东芝QLC闪存P/E寿命可达1500次，可轻松作出85TB容量的U.2硬盘

在本周的FMS 2018国际闪存会议上，三星、SK Hynix、美光、英特尔以及国内的紫光公司都展示了他们在存储芯片技术的新进展，QLC闪存可以说是这次FMS峰会的一个重点。东芝公司也在FMS 2018会议上公布了他们在96层堆栈BiCS 4闪存技术的情况，指出其QLC闪存在1500次P/E循环之后依然没有变化，凭借1.33Tb的核心容量，QLC闪存可以轻松作出85TB容量的U.2硬盘。

东芝公司96层堆栈的BiCS 4技术闪存之前我们也报道过，在这次的闪存峰会上，东芝公司又介绍了更多资料，还公布了新的高性能闪存XL-Flash，日本PCWatch网站做了报道，来看看他们分享的最新进展。

QLC闪存无疑是各大存储芯片公司今年下半年及未来几年的重点，QLC闪存的基础知识就不说了，其Cell单元中可以存储4bit数据，容量比MLC、TLC闪存更大，但是代价就是有16中电压变化，导致控制更加复杂，写入速度更低，而且寿命更低，也就是P/E循环更少。

在这个问题上，东芝提到他们的96层堆栈BiCS 4技术的QLC闪存在1500次P/E循环之后也没有看到明显的劣化迹象，这代表着QLC闪存的实际P/E寿命不止1500次，而早前美光/英特尔公布的QLC闪存P/E寿命是1000次，所以在寿命这个问题上，3D NAND时代的QLC闪存没什么好担心的，情况比TLC闪存刚问世时要好太多了。

QLC闪存带来的好处就是容量密度更大，东芝的QLC闪存核心容量可以做到1.33Tb，比业界其他公司高出33%，在M.2 22110规格上可以做到20TB容量，U.2规格的SSD硬盘可达85TB容量。

东芝之前就提到他们做出了单封装2.66TB的闪存，内部封装了16颗1.33Tb容量的NAND核心，总容量达到了2.66TB，BGA封装，尺寸14x18mm，152pin针脚。

96层堆栈的NAND闪存模型

除了容量更大的QLC闪存，东芝还推出了面向高性能的XL-Flash闪存，这种闪存延迟极低，主要面向企业级市场。

这个XL-Flash闪存实际上相当于一个使用SLC技术的3D NAND闪存，SLC/MLC/TLC闪存在结构上并没有太大区别，TLC闪存如何牺牲容量也可以按照SLC闪存的模式运行，东芝的XL-Flash闪存还需要在主控及外围电路上做些改变。

与TLC闪存相比，东芝的XL-Flash闪存读取延迟只有前者的1/10，与新一代非易失性存储芯片相比还有更好的并行性。

东芝的XL-Flash闪存主要用于企业级市场，它可以与QLC闪存相结合，替代目前的存储组合，比如DRAM+HDD，QLC闪存可以取代HDD存储部分，XL-Flash可以用廉价的成本取代DRAM内存部分，两者组合后平均延迟只有前者的一半。

QLC闪存虽然容量密度高于TLC闪存，不过数据读写性能上是不如TLC闪存的，这也是东芝推XL-Flash闪存的一部分原因，东芝希望延迟更低的XL-Flash闪存能够弥补QLC闪存性能下降带来的影响。