DDR3

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DDR4内存标准关键属性大公开：电压仅1.2V

JEDEC固态技术协会日前公布了DDR4内存标准中的部分关键属性，并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范，相比于DDR3取得重大性能提升，同时继续降低功耗。 JEDEC固态技术协会宣称，DDR4将具备一系列创新特性

智能硬件
2011-08-24

电压内存 DDR4 DDR3
澜起科技寄存缓冲器芯片获Intel认证

存储缓冲器厂商澜起科技近日宣布，其新一代DDR3寄存缓冲器通过了Intel的官方认证，完全支持Intel将于今年第三季推出的新款服务器平台Romley-EP。至此，澜起的DDR3寄存缓冲器已全面通过Intel现有平台Westmere-EP和下一

消费电子
2011-08-17

Intel 芯片缓冲器 DDR3
DDR3仍将是主流DRAM技术

据IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于

智能硬件
2011-07-22

DRAM PC 内存 DDR3
合约价跌跌不休 DRAM厂恐启动减产机制

目前各DRAM厂虽无积极扩产，不过在加速制程转换下，使得产出量大为提升，而随着2Gb价格来到现金成本，大部分DRAM厂财务状况与现金水位都尚未回复至金融风暴前的水平，以及下半年PC内存搭载未显著提升、加上全球经济衰

模拟
2011-07-15

DRAM GB 内存 DDR3
DRAM报价直落尔必达逆势大举募资

DRAM产业产品价格一再破底，但DRAM厂募资脚步却从未停歇，像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱，尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约新台币179亿元)新股和近300亿日圆的可转债，决定大举投入30纳米和25纳

消费电子
2011-07-13

DRAM 存储器尔必达 DDR3
本土华芯半导体下半年将推出1Gb/2Gb DDR3

位于山东济南的华芯半导体是2008年刚成立的专业DRAM供应商，目前可提供1Gb和2Gb DDR2，以及1/2/4/8GB DDR2模块，产品已批量应用于浪潮服务器、浪潮高端容错计算机、基于龙芯CPU的龙梦一体电脑和刀片服务器、浪潮数字

消费电子
2011-07-05

半导体平板电脑 GB DDR3
尔必达样品供货采用8Gbit DDR3 SDRAM

尔必达存储器宣布，开始样品供货采用TSV（Through Silicon Via，硅贯通孔）技术积层4个2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1个接口芯片的单封装DDR3 SDRAM。尔必达表示采用TSV技术实现32bit的输入输出“在全球尚属首次”。据尔必

消费电子
2011-06-30

尔必达 SDRAM GB DDR3
未来三年DDR3仍将是主流DRAM技术

DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。 2011 年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于去年的67%和2009年的24

消费电子
2011-06-30

DRAM PC 内存 DDR3
未来三年DDR3仍将是主流DRAM技术

据IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于去

模拟
2011-06-30

DRAM PC 内存 DDR3
尔必达宣布开始销售采用TSV技术制作的DDR3 DRAM样品芯片

日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术（TSV）制作的DDR3SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相当1GB容量），该

模拟
2011-06-29

DRAM 芯片尔必达 DDR3
尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片

日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量)，该三

电子设计自动化
2011-06-29

DRAM 芯片尔必达 DDR3
2011年和近期内，DDR3仍将是主流DRAM技术

据IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于

智能硬件
2011-06-23

DRAM PC 内存 DDR3
惠瑞捷高速记忆体平台镇获韩国客户采用

半导体测试公司惠瑞捷（Verigy）22日宣布，其V93000高速记忆体（HSM）平台获得韩国客户的新款GDDR5量产测试业务。惠瑞捷表示，V93000 HSM6800是一款运行速度超过每接脚4Gbps GDDR5，超快图像记忆体元件提供服务的

模拟
2011-06-23

自动测试设备 CRC GBPS DDR3
面向高端市场：三星量产30nm制程内存

韩国三星公司近日宣布将开始量产基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的32GB内存条，这款内存条产品将主要面向云计算以及高档服务器应用。相比之前的40nm制程4GbDDR3产品,三星30nm制程4GbDDR3内存芯片的产出量可提升大约

模拟
2011-06-02

三星 GB 内存 DDR3
iSuppli研究报告称今年DRAM市场将维持连续2年双位数成长

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。该项报告指出，全球DRAM模块的整体出货量，预估今年

模拟
2011-05-31

DRAM AC ISUPPLI DDR3
DRAM价格终升破1美元关卡

2010年底以来，跌落到1美元以下的DRAM价格，终恢复到1美元线上。DRAM代表性产品DDR3 1Gb 128Mx8 1066MHz，在2010年5月写下2.72美元最高纪录后，9月后半跌至2美元、12月后半跌破1美元等，价格急速下滑，进入2011年后

智能硬件
2011-05-13

DRAM HZ MX DDR3
IDT 推出 DDR3 内存模块温度传感器

21ic讯 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出针对 DDR2 和 DDR3 内存模块、固态硬盘 (SSD) 和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了 IDT 的 PCI Express®、信号

工业控制
2011-05-11

温度传感器内存模块 IDT DDR3
DRAM价跌，茂德9月营收月减7.6%

因DRAM价格下滑，茂德(5387)9月营收22.25亿元，自8月的近两年新高24.07亿下滑7.6%，仍为今年单月第三高，也比去年同期成长119.54%。今年前9月营收为176.31亿元，比去年同期成长163.22%。 DRAM价格走跌，中止茂德营

显示光电
2011-04-20

DRAM 尔必达 GB DDR3
DRAM价格攀升厂商产能转往Flash及DDR3

根据DRAMeXchange调查，四月上旬DDR3合约价再度呈现价格上扬的趋势，DDR32GB均价自17美元上涨至18美元(2Gb$2.03)，涨幅约5.88%，DDR34GB均价亦上涨至35美元(2Gb$2.03)，涨幅约在6.1%，从市场面来观察，由于日本东北

智能硬件
2011-04-14

DRAM Flash 硅晶圆 DDR3
DDR测试技术和工具是否跟上了时代步伐？

DDR是双倍数据速率的SDRAM内存，如今大多数计算机系统、服务器产品的主流存储器技术，并且不断向嵌入式系统应用领域渗透。孰不知，随着iPhone等大牌智能手机的采纳，DDR内存俨然成为智能手机转变的方向之一，例如韩国

测试测量
2011-04-02

测试技术时序 DDR DDR3

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DDR3

DDR4内存标准关键属性大公开：电压仅1.2V

澜起科技寄存缓冲器芯片获Intel认证

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未来三年DDR3仍将是主流DRAM技术

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