在AVR单片机烧写的过程中,难免有弄错熔丝位的时候,结果是AVR单片机无法读写了!这时我们该怎么办呢,将昂贵的芯片丢掉,再用一块新的。其实这一般是没有必要的,写错熔丝位而导致单片机不能读写,一般
以高性能的S3CA4BOX芯片为处理器核心,结合嵌入式实时操作系统μC/OS-Ⅱ,设计并实现了实时性强、结构优化的农田信息采集系统;构建了嵌入式系统软硬件平台,详细阐述了应用软件的任务设计、优先级安排和各任务之间的关联性,经过理论和实验证明,该农田信息采集系统性能优良,可靠性高。
前几天,一直在寻找NAND Flash模拟U盘程序无法格式化的问题。在中秋月圆之夜,还苦逼地在实验室调代码,也许是杭州大圆月的原因,今晚感觉整人特别亢奋,效率也特别高,灵感也多。终于,在不懈的努力下,找到代码中的
很多初学单片机的网友都问过我,关于如何确定数码管的限流电阻问题。我想这是对电路不理解造成的。因此在这就用最通俗的方法说说基础的电子知识。 首先就说说三极管,实际上只要你了解了三极管的特性对你使用单片机
#includeunsigned char val;unsigned char i,j,k;sbit k1=P3^4;void delayms(int ms) // 1ms{unsigned char i,j;for(;ms>0;ms--)for(i=6;i>0;i--)for(j=82;j>0;j--);}void main(){val=0xff;while(1){if(k1==0){delay
我们重在实际制做,太罗嗦的内容我就不说了,只讲些跟制做有关的最精炼的知识。 ADC0809是可以将我们要测量的模拟电压信号量转换为数字量从而可以进行存储或显示的一种转换IC。下面是它的管脚图和逻辑图:管脚功能说
1.程序计数器PC(寄存器 R15) 简单理解:指向正在取指的地址 详细解析:处理器要执行的程序(指令序列)都是以二进制代码序列方式预存储在计算机的存储器中,处理器将这些代码逐条地取到处理器中再译码
输出极性(Polarity):基于正逻辑,即高电平为1,低电平为01.输出极性高(Polarity_High):高电平1为有效状态(active),低电平0为无效状态(inactive)2.输出极性低(Polarity_Low):低电平0为有效状态(active),高电平1为
//24C02,24C04,24C1024测试通过 //-------------------读写串行EEPROM------------- //作者:兰天白云 //功能描述:读写串行EEPROM(适用24C01~24C2048) //输入:MCU地址,EEP地址,读写字节数,24的控制字 /
直接开始说明ucos创建任务时的步骤:1, 初始化任务堆栈2, 初始化任务控制块3, 把刚创建的任务设置为就绪态(即置位就绪表)上面提到的任务堆栈,控制块,就绪表我们前面已经说过了,下面就直接看代码。INT8U OSTa
虽然不玩7nm及以下工艺让人惋惜,不过GF公司并不因此伤心,在该公司举行的GTC大会上GF强调先进工艺不是唯一,22nm FD-SOI工艺以及14/12nm FinFET依然大有市场。
软件:IAR 7.4STM32CubeMX 4.14.0硬件:STM32F103VBT6原理图,和手册建议的基本一致,只是上拉电阻不是手册建议的10K以上,这里的面板距离控制器比较远,可能是考虑到线阻。HAL配置,使用Cubemx。HS0038A2的输出,带
高通还表示,“迄今为止此行动中的发现表明,苹果公司盗窃高通公司的受保护信息远远超出了导致该诉讼提交的违规行为,已经发现苹果的芯片供应商通信,以及苹果拥有的源代码和相关信息”。对此,苹果发言人在接受Ars联系时表示,高通公司一再提出没有证据的指控。
在今年IFA上亮相的麒麟980,是华为现阶段性能最好的芯片。麒麟980基于全新的7nm制造工艺,包括两个主频为2.6GHz的Cortex A76内核,两个1.99GHz的Cortex A76内核,以及四个运行频率为1.8GHz的Cortex A55内核。
没有阻抗控制的话,将引发相当大的信号反射和信号失真,导致设计失败。常见的信号,如PCI总线、PCI-E总线、USB、以太网、DDR内存、LVDS信号等,均需要进行阻抗控制。阻抗控制最终需要通过PCB设计实现,对PCB板工艺也提出更高要求,经过与PCB厂的沟通,并结合EDA软件的使用,按照信号完整性要求去控制走线的阻抗。