更多

  • 高云半导体宣布加入RISC-V基金会

    作为国内领先的可编程逻辑器件供应商，广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今天宣布加入RISC-V基金会，成为该组织成员中第一家中国FPGA供应商。此举是继2016年加入MIPI联盟后高云半导体又一次加入国际性行业联盟组织，进一步向业界表达其致力于发展成为全球FPGA供应商的愿景。 RISC-V是一种新型的指令集架构(ISA)，其初衷是支持计算机体系结构研究与教育，目前在RISC-V基金会的领导下已经成为行业通用的标准开放架构。RISC-V ISA应用广泛，覆盖了从基础性设计到可扩展性设计，从高性能计算服务设计到低功耗嵌入式系统和LOT设备设计。此外，RISC-V ISA是开源的，任何用户都可以免费基于RISC-V ISA进行设计、生产芯片。   “高云半导体以第一家国产FPGA制造商的身份成为RISC-V基金会的成员，今后将积极发展RISC-V的生态系统并在国内乃至全亚洲大力推广RISC-V ISA，”高云半导体总裁兼首席技术官宋宁博士说：“我们正在晨熙家族FPGA器件中运用RISC-V ISA，通过开源的、简化的RISC-V ISA结合高性能，高性价比的高云半导体FPGA芯片来帮助客户实现加速创新。这在积极鼓励创新与创业的国内乃至亚洲市场尤为重要。”

    半导体 risc-v 高云半导体

  • 艾迈斯半导体音频芯片为潮流品牌FIIL的两款新型无线耳机提供世界级的降噪性能

    全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体公司(ams AG)今天宣布耳机制造商FIIL在其新品中采用了艾迈斯半导体的两款芯片。 AS3435这款艾迈斯半导体的混合主动降噪(ANC)音频IC被应用于高性能的Canviis Pro无线压耳式耳机。此外，首款绕颈式蓝牙入耳式主动降噪耳机Driifter Pro则选用了艾迈斯半导体的AS3412。受耳机的尺寸限制，采用小巧的晶圆级芯片封装的AS3412成为该类应用的理想选择。 潮流品牌FIIL越来越受欢迎的原因是它将卓越的音频性能、创新功能和别致设计融为一体。在可听频谱范围内优越的降噪性能造就了FIIL领先市场的、独特的产品吸引力。这主要归功于艾迈斯半导体芯片出色的主动降噪性能，以及专业系统知识、设计工程和声学分析服务的支持。艾迈斯半导体的主动降噪IC产品具备领先市场的优势，集优越音频性能和低能耗于一体。艾迈斯半导体音频传感器产品具备的先进降噪功能，包括： · 智能噪音调节——三种操作模式可供用户选择。芯片通常在降噪模式下运行，但也提供监听模式，用于去除低频噪声以便用户听到中高频声音;而开放模式可使用户听到所有环境噪音。 · 风噪模式——抵消由风引起的噪声。 采用AS3435主动降噪芯片的Canviis Pro压耳式耳机可实现世界一流的主动降噪性能，降噪超过 30dB，总谐波失真小于0.5%(100dBSPL)。 Driifter Pro入耳式耳机要求芯片具有良好的降噪能力，可放置在小型的终端产品外壳中，极低的功耗以使产品只需一颗小电池即可实现长时间工作。FIIL选用的AS3412芯片尺寸仅为2.2 mm x 2.2 mm x 0.4mm ，采用晶圆级芯片封装。工作电源电压为1.6 V - 1.8V时，AS3412仅消耗8mW。 谈到FIIL和艾迈斯半导体之间的合作，艾迈斯半导体全球销售和市场执行副总裁Pierre Laboisse表示：“我们很高兴能成为亚洲领先耳机企业的战略合作伙伴。FIIL是一家极具创新精神、专注品质且引领潮流的主动降噪耳机供应商。我们很珍惜这样的合作伙伴。我们将继续携手紧密合作，致力于打造世界最先进的智能主动降噪耳机。” FIIL首席执行官邬宁表示：“在过去几年，FIIL已成为高端降噪耳机全球市场的领导者。开发首款无线入耳式主动降噪耳机标志着FIIL的发展又向前迈了一步。在开发最新Canviis Pro和Driifter系列产品过程中我们与艾迈斯半导体进行了密切合作，对此我们感到很高兴。艾迈斯半导体是全球领先的高级音频解决方案制造商。”

