随着智能手机所支持的频段持续增加,如何在维持RF天线性能的同时不影响系统空间与功耗,已成为手机设计者的设计难点。更大尺寸的天线可以提供更大的带宽和更高的效率,传统上若是支持这么宽的频率需要非常大的尺寸,
在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。在80年代,IGBT面市,它仍然是一种电压控制
21ic讯 Holtek推出全新系列具RF发射功能低成本的MCU:BC48R2020,该IC为16NSOP封装,脚位兼容老产品HT48R01T3。BC48R2020符合工业上-40°C ~ 85°C工作温度与高抗噪声之性能要求。RF部份可支持300MHz ~ 450MHz
21ic讯 TDK公司近日发布了新款爱普科斯 (EPCOS)引线式RF扼流圈。该系列扼流圈被命名为 LBC+ ,其特点为电流承受能力大,组件的饱和电流可高达7700mA,额定电流可高达4450mA。与之前型号相比,其电流值提升了近80%。
数字信号处理电路(DSP)方框图
数字信号处理电路的功能
摘要:电流变流体(ERF)是一种新型智能物质,在高压电场作用下,能快速实现液一固的转变,且响应速度快。研究了圆盘式电流变传动机构的动态特性,并采用NI虚拟仪器对机构进行分析、检测和控制,通过实验得出数据,进而
摘要:介绍了TEMIC系列射频卡的一种读写器,它可以对ATMEL公司的TEMIC系列射频卡E5550、E5551和T5557进行读写。通过使用这个读写器,可以对上述射频卡进行块写、块读、规则法、工作模式设置、密码设置、取消密码和更
在军用和航空航天领域,不同且不兼容无线电的大量涌现构成了一个严重问题,因为在这些领域,工作小组可能需要不同的装置,以用于机载链路、卫星通信、中继基站、紧急发
多组卫星的GPS接收器测量灵敏度测量需要单一卫星激发,而有多项接收器测量需要可仿真多组卫星的单一测试激发。更进一步来说,如首次定位时间(TTFF)、定位精确度,与精确度降低(Dilution of precision)的测量作业,
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电
5G将带来截然不同的无线射频(RF)设计风貌。今年NIWeek活动中,各国产官学研皆与美商国家仪器(NI)合作,投入5G网路架构原型设计(Prototyping),为达到1GHz以上可用频宽及100Gbit/s传输速率等5G基本条件,初步技术共通
21ic讯 泰克公司日前宣布,推出针对Project 25 (P25)公共空中接口(CAI)阶段1 和阶段2 标准的经济型发射机一致性测试解决方案。新软件通过一键式测量按钮和自动通过/失败报告方便了RF测试工程师和安全机构的测量工作
1引言随着科技发展,极限条件下的试验测量已成为进一步认识大自然的重要手段,这些试验中往往测量的都是一些非常弱的物理量,比如弱磁、弱声、弱光、弱振动等,由于这些微弱的信号一般都是通过传感器进行电量转换,
摘要:RF2903是RF公司生产的高性能、高集成度超低价专用扩频接收芯片,它具有工作频段宽、工作电压低、配置灵活、适用范围广等特点,非常适合应用在DS-SS和FH-SS无线通信产品的设计领域。文中介绍了RF2903的主要特点
您是一个寻求在无需交错或移除令人头痛的信号伪像的前提下,提升系统性能的FPGA或雷达、无线基础设施和仪器仪表设计师吗?在高速转换中,分辨率或采样速率很重要,但它们并非
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的
着眼于未来先进长程演进计划(LTE-Advanced)世代,射频前端(RF Front-end)的角色将愈来愈重要,高通(Qualcomm)继推出RF360射频前端产品系列方案后,近期再度出手购并互补式金属氧化物半导体 (CMOS)功率放大器(PA)供应
大客户承载一直是运营商的主要业务收入来源,做好大客户接入、承载可以保障运营商持续稳定的获取收益,并在ICT市场站稳脚跟;大客户需求现状与运营商建设目标:移动互联网时代,终端的丰富、云业务的进一步延伸、视频
随着科技发展,极限条件下的试验测量已成为进一步认识大自然的重要手段,这些试验中往往测量的都是一些非常弱的物理量,比如弱磁、弱声、弱光、弱振动等,由于这些微弱的信号一般都是通过传感器进行电量转换,使待测的弱信号转换成电信号。