当前位置:首页 > 厂商动态 > 长江存储
[导读]长江存储科技有限责任公司128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070),已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量①。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。

长江存储科技有限责任公司128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070),已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量①。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。

长江存储推出128层QLC闪存,单颗容量达1.33Tb

长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚,也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking® 2.0时代的到来,长江存储有决心,有实力,有能力开创一个崭新的商业生态,让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势,达到互利共赢。”

Xtacking® 2.0 进一步释放闪存潜能②

得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化,长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现,上市之后广受好评。

在长江存储128层系列产品中,Xtacking®已全面升级至2.0,进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的数据传输速率,为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺,CMOS电路可选用更先进的制程,同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking®2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。未来,长江存储将与合作伙伴携手,构建定制化NAND商业生态,共同推动产业繁荣发展。

长江存储通过对技术创新的持续投入,已成功研发128层两款产品,并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量,长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking®架构的前瞻性和成熟度,为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。龚翊(Grace)强调:“我们相信,长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值,具有广阔的市场应用前景。其中,128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域,以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

X2-6070充分发挥QLC技术特点

QLC是继TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元 ,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间,每个房间住4“人”,共可容纳约14,660亿“人”居住,是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为:“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本,更适合作为大容量存储介质。 随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上,QLC SSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示:“与传统HDD相比,QLC SSD更具性能优势。在企业级领域, QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟,使其更适用于AI计算,机器学习,实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域,QLC将率先在大容量U盘,闪存卡和SSD中普及。”

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

据统计,随着Intel闪存业务被SK海力士收购,韩国企业三星+SK海力士合计占市场份额已经超过50%。

关键字: 闪存 NAND闪存 三星 海力士

新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存,将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高,面积最小的NAND闪存,并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持...

关键字: SK海力士 NAND闪存 CE LEVEL

(全球TMT2022年8月3日讯)SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存...

关键字: SK海力士 NAND闪存 芯片 SSD

颠覆性技术的深远影响从根本上改变了人们的生活、工作和娱乐方式

关键字: KIOXIA铠侠 NAND闪存 半导体

据韩媒thelec报道,华为方面计划采购NAND闪存晶圆,自行完成测试封装工序,已为此筹建相关设施,或将于下半年开始量产。

关键字: 华为 5G NAND闪存

(全球TMT2021年12月30日讯)SK海力士宣布,已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后,SK海力士完成了第一阶段的后续流程,包...

关键字: NAND闪存 海力士 英特尔

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了,它们代表了每个单元能够存储的比特数据,密度越来越高,容量越来越大,当然可靠性、寿命越来越低。

关键字: 闪存 NAND闪存 比特数据

(全球TMT2021年10月12日讯)嵌入式存储解决方案全球领导者SkyHigh Memory Limited将在其NAND闪存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB页面和2KB页面ML-3产品。全新的1...

关键字: SLC NAND闪存

(全球TMT2021年8月5日讯)面向物联网(IoT)、移动和汽车SoC的半导体IP提供商Arasan Chip Systems宣布立即提供符合开放Nand闪存接口(ONFI)5.0规范的N

关键字: NAND闪存

2019年9月2日,中国武汉,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”) 在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb T

关键字: 长江存储 NAND闪存 CK AC
关闭
关闭