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在电子设备高频化、集成化趋势下,电磁兼容(EMC)与电磁干扰(EMI)问题愈发突出,直接影响设备稳定性与合规性。共模电感与差模电感作为EMI滤波的核心元件,分别针对不同类型干扰发挥抑制作用,其科学选型是保障电路电磁性能的关键。本文将从干扰抑制原理出发,系统梳理两类电感的选型逻辑、核心参数及实践要点。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子系统的核心开关器件,广泛应用于工业变频、新能源发电、轨道交通等领域。在实际运行中,过流引发的芯片烧毁是最常见的失效模式之一,而烧点位置的差异往往对应着不同的失效机理。其中,芯片正中心出现烧点的现象在三相全桥等大功率应用场景中尤为典型,其形成并非单一因素导致,而是电流分布、热传导、封装结构及保护机制等多因素协同作用的结果。本文将深入剖析IGBT过流时芯片正中心产生烧点的具体工况与内在机理,为失效诊断与系统优化提供参考。
在电力电子器件的驱动系统中,米勒钳位是保障器件稳定工作的关键技术之一,尤其在碳化硅(SiC)MOSFET的应用场景中,其必要性愈发凸显。随着新能源汽车、光伏发电、储能等领域对高效、高频电力转换系统需求的提升,碳化硅MOSFET以其高击穿电压、低导通损耗、快开关速度等优势成为核心器件。但与此同时,其独特的器件特性也带来了新的驱动挑战,米勒钳位正是应对这些挑战的核心解决方案。本文将从米勒钳位的基本定义与工作原理入手,深入剖析碳化硅MOSFET的特性痛点,进而阐明为何这类器件特别需要米勒钳位技术。
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