DC-DC BOOST芯片SW管脚加RC电路，芯片概率性烧毁的原因？
时间：2021-11-16 13:51:38
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[导读]大家好，我是记得诚。有个读者在群里发了一个问题，是这样的。是一个BOOST电路，输入Vin是9~12.6V，VOUT输出是12.8V，在芯片的SW管脚，加R53和C52后，DC-DC概率性的损坏，不加这个RC，试了70块板子没有损坏，基本可以确定是这个导致的，但是是怎么坏的呢？加...
大家好，我是记得诚。
有个读者在群里发了一个问题，是这样的。
是一个BOOST电路，输入Vin是9~12.6V，VOUT输出是12.8V，在芯片的SW管脚，加R53和C52后，DC-DC概率性的损坏，不加这个RC，试了70块板子没有损坏，基本可以确定是这个导致的，但是是怎么坏的呢？
加C52和R53是为了吸收SW上尖峰的，C35和R51是自举电路，正常一个C35就够了，这地方R51贴的是0R，R51和C35构成RC充电，R越大，DC-DC内部MOSFET开的越慢，SW尖峰小，EMI好一些；R越小，MOSFET开越快，SW上尖峰大，EMI差一些，SW上加RC（C52、R53）是为了吸收这个尖峰。
读者测试了SW的电压和电流波形，对比了正常情况下的波形和出现异常时的波形
将损坏的芯片寄给原厂做了切片分析，外观检验和X-Ray未发现异常。
开帽分析，芯片的PIN7(SW)、PIN8(VOUT)、PIN12(VIN)、PIN13(BST) EOS异常。
小伙伴们，怎么看？为什么在SW管脚上加了RC，会出现芯片损坏的情况，欢迎留言区讨论。
有个读者在群里发了一个问题，是这样的。
是一个BOOST电路，输入Vin是9~12.6V，VOUT输出是12.8V，在芯片的SW管脚，加R53和C52后，DC-DC概率性的损坏，不加这个RC，试了70块板子没有损坏，基本可以确定是这个导致的，但是是怎么坏的呢？
加C52和R53是为了吸收SW上尖峰的，C35和R51是自举电路，正常一个C35就够了，这地方R51贴的是0R，R51和C35构成RC充电，R越大，DC-DC内部MOSFET开的越慢，SW尖峰小，EMI好一些；R越小，MOSFET开越快，SW上尖峰大，EMI差一些，SW上加RC（C52、R53）是为了吸收这个尖峰。
读者测试了SW的电压和电流波形，对比了正常情况下的波形和出现异常时的波形
将损坏的芯片寄给原厂做了切片分析，外观检验和X-Ray未发现异常。
开帽分析，芯片的PIN7(SW)、PIN8(VOUT)、PIN12(VIN)、PIN13(BST) EOS异常。
小伙伴们，怎么看？为什么在SW管脚上加了RC，会出现芯片损坏的情况，欢迎留言区讨论。
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