多伦多——MRAM 用备用电池取代 SRAM 的雄心可能会与 Microchip Technology 最新的 EERAM 产品形式的老旧存储器竞争。 该公司最近推出了一个新的独立串行外设接口 (SPI) EERAM 系列。它针对的是涉及重复任务数据记录的应用程序，并且需要在处理过程中断电时自动恢复内容的能力。此功能有用的示例包括制造设备和智能电表。
在电动汽车和混合动力电动汽车等应用中，随着直流电流随着开关频率的增加而增加，对直流电源总线的性能要求不仅仅是 IR 压降（即电压降）和热方面的考虑。由于设计需求和以碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 开关为代表的宽带隙器件 (WBG) 的使用增加，该总线现在必须在数百千赫兹的较高频率下具有非常低的电感。
Microchip 推出了新的 RT PolarFire FPGA，经过优化，可满足对航天器高速数据控制系统的最苛刻要求，同时尽可能降低功耗和发热。 在使用受限的下行链路带宽之前，太空活动越来越需要高性能计算来处理数据。Microchip 表示，与专用集成电路 (ASIC) 相比，RT PolarFire FPGA 以显着降低的成本和更快的设计周期提供了重要的空间性能特性。与使用静态随机存取存储器 (SRAM) 的替代方案相比，它还显着降低了功耗，进一步消除了辐射引起的配置噪声。
了解集成电路（无论是微控制器、FPGA 还是处理器）的热性能对于避免可能导致电路故障的过热一直至关重要。电子系统的小型化和产生大量热量的元件（如 LED）的扩散，使得热分析作为保证产品良好功能和可靠性的工具越来越重要。
氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 的采用正在迅速增加，因为它能够提高效率并缩小电源尺寸。但在投资该技术之前，我们可能仍会问自己 GaN 是否可靠。令我震惊的是，没有人问硅是否可靠。毕竟还是有新的硅产品一直在问世，电源设计人员也很关心硅功率器件的可靠性。
设计人员经常选择 D 类音频放大器来驱动各种中等功率应用中的扬声器，例如电视、蓝牙® 扬声器和笔记本电脑。毕竟，与传统的 AB 类相比，D 类具有较低的散热量和相对较高的效率（以延长电池寿命）。如果紧凑的电路板空间很重要，D 类也是有益的。
电子元器件热设计的目的是防止元器件因过热或温度交变诱发热失效。电子元器件热设计包括两个方面：一方面是元器件本身的热设计，包括管芯、封装键合和管壳的热设计等；另一方面则是电子元器件的安装冷却技术，其中特别值得注意的是电子元件在印制电路板上的安装问题。这个问题涉及众多类型电子元件的各种不同形状与电气引线的布置。
UCC28056 器件基于创新的混合模式方法驱动 PFC 升压级，该方法在满负载时以转换模式 (TM) 运行，并在降低负载时无缝转换到非连续导通模式 (DCM)，从而自动降低开关频率。该器件采用突发模式操作，可进一步提高轻负载性能，使系统能够满足具有挑战性的能源标准，同时无需关闭 PFC。UCC28056 可驱动高达 300 W 的 PFC 功率级，确保具有低失真的正弦线路输入电流，接近单位功率因数。与 LLC 控制器UCC256403/4和双同步整流器控制器UCC24624 一起使用时可以实现低于 80 mW 的系统待机功率，从而使 PFC 始终开启架构并消除对辅助转换器的需求。这与 FET 漏谷开启和简单的升压电感器一起允许最少的组件数量并降低系统成本。
氮化镓 (GaN) 晶体管开关速度快，我检查了LMG5200半桥 GaN 驱动器，并表明它能够实现 600ps 或更短的开关上升时间。在工作台上，我测量了每纳秒 40V 的开关节点 dv/dt！这比我使用的典型 DC/DC 转换器高约 30 倍，虽然这有助于降低开关损耗，但它确实使满足电磁兼容性 (EMC) 的挑战更加困难。为什么？因为电压和电流的变化率会激活寄生电路元件，从而产生辐射和传导噪声的噪声源。
功率一直是大多数设计人员在板上布线的挑战。设计人员面临着功率密度、元件布局、选择印刷电路板 (PCB) 层数和信号之间的交叉耦合等方面的挑战。由于将许多电源复杂地集成到单个封装中，PCB 设计可能会更加困难。但是您可以通过遵循一些规则来缓解挑战。
我在当地的汽车经销商处进行一些日常工作，并利用他们为喜欢在汽车修好时等待的客户提供的半私人隔间。（那些没有工作可做或只是想打发时间的人可以选择坐在舒适的剧院座位上，观看 54 英寸电视，播放从最近的电影到杰瑞·斯普林格（Jerry Springer）节目的任何内容——但我不知道谁控制着频道调谐器。）
与需要定制制造工艺和封装以使半导体免受辐射影响的硅不同，氮化镓 (GaN) 器件由于物理特性和结构而在很大程度上能够抵抗辐射造成的损坏。 这些属性可以在卫星设计中加以利用。轨道电子必须承受伽马射线、中子和重离子的影响。质子占 空间辐射的 85% ，而较重的原子核占其余部分。辐射会恶化，中断敲除卫星电子元件。
荷兰芯片制造商Nexperia赞助的最近行业活动的参与者表示，汽车、消费和航空应用中的功率转换等应用正在利用氮化镓 (GaN)技术的优势。 例如，Kubos Semiconductor 正在开发一种称为立方 GaN 的新材料。“它是立方氮化镓，我们不仅可以在 150 毫米及以上的大型晶圆上生产它，而且还可以扩展到更大的晶圆尺寸，并可以无缝插入现有的生产线，”Kubos 首席执行官 Caroline 说奥布莱恩。
宽带隙 (WBG) 材料逐渐在电源管理和其他应用的成本效益分析中幸存下来，电动汽车可能会推动采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化镓器件。使用 WBG 半导体可产生超过 95% 的潜在效率，大大扩展范围。 功率转换器是利用可再生能源进行运输和工业应用的关键组件。为了促进功率转换器设计所需的进步，可以选择基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的新型 WBG 半导体技术。
虽然寻求冒险的无人机运动达到了新的高度，但我们看到了诸如无人机竞赛甚至适合儿童使用的模型之类的东西。工业/商业无人机领域也正在起飞，尽管没有那么大张旗鼓。无人机在工业领域的应用包括测绘、安全、检查、搜救、物流、采矿和农业。让我们仔细看看农业，以及无人机如何以及为何对其未来至关重要。
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