应用

氮化镓（GaN）器件在低纹波电源中的应用，高频开关与低反向恢复损耗的协同优势

在低纹波电源设计领域，氮化镓(GaN)器件正以独特的材料特性重塑技术边界。其核心优势源于高频开关能力与零反向恢复损耗的协同效应，这一组合不仅突破了传统硅基器件的物理极限，更在电源效率、体积优化及信号纯净度方面展现出革命性突破。

高频氮化镓（GaN）在65W快充中的选型实践，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02的对比分析

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，凭借高频、低损耗、高功率密度的特性，已成为65W快充电源的核心器件。在器件选型中，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02是两款典型代表，前者为高集成度合封芯片，后者为分立式功率器件。本文从器件特性、应用场景、系统设计三个维度展开对比分析，为工程师提供选型参考。

掩码重建：自监督学习中的特征学习范式与视觉任务革新(二)

Cityscapes 语义分割：城市街景理解的基准与技术演进(三)

平面变压器在AC-DC模块中的优势解析：高频损耗、寄生电容与散热结构的优化路径

AC-DC电源模块向高频化、小型化演进，传统绕线式变压器因体积大、寄生参数高、散热效率低等缺陷，逐渐成为制约功率密度提升的瓶颈。平面变压器凭借其独特的层叠式结构与高频适配性，在400kHz以上频段展现出显著优势。本文从高频损耗抑制、寄生电容优化、散热结构创新三个维度，解析平面变压器在AC-DC模块中的技术突破路径。

压敏电阻（MOV）的选型误区，通流容量、残压与老化特性的动态测试方法

在电子设备的过压保护体系中，压敏电阻(Metal Oxide Varistor, MOV)如同电路的“安全气囊”，其性能直接决定设备在雷击、静电、开关浪涌等瞬态高压下的生存能力。然而，实际应用中，工程师常因对核心参数理解偏差、测试方法不严谨，导致选型失误或性能误判。本文将深度解析压敏电阻选型中的三大误区，并揭示通流容量、残压与老化特性的动态测试方法。

物理基础：非易失性存储器(NVM)芯片烧录

芯片烧录(也称为编程或烧写)的本质是将编译后的机器码程序和配置信息通过特定协议写入芯片内部的非易失性存储器(通常是Flash或OTP存储器)的过程。

‌提高容量与功率密度‌后，锂离子电池的未来发展方向在哪里？

‌锂离子电池的未来发展方向主要包括提高容量与功率密度、降低成本、保持并提高安全性，以及技术创新和市场竞争格局的变化。‌

车载主机的高频调谐器最基本的功能

调谐器是某些车载主机所具有的FM/AM调谐器或TV调谐器，具有这些调谐器的车载主机也就具有了FM/AM收音或电视接收功能。

光电耦合器布线工艺优化：提升信号完整性的实操指南

在高速数字电路与精密模拟系统中，光电耦合器作为电气隔离的核心元件，其布线质量直接影响信号完整性。本文结合工程实践与前沿技术，从布局规划、阻抗控制、干扰抑制三个维度，系统阐述光电耦合器布线工艺的优化策略。