    半导体 无线耳机 艾迈斯半导体 音频芯片

  • 情系孤寡老人 中秋送温暖 深圳世强走进平湖敬老院

    为弘扬中华民族“尊老、敬老、爱老”的优良传统，在中秋佳节即将到来之际，深圳市世强先进科技有限公司(以下简称“世强”)走进平湖敬老院，为敬老院的孤寡老人和残疾人送上中秋慰问。为进一步丰富敬老院老年人的业余文化生活，世强的同仁还编排了单口相声、红歌演唱等一系列节目为，让老人过个开心节。   在平湖敬老院里，世强十余名志愿者与老人拉家常，询问他们的身体状和生活状况。慰问期间，志愿者还送上了月饼、水果、牛奶等生活物品，预祝老人节日快乐，身体健康。 70多岁的孤寡老人张大爷说：“非常感谢你们来看望我们，你们不仅带来了吃的、喝的，还陪我们聊聊天说说话，我真的特别高兴。”平湖敬老院的工作人员也表示，十分感谢世强能够来到这里传递温暖，奉献爱心，关怀孤寡老人。 据了解，世强成立于1993年，经过24年的发展，是中国电子行业最优秀的品牌分销企业之一，不仅是全球近百家著名半导体企业在大中国区的战略合作分销商，还是众多大型电子制造和研发企业的重要供应商。产品业务广泛覆盖工业电子、通信电子、智能物联、消费电子、汽车电子、测试测量等重要领域。世强一直不忘履行企业的社会责任，致力于公益慈善事业和学生发展事业，不定期地组织公益活动，积极参与爱心公益回报社会。

    半导体 世强 敬老院

  • 武汉光博会11月1-3日即将盛大举行!

    2017年11月1-3日，第十四届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛，将在光谷新地标——中国光谷科技会展中心盛大开幕!   “中国光谷”国际光电子博览会暨论坛(以下简称光博会)已成功举办13届，累计吸引全球30多个国家和地区的5000余家知名企业参展，专业观众超过40万人，累计主办论坛会议100余场，已发展成为国内前三、中西部地区最大的光电信息专业展会。 2017武汉光博会重回光谷，全新启程!从展期安排、展馆设置、展区内容、参展企业、同期论坛及活动都有全新升级，必将给到新老展商及到场观众不一样的光博会体验! 全新展馆规划 给您全新逛展体验 2017武汉光博会继续以光电科技为基础，遵循新一代信息革命的技术发展路线，规划“光智造”、“光智联”、“光智能”三大主题馆，具体展区划分如下： 光智造馆：规划激光生产与加工、精密光学制造、军民融合装备、工业光电自动化、光电新型显示及国际展区。 光智联馆：规划光通信设备及器件、光互联及网络、移动通信、光传感与检测、北斗及地球空间信息展区。 光智能馆：规划芯片与集成、人工智能及机器人、云平台及智慧城市、智慧应用及智能终端、科技创新成果展区。   5大看点 演绎光联万物智引未来 本届光博会以“光能+智能”为核心，重点展示光电科技“信息化、智能化”的新产品、新技术和新的解决方案;聚集国内外知名专家学者、商业领袖进行产业对接和行业交流，打造具有鲜明“智能”特色的国际光电盛会，助推光电子信息产业“智能”升级。 1. 七大国际顶级光电机构协同招展，四大全球智能制造标杆企业同场竞技。 2. 激光龙头云集，升级重塑激光光学及自动化等优势板块。 3. 首次打造“从芯片到算法”的智能硬件与技术应用板块。 4. 聚焦超宽带、移动5G等新一代信息通信成果，全面描绘“从连接到智能”的智慧光通信蓝图。 5. 升级打造光显示专展，全面新型的展品开启同类展会先河。   7大顶级论坛 聚焦光电产业新纪元 本届大会紧扣世界光电产业和信息科技交叉融合，叠加发展的产业趋势，策划7场高水准论坛。将同期举办7场论坛，包括1场高峰论坛和6场主题论坛。 主论坛：2017“中国光谷”国际光电子信息产业高峰论坛 专业论坛： 第十一届中国光谷(武汉)国际激光峰会 2017第 五 届 增 材 制 造 技 术(3D打印)国际论坛 2017"5G"时代的光通信产业发展论坛 第三届先进电子制造高峰论坛 第三届武汉国际光谷论坛暨光通信高峰论坛 第十五届“中国光谷”知识产权国际论坛   3大同期活动 大咖云集共话光电未来 1.2017世界光纤光缆大会(CRU) 2.第十届国际光子与光电子学会议(POEM 2017) 3.光谷航天激光技术产业国际论坛 5场专场活动 精彩纷呈奖品多多 光博会期间将举办5场精彩的专场活动，不仅能让每一位观众观展、逛展、参会、听论坛的同时，还能近距离了解激光安全生产的重大意义、体验光电产品新技术的科技魅力、认识了解中国激光行业的技术人才，还能参与光电达人现场活动，大疆无人机、行车记录仪、扫地机器人等超过大奖拿不停! 1 .重大项目签约 2.光博会激光展示及使用安全倡导仪式 3.中国激光领军百人评选及授奖活动 4.新产品新技术发布会 5.最新光电科技体验日等相关活动   2017光博会 回归光谷全新启程 2017武汉光博会重回光谷，将在今年6月开馆的中国光谷科技会展中心开展。 中国光谷科技会展中心，武汉三大地标展馆之一，位于光谷大道与高新六路交汇处。雄踞光谷中心城城市中心区，东接光谷生物城，西邻东湖高新行政中心，南连富士康科技园及金融港。周边著名企业有华为、中兴、TCL、富士康、长飞光纤、烽火科技等，在“光博会”更能让你近距离走近光谷，走近中国光电子产业诞生基地，实地感受光谷光电子产业的未来。   交通全覆盖 直达场馆观展便捷 地点：中国光谷科技会展中心 具体地址：湖北省武汉市洪山区高新大道与光谷六路交汇处 2017年11月1日-3日，2017第十四届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛，与你相约中国光谷科技会展中心!光电盛宴，璀璨启程!

