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意法半导体的STSPIN有刷直流电机驱动器集成了双电流控制内核和双全桥功率级，用于驱动两个有刷直流电机。 STSPIN有刷直流电机驱动器IC可提供多种节省空间的散热增强型封装，为各种额定电压和电流范围的电机和运动控制系统提供优化的即用型解决方案。
新 IC 工艺的开发和商业化，尤其是有些激进的工艺，在我看来一直是设备技术的神奇和神秘的终结。是的，有聪明的电路、架构和拓扑结构，但是构思一个新的过程，然后让它成为现实和可制造的——以及现实所需要的一切——似乎需要对物理定律、材料科学、量子理论、以及更多。事情并没有就此结束：在工艺技术进步之后，我们仍然需要提出设计规则和模型，以便 IC 设计人员和生产流程能够真正利用该工艺。
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半导体行业取得了重大进展，这要归功于与硅基开关相比的一系列优势。这些包括更快的开关、更高的效率、更高的工作电压和更高的温度，从而产生更小、更轻的设计。 这些属性导致了一系列汽车和工业应用。但是像 SiC 这样的宽带隙器件也带来了设计挑战，包括电磁干扰 (EMI)、过热和过压条件，这些可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。
Wolfspeed，前身为 Cree，以一项重大的设计胜利开始了其品牌重塑：与通用汽车达成供应链协议，为汽车制造商的电动汽车开发和生产碳化硅 (SiC) 半导体。8 月，Wolfspeed 以 8 亿美元的价格扩大了与 STMicroelectronics 的多年协议，以供应 150 毫米裸片和外延 SiC 晶圆。
电力电子仍然主要基于标准硅器件。虽然三电平和其他硅电路拓扑正在出现以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 设计正在出现，以满足电动汽车不断增长的高功率要求。 三菱电机美国公司的功率器件经理强调了碳化硅与标准硅实现相比的前景。他们表示，可以通过将硅与碳化硅相结合的混合技术来提高效率。例如，具有碳化硅肖特基势垒二极管的硅基绝缘栅双极晶体管 (IBGT) 以相对较小的成本增加实现了效率提高。对于许多应用来说，这代表了成本和性能之间的折衷。
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。 2010 年，当总部位于美国的 EPC 交付其超快速开关晶体管时，GaN 首次惊艳了整个行业。市场采用率尚未与 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能达到 10 亿美元。
初创公司mqSemi提出了一种适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元概念。S-MOS 概念已通过使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件的 3D-TCAD 模拟在 1200V SiC MOSFET 结构上进行了调整和实施。提供了全套静态和动态结果，用于比较 S-MOS 与采用平面和沟槽 MOS 单元设计的参考 SiC MOSFET 2D 结构。
超级电容器正在超越电池，提供安全性、更快的充电和尺寸优势，同时有助于消除一系列汽车、电网和 IT 应用中的复杂电池管理系统。 超级电容器在当今的电子设备和能源系统中变得越来越重要。据估计，到2025年，超级电容器市场预计将达到35亿美元，到2020年至2025年之间的复合年均增长率预计为20％。
固态电池技术正在成为目前为电动汽车供电的锂离子电池的一种更轻、可能更安全的替代品。虽然锂离子电源在成本、功率密度和续航里程方面取得了长足进步，但在本周的网络峰会上推广的固态替代品有望提供更好的性能和更高的安全性。 固态电池是一种电池科技。与现今普遍使用的锂离子电池和锂离子聚合物电池不同的是，固态电池是一种使用固体电极和固体电解质的电池。
在讨论了使用隔离器来防止高压。在这篇文章中，我将讨论隔离器的一个关键性能参数：共模瞬态抗扰度或 CMTI。 CMTI 描述了隔离器能够容忍其两个接地之间的高转换率电压瞬变，而不会破坏通过它的信号。一般来说，较高的 CMTI 表示对噪声的鲁棒性，并且在任何隔离应用中都是一个优势。但是，在某些特殊应用中，高 CMTI 隔离器可以使最终产品实现显着差异化。
分立氮化镓 (GaN) FET 的兴起增加了对更用户友好界面的需求，同时也提高了效率。半桥 GaN 功率级（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的单独驱动输入。两个输入（图 1 中的引脚 4 和 5）使我们能够优化效率，因为我们可以调整每个 FET 开启和关闭的确切点。
《星际迷航》如何预测未来的技术进步继续让我感到惊讶。《星际迷航：原始系列》中的手持通讯器在 1960 年代作为道具出现在电视节目中时似乎是一个奇迹。然而，它又大又笨重，而且在几集中，通讯器丢失或停止工作，这使得传送回船上是不可能的。
虽然 MOSFET/IGBT 栅极驱动器设计用于以短时间高峰值电流驱动高频容性负载，但我们知道它们还可以驱动感性负载，例如功率继电器线圈吗？这就是 MOSFET/IGBT 栅极驱动器的秘密生命。 这不是新概念。当它们驱动感性负载时，它们通常以低得多的频率切换，驱动电流受线圈电阻的限制。栅极驱动 IC 已用于驱动电感负载，例如栅极驱动变压器，但频率范围为数十至数百千赫。
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