紫色(402 nm)半导体激光器实现业界顶级(*1)光输出功率4.5 W(较本公司现有产品提升1.5倍)

时间：2026-04-15 17:14:42

关键字：半导体激光器人工智能

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[导读]扩充面向先进半导体封装的无掩模曝光用光源产品线

日本京都，2026年4月15 日 - 新唐科技(以下简称"本公司")将开始量产在直径9.0 mm的CAN封装(TO-9)[1]中实现业界顶级水平(*1)光输出功率的"高输出功率4.5 W 紫色(402 nm)半导体激光器[2]"。本产品通过本公司独有的器件结构及散热设计技术,实现了相比传统产品(*2)1.5倍的光功率(402 nm, 3.0 W)输出,有助于提升无掩模曝光装置[3]等光学设备的生产通量。此外,随着该产品的推出，进一步加强了本公司在先进半导体封装[4]领域针对其多元化感光材料[5]的应用能力和范围。

(*1) 截至2026年4月15基于我们对波长为402 nm、TO-9 CAN封装、在25°C壳温(Tc)下连续波(CW)运行的半导体激光器的研究。

(*2) 本公司原有产品 KLC432FL01WW (402nm, 3.0W, TO-9 CAN封装)

【本公司新产品的特点】

1. 在紫色(402 nm)波段实现4.5W高输出功率,较我公司传统产品提升1.5倍,有助于提高无掩模曝光设备等光学装置的生产效率

2. 扩充面向先进半导体封装的无掩模曝光用光源产品阵容,支持多种主流感光材料

3. 扩充了水银灯替代解决方案[6]的产品阵容,为光源选型提供了新的选择

・产品详情请访问URL: https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0273

1. 在紫色(402nm)波段实现了4.5 W的高输出功率,相比本公司传统产品提升1.5倍,有助于提高无掩模曝光装置等光学设备的生产效率

紫色(402 nm)半导体激光器由于光电转换效率[7]相对较低、自身发热量大,加之容易发生短波长光引起的器件劣化,因此在高输出功率区域难以实现稳定运行。因此,本公司将2026年1月发布的新产品"高输出1.0W 紫外(379 nm)半导体激光器[8]"中采用的"提高光电转换效率的器件结构"和"高效散热的高散热封装技术",也应用到了紫光(402 nm)波段。特别是,通过采用抑制激光端面劣化因素的独有保护膜技术,提高了高输出功率工作时的寿命性能,同时封装采用了高散热材料的一体成型结构,提升了散热性能。因此,我们成功开发了与本公司传统产品相比光输出提升1.5倍、实现"高输出功率(3.0 W)"与"可靠性"兼备的"高功率4.5W 紫色(402 nm)半导体激光器"。该产品将为要求高品质的产业用途光学装置的生产通量提升做出贡献。

2. 扩充面向先进半导体封装的无掩模曝光光源产品线,支持多种主流光刻胶材料

本产品在以AI(人工智能)等需求扩大为背景、市场快速增长的先进半导体封装领域的无掩模曝光技术中,将发挥巨大作用。在先进半导体封装的电路形成过程中,基于设计数据直接绘制电路的无掩模曝光技术,除了能够降低成本和缩短开发周期外,还可以根据基板的翘曲和变形进行高精度的绘制校正,因此近年来备受关注。在该无掩模曝光技术中,作为主要光源之一的半导体激光器,为了对应主要的感光材料,除了需要对应接近汞灯发光谱线i线(365 nm)和h线(405 nm)的波长外,还要求实现高输出功率化以提升设备的生产通量。此次,本公司在2026年1月发布的支持i线的"高功率1.0 W 紫外(379 nm)半导体激光器"新产品基础上,增加了支持h线的本产品,作为面向先进半导体封装的无掩模曝光用光源。由此,本公司能够全面提供支持多种主要感光材料、且有助于提升设备生产通量的激光光源。

3. 扩充汞灯替代解决方案产品阵容,为光源选型提供全新选择

本产品是我公司"半导体激光器替代汞灯"产品阵容的新成员。汞灯的特征谱线h线(405nm)广泛应用于光固化、3D打印、传感、生物医疗、标记等领域,本产品作为这些应用的替代光源,为客户提供了新的选择。此外,通过发挥本产品的高功率输出性能这一特点,还将有助于实现以往难以达成的工艺高效化,以及创造新的光应用。