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回顾2010年分销业收购那些事儿
2010年已是尾声，这一年分销市场跌宕起伏，上半年纠结在市场需求井喷与缺货交期延长之间，下半年逐步踏回正轨。与中国繁荣的电子产业相呼应，分销商的表现总体紧随大势，创造了五年来最大的行业平均增长—&mdas
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高性能RF检波器ADL5511（ADI）
Analog Devices, Inc. (ADI)，最新推出一款高度集成的高性能 RF 检波器 ADL5511，它适合无线、仪器仪表、防务和其它宽带应用。ADI 公司的这一新款 TruPwr 均方根和包络检波器（以 RF 信号为输入并提供信号包络作为输
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2011半导体设备业的十大预测
2011年全球半导体设备业中会发生什么？以下是巴克莱Capital的著名分析师CJ Muse收集各种报告后的汇总如下：1.Fab tool upturn?半导体设备业仍是增长 会看到2011年半导体设备业的投资可能持平，或者有5-10％之间的
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全球首批TD-LTE RF测试用例在R&S公司取得GCF认证
2010年12月14至15日在英国Bracknell举行的一致性认证特别会议上， GCF（全球认证论坛） 批准了首批TD-LTE终端射频测试用例，这些测试用例是在罗德与施瓦茨公司（R&S公司）的TS8980终端射频一致性测试系统上取得认证测
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回顾2010年分销业收购那些事儿
2010年已是尾声，这一年分销市场跌宕起伏，上半年纠结在市场需求井喷与缺货交期延长之间，下半年逐步踏回正轨。与中国繁荣的电子产业相呼应，分销商的表现总体紧随大势，创造了五年来最大的行业平均增长—&mdas
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大规模RF集成可减少手机线路板面积和功耗
如今的无线设备中，线路板上一半以上的元件都是模拟RF器件，因此要缩小线路板面积和功耗一个有效方法就是进行更大规模RF集成，并向系统级芯片方向发展。本文介绍RF集成发展现状，并对其中一些问题提出应对方法和解决
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大规模RF集成可减少手机线路板面积和功耗
如今的无线设备中，线路板上一半以上的元件都是模拟RF器件，因此要缩小线路板面积和功耗一个有效方法就是进行更大规模RF集成，并向系统级芯片方向发展。本文介绍RF集成发展现状，并对其中一些问题提出应对方法和解决
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利用ADL5902 TruPwr 检波器来测量RF信号
电路功能与优势 该电路使用 ADL5902 TruPwr 检波器测量RF信号的均方根信号强度，信号波峰因素(峰值均值比)在约65 dB的动态范围内变化，工作频率为50 MHz至9 GHz。 测量结果在12位ADC(AD7466)输出端以串行数据
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利用MEMS技术实现移动电话射频设计
如果一款移动电话设计要能实现未来用户所期望的各项广泛服务，创造性思维是不可或缺的；而许多产业观察者认为，微机电系统(MEMS)将是实现这种设计的下一波技术。事实上，MEMS元件的推出已证实了其在大量消费性市场应
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利用MEMS技术实现移动电话射频设计
如果一款移动电话设计要能实现未来用户所期望的各项广泛服务，创造性思维是不可或缺的；而许多产业观察者认为，微机电系统(MEMS)将是实现这种设计的下一波技术。 事实上，MEMS元件的推出已证实了其在大量消
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利用MEMS技术实现移动电话射频设计
如果一款移动电话设计要能实现未来用户所期望的各项广泛服务，创造性思维是不可或缺的；而许多产业观察者认为，微机电系统(MEMS)将是实现这种设计的下一波技术。事实上，MEMS元件的推出已证实了其在大量消费性市场应
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2010年全球空调市场重点地区扫描
俄罗斯 和2009年相同，2010年俄罗斯的经济环境并没有出现明显的复苏迹象，建筑总量甚至比前一年有所下降。虽然经济仍未明显好转，但由于卢布兑美元汇率持续走强，进口产品变得更加便宜，使得俄罗斯消费市场有一
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车载逆变器的电路原理及维修
一 市场上常见款式车载逆变器产品的主要指标 输入电压：DC 10V～14.5V；输出电压：AC 200V～220V±10％；输出频率：50Hz±5％；输出功率：70W ～150W；转换效率：大于85％；逆变工作频率：
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透过SiP整合打造智能生活无缝沟通新型态
受访人：王庆善，钜景科技股份有限公司总经理 从 2010年初Apple推出iPad后，平板电脑创新了上网体验，接着Google和Apple相继推出连网电视，希望打造更丰富的内容分享方式。网络在历经十年的分工分享进化后，将再掀
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英国运营商和黄3推出手机上网不限流量服务
12月15日消息，英国移动运营商3 U.K.周二表示，公司将从周三开始提出手机上网包月不限流量服务；这不同于当前市场手机上网按数据流量计费的做法。对于3 U.K.的这个决定，分析师们各持不同看法。部分人士表示，这将导
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基于MRF24J40的IEEE802.15.4无线收发器电路设计
1 IEEE802.15.4收发器芯片MRF24J40 IEEE802.15.4 无线收发器MRF24J40芯片内部包含有SPI接口、控制寄存器、MAC模块、PHY驱动器四个主要的功能模块，支持 IEEE802.15.4，MiWiTM，ZigBee等协议，工作在2.405～2.48
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30V DirectFET MOSFET芯片组（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组，特别为注重成本的19V输入同步降压应用 (如笔记本电脑) 而设计。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元
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30V DirectFET MOSFET芯片组（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组，特别为注重成本的19V输入同步降压应用 (如笔记本电脑) 而设计。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元
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设备商出新招 半导体制造成本再下探
甫于日前落幕的日本半导体设备暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括应用材料(Applied Materials)与艾司摩尔(ASML)等设备大厂分别宣布，在半导体蚀刻(Etch)与微影(Lithography)制造技术上取得新的突破，将可大幅提升
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基于单个功放的双频段RF前端设计
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构，使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能。同时将此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块，组成GSM/DCS双频段射频前端模块，其中射频开关采用高隔离开关设计，使得谐波满足通信系统要求。本文设计的GSM/DCS双频段射频前端模块，在GSM发射模式下，模块天线端输出功率为33dBm，效率38%，谐波抑制-33dBm以下；DCS发射模式下，模块天线端输出功率为30dBm,效率30%，谐波抑制-33dBm以下。
