0 引言计算机外部设备(如打印机、扫描仪、音响等)的待机能耗不但增加了消费者的日常电费开支,也使电力资源浪费极大。该设计的计算机智能节能插座利用主机的开机和关机来带动其他设备的开或关,使其接口设备待机能耗
#include#define uchar unsigned char#define uint unsigned int#include"DS1302.h"#include"DS18B20.h"#define sec 0x80#define min 0x82#define hou 0x84#define read 0x01unsigned char hour,minute,second,id=0,
三星高管在这次会议上表示,三星7纳米是第一个采用FinFET EUV技术的半导体工艺,将于2018年晚些时候推出。这点没错,台积电要到第二代7纳米工艺N7+上才会使用EUV工艺,但是三星比较激进,7纳米节点上会直接上7纳米EUV工艺,未来的5/4/3纳米节点也会全面使用EUV工艺。
ifdef条件编译单片机程序开发过程中,经常会遇到一种情况,当满足某条件时对一组语句进行编译,而当条件不满足时则编译另一组语句。条件编译命令最常见的形式为:#ifdef 标识符程序段1#else程序段2#endifextern变量申
1、创建的cJSON对象root,没有cJSON_Delete(root);执行一次就死机了2、cJSON解析的root得到的字符串char *str,free(str),执行n次后就返回信息错误了。改成myfree(str)后运行正常了。
看到了个好帖,我在此在它得基础上再抛抛砖!有个好帖,从精度考虑,它得研究结果是: void delay2(unsigned char i) { while(-i); } 为最佳方法。 分析:假设外挂12M(之后都是在这基础上讨论) 我编译了下,传
PIC16C5X内部有384~2K的只读程序存贮器,下面论述其结构和堆栈。§1.4.1 程序存储器结构PIC16C5X程序存储器结构如图1.3所示: 从上图可看出,PIC程序存储器采用分页结构,每页长0.5K。因此对于PIC16C
1.定时器:(3个TMR0,TMR1,TMR2)TMR0,8位位累加定时、计数寄存器,并带有预分频器。若考虑预分频器的效果,其固有定时为65ms。如果用作通用计数器,可采用外部T0CK1作为计数触发信号。 与TMR0相关的寄存器:TMR0(
并行编程,最早的编程方法,功能最强大,但需要连接较多的引脚,通常需要12V~24V的高压,以示区别,下面称为高压并行编程。ISP(InSystemProgrammability)在系统编程,简称为串行下载IAP(InApplICationP
本篇是对上一篇的改进,昨天学习了第4章中的独立键盘的使用独立键盘拥有自己独有的IO口,所以比较简单,我上一篇写的电子钟程序只能烧程序对时,不能手动按键对时,这肯定是最差劲的做法,所以学习了按键之后,就立马动手改
数码管闪烁,利用一个布尔变量控制各数码管的显示值,为真(True)是赋对应的数值,为假(False)时熄灭,还是利用一定的时间间隔,在人眼的视觉暂留时间段内,快速的切换熄灭和点亮,可用下面的代码测试。#includesbit
引 言 Flash存储器又称闪速存储器,是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点,既可以在线擦除、改写,又能够在掉电后保持数据不丢失。 NOR Flash是Flash存储器中
STM32中GPIO的配置风格和以往研究的MCU有很大的不同,研究了好一段时间才搞通。typedef enum{ GPIO_Mode_AIN = 0x0,GPIO_Mode_IN_FLOATING = 0x04,GPIO_Mode_IPD = 0x28,GPIO_Mode_IPU = 0x48,GPIO_Mode_Out_OD = 0x
新唐的M484系列Cortex-M4单片机可支持两组USB 2.0 OTG FS/HS接口,同时符合USB OTG Supplement 2.0规范,支持Host-only、Device-only或者ID-dependent的功能,并内建FS OTG PHY及HS OTG PHY,大幅简化了外部电路的设计。
/************************************************************ 函数库说明:ATMEGE8 按键检测程序 * 版本: v1.0 *