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积极物色代工厂普瑞明年量产矽基氮化镓LED

普瑞光电(Bridgelux)正与全球半导体大厂洽谈代工生产矽基氮化镓(GaN-on-Silicon,简称GaN-on-Si)发光二极体(LED)细节，预定2013年初导入量产。普瑞光电行销副总裁JasonPosselt表示，继八吋晶圆厂后，普瑞光电下一步寻

显示光电
2012-03-25

LED 氮化镓基板 GAN
硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在

数字电源
2012-03-24

晶片温度 LED GAN
Google+ 更新带来相册管理（Organizer）功能，让你可以批次删除、排序相簿照片

还有在用 Google+ 的朋友们（默）应该会对此消息感到兴奋 -- 他们打算把比较好用的相片管理接口放进这个社群网站中了（毕竟... Google 不是有自己的相册吗？）。根据相册开发工程师 Isaac Sparrow 尽责地在 Google+

充电吧
2012-03-16

开发工程师 GOOGLE ORGANIZER GAN
利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

显示光电
2012-03-14

PS LED 基板 GAN
阿曼Nawras演示LTE网络领先竞争对手

北京时间3月13日早间消息（蒋均牧）阿曼Nawras日前进行了第一次LTE网络公开演示，以LTE和全光网部署了马斯喀特大商场（Muscat Grand Mall）。Nawras首席技术官沃尔夫冈·维姆霍夫（Wolfgang Wemhoff）表示：&

通信技术
2012-03-13

电信 LTE网络 WIMAX GAN
SiC/GaN功率半导体面临测试新挑战

半导体材料最近引来不少关注。在功率半导体领域，硅对于设备生产商的运行性能已经逼近极限。功率半导体用户需要更高效的、切换时损失电力不那么多的设备。因此功率半导体厂商开始转向替代材料，更具体地说是碳化硅

模拟
2012-03-13

功率半导体示波器 SIC GAN
利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

数字电源
2012-03-12

PS LED 基板 GAN
3D活体器官生物打印机在美成功发明

据国外媒体报道，器官移植拯救了很多人的生命，但这项技术也存在器官来源不足、排异反应难以避免等弊端。不过，随着未来“生物打印机”的问世，这些问题将迎刃而解。或许，医生有朝一日可以“按需打印

医疗电子
2012-03-09

打印机 3D模型 GAN
PLD技术在功能薄膜材料研究中的应用

薄膜材料已在半导体材料、超导材料、生物材料、微电子元件等方面得到广泛应用。为了得到高质量的薄膜材料，脉冲激光沉积技术受到了广泛的关注。本文介绍了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理及特点，分析了脉冲激光沉积

电子设计自动化
2012-03-07

薄膜温度 PLD GAN
日LED大厂告璨圆侵权

日本LED大厂丰田合成（ToyodaGosei）上周五向桃园地方法院针对璨圆提出侵权控告，主张璨圆所生制的氮化镓（GaN）系列LED侵害两件发明专利权，璨圆昨（28）日公告，尚未收到任何法院文件，已委请专利律师因应法律程序

显示光电
2012-03-01

丰田专利侵权 LED GAN
白色LED发展史（一）：独家垄断崩溃，迎来竞争时代

白色LED是液晶电视及手机等配备的液晶显示器不可缺少的背照灯光源。最近，LED作为照明器具光源受到的关注越来越高。由蓝色LED与萤光体组合而成、并在今天获得广泛市场的白色LED问世于1996年。最初是作为实现手机液晶

显示光电
2012-02-24

电子 LED GAN
传三菱化学10月量产LED用GaN衬底耗电可降70%

据日经新闻23日报导，三菱化学(Mitsubishi Chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于LED的氮化镓(GaN)衬底，因其电光转换率高(将电力转换成光的效率)，故搭载该GaN衬底的LED照明的耗电力可较现行产品删减50-70%。

消费电子
2012-02-24

电力 CHEMICAL LED GAN
南昌大学LED照明项目获国家“863计划”重点支持

近日，科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单，全国共有14项课题获得立项，其中南昌大学申报的“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯

消费电子
2012-02-20

新材料 LED芯片 LED照明 GAN
俄指其市场的中国LED等节能灯产品“鱼目混珠”

俄媒近日指出，欧洲三分之二以上节能灯从中国进口，目前中国制造的萤光和LED等节能灯产品在俄已占到60%的市场份额。俄OPTOGAN公司总裁列夫称，中国制造的节能灯产品最大的问题是品质低劣，不符合相关技术标准和环保要

显示光电
2012-02-20

中国制造 LED GAN
Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16灯

Soraa是世界领先的氮化镓开发商，开发了世界上第一个商业氮化镓LED产品。Soraa成立于2008年，创办人之一的中村修二拥有“蓝光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗舰产品——被称为LED2.0技术的LED照明产品

显示光电
2012-02-16

LEDS MR16 氮化镓 GAN
俄媒指出中国大量伪劣节能灯充斥其市场

2月14日俄媒体报导，中国节能灯产业发展突飞猛进，2001年至2006年间，以年均48%的速度递增。中国制造的各类节能灯在世界各地销售市场随处可见。其中欧洲三分之二以上的节能灯从中国进口。俄OPTOGAN公司总裁列夫称

显示光电
2012-02-15

中国制造 LED GAN
中科半导体扩产LED芯片年销售额冲刺10亿元人民币

扬州中科半导体照明有限公司是一家专业从事蓝光GaN-LED高端外延片及芯片研发、生产、销售的高科技企业，根据专案规划，该企业总产能为年产240万张外延及芯片。今年，新增50台MOCVD将全部达产，进入大陆同行业前五，

显示光电
2012-02-14

半导体芯片 LED芯片 GAN
南昌大学LED照明项目获国家“863计划”重点支持

近日，科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单，全国共有14项课题获

电源-LED驱动
2012-02-13

LED芯片 LED照明 GAN
江西LED照明专案获政府资助超5000万元人民币

2月9日，江西省科技厅透露，江西省“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元人民币，居全国14项课题之首，占该重大专项总金额的21.6%。近日，

显示光电
2012-02-10

封装技术 LED芯片 LED照明 GAN
德州仪器栅极驱动器进一步壮大GaN FET 驱动器 IC 产品阵营

高灵活低侧栅极驱动器带来高效率与高电源密度日前，德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。 LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转

功率器件
2012-02-07

栅极驱动器 FET GAN

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积极物色代工厂普瑞明年量产矽基氮化镓LED

硅上GaN LED分析

Google+ 更新带来相册管理（Organizer）功能，让你可以批次删除、排序相簿照片

利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

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SiC/GaN功率半导体面临测试新挑战

利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

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