广泛认可也是早晚的事情， 其实不管是TLC还是QLC，只要价格够便宜，容量够大，速度够快，寿命有保障，总会获得消费者的喜欢，赢得属于自己的市场份额。 而对于HDD来说，QLC的出现将带来更大的威胁。或许真正QLC SSD普及之时，才是HDD 跟我们Say byebye之时。 以上便是此次小编带来的“闪存”相关内容，通过本文，希望大家对QLC闪存和TLC闪存以及二者之间的区别具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!
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产业链消息称：长江存储将缓慢提高NAND闪存出货量
9月22日，据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。 长江存储全称为长江存储科技有限责任公司，成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM(设计、制造及测试)集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。 长江存储为合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了国内首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking?架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。 此外，外媒是援引产业链的消息，报道长江存储将提高NAND闪存的出货量的，不过是缓慢提高，不会是快速大幅提高，产业链方面也并未透露长江存储NAND闪存目前的出货量和提升的幅度。
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三星神秘870 QVO SSD上架：8TB 6400元、QLC闪存
TLC是目前最普及的NAND闪存规格，不管大家是否接受，下一站就是QLC，产品也正在陆续增多。 今天，美国亚马逊突然上架了三星870 QVO系列新品SSD，虽然没有明确标注，但从各方面就是QLC闪存了。 三星870 QVO SSD是标准的2.5寸SATA规格，目前上架的是8TB、1TB两个容量版本，售价分别为899.99美元、129.99美元，约合人民币6400元、920元，未来肯定还会有2TB、4TB版本。 读写速度等具体规格未披露，但既然是SATA SSD，不会有太多意外，就看寿命如何了。 亚马逊的三星870 QVO目前是预售状态，将在6月30日正式发布。
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Intel 665p SSD终于上架了
在这篇文章中，小编将为大家带来第二代QLC闪存SSD 665p的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。 根据日媒的报道，这款Intel 665p SSD的具体型号是“SSDPEKNW010T9X1”，容量为1TB，堆叠层数从660p的64层升级到了96层，最高连续读速2000MB/s、最高连续写速1800MB/s、4K随机读速最高250K IOPS。作为对比，Intel600P 1TB的最高连续读速是1800MB/s，随机4k读取速度是220k IOPS。 至于寿命，Intel 665p 1TB SSD的写入寿命高达600TBW，比Intel 600p 1TB SSD的400TBW高了50%左右，与市面常见的同容量的1TB TLC SSD相当。此外Intel还提供5年质保，因此在这方面，完全不需要担心。 以上便是小编此次想要和大家共同分享的内容，如果你对本文内容感到满意，不妨持续关注我们网站哟。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!
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西部数据出货首批使用3D QLC的产品
