• 反激式开关电源反馈环路稳定性调试实操指南

    在反激式开关电源设计中，反馈环路的稳定性直接决定了输出电压的精度、动态响应及系统可靠性。然而，环路调试涉及控制理论、电路拓扑和器件特性的综合应用，常成为工程师的难点。本文从工程实践角度出发，系统梳理反馈环路稳定性调试的关键步骤与实操技巧。

    电源
    2025-09-22
    开关电源 反激式开关电源

  • 碳化硅二极管在PFC升压整流中的高频效率提升方法

    在电力电子技术向高频化、高功率密度发展的趋势下，功率因数校正（PFC）电路的效率瓶颈逐渐聚焦于升压整流环节。传统硅基超快恢复二极管（FRD）因反向恢复损耗大、EMI噪声高等问题，已难以满足高频应用需求。碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）凭借其独特的材料特性，成为突破这一瓶颈的关键器件。本文将从器件特性、损耗机制及工程应用三个维度，系统阐述碳化硅二极管在高频PFC中的效率提升方法。

    电源
    2025-09-22
    碳化硅二极管 PFC

  • 基于LM339的开关电源过压/欠压/过热综合保护电路设计

    在电力电子设备高度依赖可靠电源的今天，开关电源的综合保护设计已成为保障系统稳定运行的核心技术。基于LM339四电压比较器的综合保护方案，凭借其高集成度、低成本和快速响应特性，成为中小功率开关电源保护电路的主流选择。本文将系统解析该方案在过压、欠压及过热保护中的创新应用。

    电源
    2025-09-22
    LM339 开关电源

  • 开关电源EMI设计实战：差模/共模干扰抑制的PCB布局优化技巧

    在开关电源设计中，电磁干扰（EMI）问题始终是工程师必须攻克的核心挑战。差模干扰与共模干扰作为两大主要干扰类型，其抑制效果直接决定了产品能否通过CISPR32、CISPR25等国际电磁兼容标准。本文将结合高频PCB设计理论与实战案例，系统阐述基于PCB布局的差模/共模干扰抑制策略。

    电源
    2025-09-22
    PCB EMI 开关电源

  • PCB 过孔孔径大小对通流能力的影响及优化策略

    在印制电路板(PCB)设计中，过孔作为实现不同层间电气连接的关键结构，其性能直接决定了整个电路的可靠性与稳定性。其中，过孔孔径大小不仅影响 PCB 的空间利用率和制造成本，更对电流传输能力(通流能力)产生显著影响。本文将从过孔的结构原理出发，系统分析孔径大小与通流能力的内在关联，结合实际应用场景提供选型建议，为 PCB 设计工程师提供技术参考。

    电子设计自动化
    2025-09-22
    印制电路板 过孔 通流能力

  • 国产边缘 AI 芯片：谁将掌控万物智能的 “最后一厘米”?

    就在所有人将目光聚焦于云端 AI 军备竞赛时，一场决定中国智能未来的关键战役，正在我们触手可及的边缘地带悄然打响。你的手机、家里的摄像头 、工厂的机器人 、街上的自动驾驶汽车 —— 这些设备的 “大脑” 正成为科技巨头们争夺的新焦点。没有庞大的数据中心支持，它们必须在最后一厘米的距离上，独自完成感知、决策和学习的全过程。

    模拟技术
    2025-09-22
    芯片 边缘 云端 AI

  • 超声波传感器：汽车制造业高质量生产的 “隐形质检员”

    在汽车制造业向智能化、高精度化转型的过程中，传感器技术作为核心感知手段，正深刻改变着生产流程的效率与质量。其中，超声波传感器凭借非接触式检测、高精度测量、适应复杂工况等优势，已成为汽车焊接、涂装、总装等关键环节不可或缺的技术支撑，为汽车制造的标准化、自动化提供了可靠的技术保障。

    智能硬件
    2025-09-22
    传感器 超声波 感知

  • 电子气体国产化加速：芯片制造的隐形关键正在突围

    在芯片制造这一精密复杂的领域中，电子气体虽看似低调，却如同人体的血液一般，发挥着不可或缺的关键作用。它贯穿于光刻、刻蚀、掺杂、CVD(化学气相沉积)、扩散等众多核心工艺环节，是半导体产业得以稳健发展的重要支撑。随着芯片制造技术朝着更先进的制程节点不断迈进，如 2nm 制程的探索，电子气体的纯度、稳定性以及供应安全性，已逐渐成为决定芯片良率与成本控制的核心要素。

    模拟技术
    2025-09-22
    半导体 芯片 工艺

  • 为什么说 CPO 技术是光模块的未来?

    在信息技术飞速发展的当下，数据的传输与处理需求呈爆炸式增长。无论是数据中心的海量数据交换，还是人工智能、高性能计算等领域对高速、低延迟数据传输的严苛要求，都促使光通信技术不断向前演进。在这一进程中，CPO(Co-Packaged Optics，光电共封装)技术崭露头角，被广泛认为是光模块发展的未来方向。

    智能应用
    2025-09-22
    数据传输 光通信 光模块

  • 宽带隙器件简介

    宽带隙(WBG)半导体器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料的器件。相较于传统的硅(Si)基器件，它们具有诸多卓越的性能。例如，宽带隙器件拥有更高的击穿电场强度，能够承受更高的电压;具备高电子迁移率，这使得电子在材料中移动速度更快，大大提高了器件的开关速度和效率;同时，它们还具有低导通电阻以及较高的热导率，有助于降低器件工作时的发热问题，提高系统的可靠性和稳定性。

    智能硬件
    2025-09-22
    碳化硅 半导体器件 宽带隙
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