1 Msp430Flash型单片机内部Flash存储器介绍MSP430的Flash存储器是可位、字节、字寻址和编程的存储器。该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作。控制器包括三个寄存器,一个时序发生器及一个提供
关于MSP430-Flash超过64K的读写操作方法#include "msp430xG46x.h" void WriteFlashErrorNum(void); //---------------------------------------------------------------------- //功能:从flash中读出
FLASH型的MSP430单片机都带有信息存储器SegmengA及SegmentB,SegmengA及SegmentB各有128字,SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。程序被写入MSP430之后,程序通
Flash存储器被分割成两部分:主存储器和信息存储器,两者在操作上没有什么区别。两部分的区别在于段的大小和物理地址的不同Flash 存储器被分割成两部分:主存储器和信息存储器,两者在操作上没有什么区
一、多源中断问题#pragma vector = PORT2_VECTOR__interrupt void port2(void){ switch(P2IV) { case P2IV_P2IFG6: P2IFG &=~BIT6; P1OUT ^= BIT0;break; //LED1 亮灭 case P2IV_P2IFG7: P2I
使用MSP430F5438A,XT2外接25MHz晶振,编写时钟驱动程序,不能正常工作,现将此代码粘贴出来。这段代码将MCLK、SMCLK和ACLK都设置为XT2,已达到性能的最优化。其关键代码均以做了解释。但是,此程序不能
学习嵌入式,我是从bootloader入手的。前些日子写了一个bootloader,趁今天有时间发出来,以记录自己实现的过程,巩固所学到的知识,并且希望给需要帮助的人带来一些灵感,如果有不对的地方,还望大家能
硬件介绍:要对Flash读写,首先要了解MSP430的存储器组织。430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构,RAM和ROM统一编址在同一寻址空间中,没有代码空间和数据空间之分。一般430的单片机都统一编址在
美国的芯片公司及其供应商大致上都十分反对课征关税,以及全球这两大经济体之间的贸易战持续加剧。许多人担心最终的结果将会导致电子产品和组件的销售锐减。
开场白: 希望通过这篇文章记录一下自己在调试NAND flash的经验。希望对大家有用。 上个月搞了一块开发板QT210。说实话没有找到很多的datasheet就开始搞了。最早还是从boot说起,说到这这里不得不提到b
全世界芯片技术实力排名依次为美国、日本、欧洲、韩国、台湾......而我国花费的巨额芯片进口费用中,绝大多数都是采购美国的芯片,甚至很多高端芯片只有美国能够生产,这也令人好奇,为何只有美国能生产出高端芯片?
开始工作不久就碰到一个flash读写的问题。是一块lpc2388的芯片(arm7),开始总是抱着一arm11的flash读写的方式去看数据手册。看了好长时间都没有一个很好的解决方发。后来我在keil的库文件中找到:flash
一、Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作。 stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义。如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程;在线编程)特
因为STM32F10x系列的MCU复位后,PA13/14/15 & PB3/4默认配置为JTAG功能1、禁用PB4复用功能 GPIO_PinRemapConfig(GPIO_Remap_SWJ_Disable, ENABLE); 或者GPIO_PinRemapConfig(GPIO_Remap_SWJ_JTAGDisa
在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数。这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能。将这类数