在新季度财务电话会议期间，西部数据透露，已开始出货基于96层堆叠3D QLC闪存的产品，首批用于零售产品和移动SSD。 这个消息是在西部数据本周的财报会议上面由公司的总裁兼COO宣布的，基于96层3D QLC颗粒的产品在2019年的第三季度开始出货，用于零售产品和外置SSD，不过他们并没有指明目前有哪些产品使用了这种QLC颗粒。另外，一般新的颗粒都会首先用在大容量存储卡和外置SSD上面。 西部数据的堆叠式QLC颗粒是和东芝存储，也就是现在改名为恺侠的公司一起，在2017年中期合作研发的，当时的堆叠层数还是64层，密度为768Gb，不过这种颗粒并没有进行量产，而过了一年之后，在2018年中，西部数据推出了新的96层，密度为1.33Tb的3D QLC，容量密度更高，更加有助于降低存储设备的价格。 而直到目前为止，西部数据的这种密度为1.33Tb的颗粒仍然保持着业界中已经商用化的了最高容量密度记录，西部数据在这个方面仍然保持领先。西部数据主要用这种颗粒生产大容量的SSD，在某些场景下面已经可以和HDD一较高下，而对于普通消费者来说，暂时只有在大容量存储卡和外置SSD这些产品上面见到高密度QLC颗粒。 另外，西部数据还表示上个季度中，生产出的96层3D NAND的总数据量已经超过了64层3D NAND了，这说明市场上面普及东芝/闪迪/西数的96层颗粒只是时间问题了。 西数还透露，在今年第三季度，96层闪存的出货容量已经超过了64层，当然主要都是TLC。
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Intel正式公布傲腾内存H10：QLC与傲腾内存互补，最高1TB容量
最近逐渐有采用QLC颗粒的SSD面世，虽然其容量巨大，但是让Cache缓存用完后很低的原始写入速度让也与现在的采用TLC颗粒的SSD相去甚远。今天Intel正式公布了傲腾内存H10系列，将3D Xpoint技术与QLC闪存颗粒相结合，相互弥补缺憾。近期采用QLC闪存的SSD逐渐上市了，虽然这些SSD在容量上十分令人满意，但是在Cache写满后的原始速度也是让人大跌眼镜。同时由于QLC闪存每个单元存储4位数据的原理，导致其耐久度相对当前的3D TLC及3D MLC闪存下降很明显。与此同时，市面上也出现了一种超高耐久度、持续、随机读写性能极为优秀的闪存，就是采用3D Xpoint技术的傲腾内存。现在Intel将QLC与傲腾内存结合起来，正式发布了Intel optane H10系列傲腾内存。Intel称傲腾内存H10在低队列深度下能有比较理想的混合随机读写性能。与傲腾内存技术结合能提供可靠大容量的存储方案。不过根据介绍，Intel将3D Xpoint技术与QLC结合方式是通过Intel快速存储技术（RST）来实现的，就是之前利用小容量傲腾内存加速机械硬盘的方案，之前超能也做过评测。虽然整个傲腾内存H10拥有PCIex4接口，但是其上面分别有傲腾内存控制器及QLC闪存控制器，所以两个控制器分别只占两个通道。这种方案对日常应用确实有很明显的提升，所以对于Intel将QLC与傲腾内存技术结合还是非常有意义的。性能方面，Intel声称其顺序读/写达到2400MB/s及1800MB/s，4KB随机读/写为32000IOPS/30000IOPS，而QD2 4KB随机读/写达到了55000IOPS/55000IOPS。傲腾内存H10支持第八代、第九代及更新酷睿处理器平台，之前有新闻Intel已经通过驱动使得采用Coffee Lake核心的奔腾及赛扬处理器支持傲腾内存，这也扩展了采用傲腾内存产品的适用范围。此次Intel公布了三个型号，其中傲腾内存部分的容量有16GB及32GB两种，而QLC闪存部分容量有256GB、512GB及1TB三种，具体型号如下：256GB版：16G傲腾内存+256GB 3D QLC闪存，耐久度为75TBW。512GB版：32GB傲腾内存+512GB 3D QLC闪存，耐久度为150TBW。1TB版：32GB傲腾内存+1TB 3D QLC闪存，耐久度为300TBW。不过目前Intel没有公布这款产品的价格，此次将QLC闪存与傲腾内存相结合，将QLC闪存的大容量与傲腾内存的高随机读写性能优势互补，相信傲腾内存H10会成为市场上的一个“真香”产品。新品资讯：矽递科技Grove套件：无需硬件驱动或嵌入式开发，专为微软Azure服务而设计威世VCNL36687S接近传感器：小尺寸封装、集成信号处理IC和12位ADC亚德诺半导体EVAL-ADXL362评估板：兼容Arduino接口、自带LCD屏英飞凌IM69D120和IM69D130 XENSIV MEMS麦克风，为低失真和高信噪比而设计
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东芝QLC闪存P/E寿命可达1500次，可轻松作出85TB容量的U.2硬盘