    半导体 光博会 武汉

  • 世强&Silicon Labs “2017 Wireless Workshop”圆满举行 领跑无线技术

    近日，由世强& Silicon Labs联合主办的“2017 Wireless Workshop”在深圳圆满落幕，这是继杭州、上海、北京专场后，世强与Silicon Labs又一次联合，与数百位工程师共同探讨目前新的物联网技术。   本次Wireless Workshop，围绕高灵敏度收发器、自组网ZIGBEE 、最新蓝牙5 MESH网状网络解决方案、超远距离/认证齐全的WIFI/蓝牙/ZIGBEE模块等议题展开。 世强的技术专家们表示，物联网创新应用推陈出新，对自组网、邻近感知、P2P传输、支持IPv6等方面提出需求，推动了无线技术发展。新的无线技术使物联网应用的形式更加多样化，从工业应用、智能家居，到零售应用等，这些都将对企业和普通大众的日常生活起到积极的推动作用。 以蓝牙为例，蓝牙5比蓝牙4.2快2倍的传输速度、4倍的传输距离以及8倍的广播数据传输量，将在更广的范围内实现简单、轻松的互联设备互动，进而增强智能家居、楼宇自动化、可穿戴设备或是工业物联网等领域的IoT应用程序，进一步提升物联网体验。 而近期蓝牙联盟发布的全新网状网络——蓝牙MESH，不仅具备可靠性、可拓展性及互通性，还提供工业级的安全，可防范所有已知的攻击，非常适合创建大型节点网络、建筑和智能家居自动化、财产追踪和传感器网络。例如，通过建筑和智能家居，设备可以直接相互通信，所以开关电灯将不再涉及通过路由器或网关的通信。 同时，在场世强& Silicon Labs的技术专家还提到，在远距离WIFI助力物联互通方面，可为企业提供具备低功耗IoT特性，预认证模块可快速上市的完整软件解决方案，支持OTA升级，有Simplicity Studio综合开发工具;在多协议全面无线智能物联解决方案方面，可为企业提供目前市场上部署最广、最成熟可靠和可拓展性最大的Silicon Labs网状网络，并提供配套的开发工具，可用于快速开发可认证的ZIGBEE产品应用，帮助企业创新。 在研讨会中，世强& Silicon Labs还特别增加了小组开发板操作环节，像专有协议RAIL和Connect的Workshop体验、ZIGBEE开发套件-EFR32MG DEMO操作演示和通过操作EFR32BG开发套件，体验蓝牙5的特性等，让在场的工程师通过实操，进一步增加与技术专家的互动交流。 会后，有工程师表示，参加世强& Silicon Labs “2017 Wireless Workshop”不仅了解了更多先进的技术，对整个大环境有新的了解和思考，还通过与技术专家的交流解答了之前对于蓝牙定位实现技术细节的疑问。想了解更多现场的技术干货资料，可登陆世强元件电商，搜索活动回顾专题，未来也可在线报名更多线上活动，直击业界新元件新技术。 世强相关负责人则表示：“世强成立24年来，一直致力于为企业提供创新服务，助力企业提升创新竞争力，联合线下丰富的研讨会和世强元件电商平台，持续不断地为工程师输送最新的器件信息和前沿的技术方案，包含工业、通信、智能物联、消费、汽车、测试测量等重要领域。我们希望，通过线上线下相结合的方式，帮企业了解最新的行业动态、快速完成研发设计，实现企业创新。也希望世强能通过这一系列的努力，最终能为中国企业的全面创新和物联网的进程献上自己的一份力量。”

