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AZZURRO实现150mm(6吋)晶圆GaN-on-Si制造可显著降低LED成本

AZZURRO半导体成立于2003年，具有专利的大直径矽基板氮化镓(GaN-on-Si)技术，该技术源自德国Magdeburg大学，在2010年10月获得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家创投业者共1,500万欧元的资金投入

模拟
2011-06-16

GAN LED 晶圆基板
中兴希望印度缓行电信设备本土制造政策

北京时间6月3日午间消息（张月红）对于印度对通信和IT业都鼓励电信设备本土化生产的政策，中兴通讯表示，希望印度政府放宽时间，留给厂商足够的时间启动生产运营。中兴印度公司首席执行官崔良军表示，印度是中兴的战

通信技术
2011-06-03

中兴电信设备 GAN
IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器件

欧洲研究机构IMEC与其合作伙伴最近成功在200mm规格硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层，双方目前正合作研究基于氮化镓材料的HEMT（High electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管）异质结构晶体管

模拟
2011-05-27

器件硅晶圆 MT GAN
思杰任命思科和Sun前高管为副总裁

新浪科技讯北京时间5月19日晚间消息，思杰系统(Citrix Systems)日前宣布，任命西蒙·海耶斯(Simon Hayes)为公司战略联盟副总裁，任命乔·凯勒(Joe Keller)为公司联盟及社区营销副总裁。海耶斯曾在思科任职14年

消费电子
2011-05-20

思科 SYSTEMS TECHNOLOGY GAN
LED外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激

显示光电
2011-05-11

CMOS SIC GAN LED
LED外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激

数字电源
2011-05-09

电极 SIC GAN LED
日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

　日本田村制作所与光波公司日前宣布，开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件，开发的LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比，每单位面积可流过10倍以上的电流。　　外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发

显示光电
2011-04-19

元件 GAN LED 基板
华延芯光鄂尔多斯30台MOCVD项目即将开工建设

蒙西LED光电产业集群区将计划于4月18日在鄂尔多斯新能源产业示范区新兴产业园区举行奠基庆典。按照此前的项目环评公示，其中LED外延、芯片项目建设年限为2011-2013年，项目建设规模为年产3英寸GaN-LED外延片720万片。

消费电子
2011-04-18

LED封装 SMD 白光LED GAN
日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

　日本田村制作所与光波公司日前宣布，开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件，开发的LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比，每单位面积可流过10倍以上的电流。　　外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发

电源-LED驱动
2011-04-17

元件 GAN LED 基板
两岸合资LED项目“开发晶”年底开工

从“2011中国(厦门)LED室内照明产业技术发展论坛”上获悉，两岸合资LED项目“开发晶”，将于2011年底开工建设，比原计划2012的6月提前半年动工。厦门开发晶照明公司由LED芯片商台湾晶元光电、长

电子设计自动化
2011-04-13

室内照明 LED芯片 GAN LED
穆迪下调诺基亚信用等级因市场地位下降

4月8日消息，据国外媒体报道，穆迪公司下调了诺基亚的信用等级，主要原因是诺基亚的市场地位下降和向微软Windows Phone软件过渡的不确定性。穆迪周四称，它将诺基亚的信用等级从以前的A2下调到A3。穆迪还把诺基亚的短

通信技术
2011-04-08

诺基亚 PHONE PRIME GAN
GLOBALFOUNDRIES参加IMEC研发项目，将开发22nm CMOS及GaN on Si技术

比利时IMEC宣布，美国GLOBALFOUNDRIES公司将参加该研究所的研发项目。发布资料显示，GLOBALFOUNDRIES已在有关（1）22nm节点制程CMOS技术、（2）硅（Si）上氮化镓（GaN）技术（GaN on Si技术）的战略性长期合作协议上

模拟
2011-04-07

元件 CMOS GLOBALFOUNDRIES GAN
GlobalFoundries和imec共同研发22nm节点以下CMOS技术

全球领先的半导体代工厂商之一GlobalFoundries与纳电子研发中心imec签署了一项长期的战略合作协议，共同研发22nm节点以下CMOS技术以及GaN-on-Si技术。

电子设计自动化
2011-04-06

节点 CMOS GLOBALFOUNDRIES GAN
乌干达政府接管由利比亚控股的乌干达电信

北京时间3月30日上午消息（张月红）乌干达信息与通信技术部长周二表示，乌干达政府已经接管了近日陷入困境的，由利比亚执股的乌干达电信。信息与通信技术部长Aggry Awori在电话采访中表示，乌干达政府作为监管机构，

通信技术
2011-03-30

电信通信技术 MT GAN
硅基GaN担当下一阶段LED成本下降的重任

近日，韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc K465i MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。对此，Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J. Miller表示：“Veeco被选中作为三星SAIT研

电子设计自动化
2011-03-29

硅基 BRIDGE GAN LED
硅衬底GaN有望成为降成本重要途径之一

近日，韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc ?K465i?MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。对此，Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J.Miller表示：“Veeco被选中作为三星SAIT

单片机
2011-03-29

三星 BRIDGE GAN 基板
EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

模拟
2011-03-16

器件 FET EPC GAN
普瑞光电推出新型氮化镓硅衬底LED制造技术

普瑞光电（Bridgelux）是一家美国LED照明的开发商与制造商，该公司近日宣布，他们已经成功实现了最新的基于硅衬底的LED制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。该公司相关负

显示光电
2011-03-15

光电氮化镓 GAN LED
EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

功率器件
2011-03-14

器件 FET EPC GAN
EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

电源-LED驱动
2011-03-14

器件 FET EPC GAN

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南京烙印技术
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LED外延片介绍及辨别质量方法

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两岸合资LED项目“开发晶”年底开工

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GLOBALFOUNDRIES参加IMEC研发项目，将开发22nm CMOS及GaN on Si技术

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硅基GaN担当下一阶段LED成本下降的重任

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EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

普瑞光电推出新型氮化镓硅衬底LED制造技术

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