在本周的FMS 2018国际闪存会议上，三星、SK Hynix、美光、英特尔以及国内的紫光公司都展示了他们在存储芯片技术的新进展，QLC闪存可以说是这次FMS峰会的一个重点。东芝公司也在FMS 2018会议上公布了他们在96层堆栈BiCS 4闪存技术的情况，指出其QLC闪存在1500次P/E循环之后依然没有变化，凭借1.33Tb的核心容量，QLC闪存可以轻松作出85TB容量的U.2硬盘。 东芝公司96层堆栈的BiCS 4技术闪存之前我们也报道过，在这次的闪存峰会上，东芝公司又介绍了更多资料，还公布了新的高性能闪存XL-Flash，日本PCWatch网站做了报道，来看看他们分享的最新进展。 QLC闪存无疑是各大存储芯片公司今年下半年及未来几年的重点，QLC闪存的基础知识就不说了，其Cell单元中可以存储4bit数据，容量比MLC、TLC闪存更大，但是代价就是有16中电压变化，导致控制更加复杂，写入速度更低，而且寿命更低，也就是P/E循环更少。 在这个问题上，东芝提到他们的96层堆栈BiCS 4技术的QLC闪存在1500次P/E循环之后也没有看到明显的劣化迹象，这代表着QLC闪存的实际P/E寿命不止1500次，而早前美光/英特尔公布的QLC闪存P/E寿命是1000次，所以在寿命这个问题上，3D NAND时代的QLC闪存没什么好担心的，情况比TLC闪存刚问世时要好太多了。 QLC闪存带来的好处就是容量密度更大，东芝的QLC闪存核心容量可以做到1.33Tb，比业界其他公司高出33%，在M.2 22110规格上可以做到20TB容量，U.2规格的SSD硬盘可达85TB容量。 东芝之前就提到他们做出了单封装2.66TB的闪存，内部封装了16颗1.33Tb容量的NAND核心，总容量达到了2.66TB，BGA封装，尺寸14x18mm，152pin针脚。 96层堆栈的NAND闪存模型 除了容量更大的QLC闪存，东芝还推出了面向高性能的XL-Flash闪存，这种闪存延迟极低，主要面向企业级市场。 这个XL-Flash闪存实际上相当于一个使用SLC技术的3D NAND闪存，SLC/MLC/TLC闪存在结构上并没有太大区别，TLC闪存如何牺牲容量也可以按照SLC闪存的模式运行，东芝的XL-Flash闪存还需要在主控及外围电路上做些改变。 与TLC闪存相比，东芝的XL-Flash闪存读取延迟只有前者的1/10，与新一代非易失性存储芯片相比还有更好的并行性。 东芝的XL-Flash闪存主要用于企业级市场，它可以与QLC闪存相结合，替代目前的存储组合，比如DRAM+HDD，QLC闪存可以取代HDD存储部分，XL-Flash可以用廉价的成本取代DRAM内存部分，两者组合后平均延迟只有前者的一半。 QLC闪存虽然容量密度高于TLC闪存，不过数据读写性能上是不如TLC闪存的，这也是东芝推XL-Flash闪存的一部分原因，东芝希望延迟更低的XL-Flash闪存能够弥补QLC闪存性能下降带来的影响。
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三星宣布量首款搭载QLC闪存的SSD：1TB起步，最高4TB
很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。 三星表示全新的QLC闪存被称之为4-Bit QLC闪存，同时三星也表示已经开始量产基于4-Bit QLC闪存的消费级SSD，三星还表示全新的4-Bit V-NAND芯片可以达到1Tb的规模，同时三星也可以凭借该项技术轻而易举地制造出超过128GB的TF卡。 三星表示4-Bit QLC闪存能够让SSD达到540MB/s的持续读取以及520MB/S的持续写入，并且QLC闪存可以让这些SSD产品从1TB起步，最高达到4TB的容量。 目前三星没有公布基于新一代QLC闪存打造的SSD的价格。
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联芸科技展示使用Intel 3D QLC闪存的4TB SSD
目前闪存技术基本上向着两个方向前进，一个是把3D TLC闪存的堆叠层数从64层增加到96层，这样单颗闪存的核心容量可以增加50%，另一个就是从TLC演化成QLC，这样容量可以增加33%，实际上两个方案都有优点和缺点，厂家目前也不太清楚两个哪个好一点，所以基本上两个都在研发。 Anandtech在国内主控厂商联芸科技(Maxio Technology)的展台上找到了使用Intel 3D QLC闪存的4TB SSD，当然这款产品还是处于初期的样品阶段，它采用是一颗联芸自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控，主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2与虚拟奇偶校验恢复等技术，而闪存型号是Intel N18A 3D QLC。 和闪存对比起来这块主控就相当的小，Maxio说它使用了GF的14nm工艺生产 有趣的是Intel和美光提到他们的QLC闪存耐久度可达1000 P/E，不过Maxio说目前用他们的主控会让闪存耐久度下降到500 P/E，因为目前主控还处于初期的样品阶段，QLC也是新事物，主控开发人员还没摸清它的特性，正式出货时耐久度可能会有所增加。 性能跑出来基本上就是SATA SSD的极限，我更好奇SLC Cache用光后QLC的原始写入速度有多少 很明显这种大容量的QLC SSD比较适合用来代替数据中心的HDD，对于普通消费者来说这种容量的SSD其实并不是必须的。
