单片机
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STM32跑马灯例程总结
//======================================================//**基于学习STM32有一段时间了，特意写下一篇关于一个简单的跑马灯的例程，梳理思路，也希望我自己的理解能帮到一些学习STM32的初学者/**再此，鸣谢余师傅
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武林教你学PIC32（三）教你用库函数写中断按键
我接触的32位单片机：STM32，LM3S都有库函数，利用库函数能够加快项目进度，不需要去底层查看寄存器等等。PIC32的库函数位置在：D:\\Program Files\\Microchip\\MPLAB C32\\pic32-libs\\peripheral如果你安装在C盘，改下路
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s3c2440 linux lcd驱动解读
s3c2440 linux lcd驱动解读驱动层即s3c2410fb.c定义platform_driver 如下面文件定义了s3c2410fb_driver:\\linux\\linux-2.6.29\\drivers\\video\\S3c2410fb.cstatic struct platform_driver s3c2410fb_driver = {.probe=
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关于S3C2410的存储器
s3c2410的存储控制器的的主要特性如下:1.可通过软件设置大端/小端模式.2.分为8个bank,每个bank为128M,总共为1G.3.每个bank的数据宽度都可以设为8/16/32bit方式(bank0除外,因为bank0要用作系统引导)4.bank0-5支持ROM
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51单片机复习程序例举002
1、使用外部中断INT0使P0口的8位LED灯的状态进行翻转/*******************************************************************************说明：AT89S52芯片，12M晶振*中断服务程序voidname(void)interruptmusingn{中
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STM flash数据读取
/////////////**************************.h文件*********************************///////////////////////////////////#ifndef_FLASH_CTRL_H_#define_FLASH_CTRL_H_#ifdefSTM32F10X_HD#defineFLASHADDRSTART0x0807
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苹果7nm A12芯片在技术上将遥遥领先竞争对手
苹果公司在发布新款iPhone时，总是能提供健康的速度提升，但新的7纳米芯片可能会给A11及其竞争对手的最新型号带来巨大冲击。
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STM32 USB那点事之6
SetEPTxCount(ENDP2,count）假如count小于或等于报描述报告告中规定的COUNT，那么USB输入设备可以发送数据，但HID Complaint Device向USB输入设备层请求数据是得不到数据。先选中：在BUS Hound，中的体现：如果count
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中国半导体产业面临问题：短期创新过多、资源错误配置、资金过热
短期创新的捷径必将带来一系列恶性循环。励民解释说：“我们不能鼓励短期创新，不然会有越来越多企业打价格战。如果人才不被集中，知识产权不受保护，我们就无法获得优质IP，这最终将影响半导体行业发展。”
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以间接地址为目的操作数的指令（3条）——mcs51单片机汇编
以间接地址为目的操作数的指令（3条）这组指令的功能是把源操作数指定的内容送到以Ri中的内容为地址的片内RAM中。有直接、立即和寄存器3种寻址方式：MOV @Ri,data;（data）→（（Ri）） 直接地址单元中的内容送到以R
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STM32 HSE LSE晶振官方推荐
我打算选择 HSE:HC-49S-8 MHz贴片LSE : DMX-26S 32768HZ贴片
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STM32之定时器的一般应用
STM32系列芯片拥有最少3个、最多8个16位的定时器，这是定时器通过可编程预分频器驱动的16位自动装载计数器构成。定时器的主要功能有如下几个大点：1.16位向上、向下、向上/向下自动装载计数器。2.16位可编程预分频器
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高通联发科为何不抢7nm首发？实在太烧钱！
高通以及联发科都不打算抢7nm处理器首发了，因为10nm以下的工艺太烧钱了，他们更关注14/12nm工艺的中高端芯片市场，这可能也是骁龙855处理器来的比较晚的原因。
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ucos在s3c2410上运行过程整体剖析-从main函数到UCOS初始化完毕
下面要讲解的内容基本上都是c语言编写的了，还有一部分代码是用汇编写的。以下我就以这个系统移植的实验源码为例做详细讲解。讲解的方式是根据程序执行的顺序进行，如果感觉有什么难理解的地方，会做一个宏观讲解和分
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三星再次刷新半导体工艺路线图：明年推5/4nm EUV工艺，2020年上马3nm GAA工艺
现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图，今年会推出7nm EUV工艺，明年有5/4nm EUV工艺，2020年则会推出3nm EUV工艺，同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。
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