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西数96层堆栈BiCS 4闪存已经出货，QLC闪存也将是重点
昨天有报告称NAND闪存价格Q1季度环比下降，推动了大容量存储的智能手机、SSD硬盘普及，这主要得益于NAND厂商大规模量产64层3D闪存。未来要想进一步提升NAND容量，堆栈层数显然还会进一步提升，东芝、西数去年宣布了96层堆栈的3D闪存，今天西数宣布BiCS 4技术的96层3D闪存已经开始出货给客户，X4技术的QLC闪存未来也将是重点。 西数收购闪迪之后已经变成全球领先的NAND供应商，技术上他们跟东芝是一派的，主要使用BiCS技术，已经推出了四代BiCS技术，目前的主力是BiCS 3，量产的NAND闪存堆栈层数是64层，去年展示过96层堆栈的BiCS 4闪存，这将是西数、东芝下一代主力。 西数今天宣布正在出货BiCS 4技术的96层3D闪存给客户，不过耐人寻味的是这些客户主要是USB U盘、存储卡等，没提到桌面或者企业级市场。从西数CEO的表态来看，BiCS 4技术目前还不够成熟，所以说现在用于SSD等市场还有点早，这是先拿U盘等市场试试水。 根据西数的表态，96层堆栈的3D闪存核心容量最初是256Gb，相比目前没多少优势，不过最终可能会达到1Tb核心容量，也就是128GB，封装几颗NAND核心的话就可以轻松制造出TB级硬盘。 只不过到时候的主力就是X4技术的QLC闪存了，目前MLC、TLC闪存还是主流，但是从美光、英特尔开始出货QLC闪存硬盘开始，QLC在2018年将会越来越多，毕竟大容量的优势让厂商欲罢不能，消费者要想购买到廉价的TB级硬盘，QLC闪存也不可避免。
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东芝全球首发QLC闪存：寿命与TLC一样耐用
东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量可以做到768Gb(32GB)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。不过随着NAND闪存技术的发展，寿命和耐用性一直是个让人忧虑的问题。 NAND闪存目前已经发展出了四种形态：SLC单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高;MLC双比特单元，性能、寿命、成本比较均衡，目前主要用于高端和企业级产品;TLC三比特单元，成本低，容量大，但寿命越来越短;QLC四比特单元，自然延续了这一趋势。 事实上，经过厂商不断的改进，TLC技术已经十分成熟，无论性能还是寿命都可以满足日常消费甚至企业级应用，目前几乎绝大多数消费级SSD都在用它。 QLC闪存由于采用了四比特设计，每个单元内都有多达16种不同的电压状态，相比TLC又翻了一番，而且又不能把单元面积做的太大，因此控制难度急剧增大。 另外为了避免读写错误，主控搭配QLC闪存时也必须支持更高级的ECC，东芝就发展了自己的QSBC纠错技术，号称比TLC设备上常用的LDPC更加先进。 最关键的来了：东芝宣称，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，大大高于业界此前几年预计的100-150次，几乎已经和TLC闪存相当了! 这就意味着，QLC闪存的寿命根本不是事儿，完全可以和TLC一样耐用! 东芝具体是怎么做到的暂未披露，应当是有某种全新的秘密技术，而且很可能已经申请了专利。 动辄几个TB还耐用、便宜的QLC SSD，想想都挺美的……
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东芝宣布3D QLC闪存：16片堆叠可达1.5TB
东芝今日宣布其成功开发出了全球首款 4-bit 3D 闪存(QLC)，有望带来更低的制造成本和更高的存储密度。闪存通过一串带有电荷的浮动门晶体管来存储数据(赋予“0”或“1”即 1-bit)，这些存储块可以二维(平面型 NAND)或三维(3D NAND)堆叠的形式排列，然后用更多电荷值来对应存储更多位元的信息。比如四级(2-bit)闪存被称为 MLC、八级(3-bit)则为称为 TLC 。 QLC 进一步提升到了 16 级(4-bit)，可将每格划分出 16 个单元，从而实现更大的存储容量。曾几何时，业界难以突破 TLC 所需区分的精确电荷。但最新的进展是，东芝已开发出了 64 层堆叠的 QLC 3D NAND 。 该方法将核心存储容量提升到了 768 gigabit，较 TLC 的 512 gigabit 有了显著提升。东芝表示，新 QLC 核心能够 16 片堆叠，从而实现 1.5TB 的存储容量。 据悉，东芝已于本月早些时候开始向制造商出货 3D QLC NAND 样片，以供其评估。至于其何时走向消费级市场，目前暂不得而知。