    半导体 物联网 Silicon labs 世强

  • 艾迈斯半导体推出具有PSI5接口的新型 汽车级磁位置传感器

    全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体公司今天宣布推出具备双线PSI5接口的AS5172A/B磁位置传感器，可实现精确旋转位置测量数据的快速及安全传输。 新的AS5172A和AS5172B系统级芯片(SoC)是360度非接触式的旋转磁位置传感器，能够提供14位高分辨率的绝对角度测量。根据汽车安全标准ISO26262，这两款传感器被开发为SEooC设备，并以广泛的片上自诊断系统为特色。这使AS5172A/B成为对安全性有较高要求的汽车应用的理想选择，帮助汽车系统满足最高级别的ASIL安全要求。 此外，AS5172A / B组件中的PSI5接口符合PSI5最新标准1.3和2.1的规定。 经AEC-Q100认证，AS5172A/B能够支持许多汽车远程位置传感应用，包括刹车和油门踏板位置感应、节流阀和节气门、转向角传感器、底盘悬挂高度传感器、废气再循环(EGR)阀和油位测量系统。 借助霍尔传感技术，AS5172A/B能够在圆周内正交分布的传感器阵列来测量磁通量密度，并补偿消除外部杂散磁场的影响，提供一个稳健的14位(0.022° 精度)传感器阵列和模拟前端为中心的稳健结构补偿外部的杂散磁场。AS5172A/B也能够通过编程以支持低至0-10°的全运动转角范围，为应用提供最佳分辨率。 高灵敏度的霍尔传感器前端还能使用小型且低成本的磁铁，并支持10-90mT的宽磁场输入范围。只需一个围绕封装中心旋转的简单两极磁铁就能几乎同步地提供磁铁绝对角度位置的信息。磁铁可被置于设备上方或下方。 AS5172A/B可在4V 至16.5V的宽电压范围内运作，并支持高达+20V的过压保护。此外，电源引脚在高达-18V的反极情况下仍能受到保护。AS5172A/B也可以借助器件上的VDD引脚通过单线UART连接PSI5接口实现简易编程，减少应用编程连接器的引脚数量。 艾迈斯半导体位置传感器市场总监Thomas Mueller表示：“汽车客户不断对接口和安全标准提出更高要求，AS5172A/B磁角度位置传感器的推出体现了艾迈斯半导体为满足客户需求所付出的不懈努力。具备PSI5接口和稳健嵌入式自诊断功能的AS5172A/B将成为帮助OEM厂商在远程角位置传感应用中达到最高ASIL安全等级的最佳解决方案。” AS5172采用两种封装，TSSOP14封装(AS5172B)和SIP封装(AS5172A)。SIP封装(系统封装)集成了AS5172传感器晶圆与去耦电容器以提升ESD和EMC性能，免除对PCB的需要，帮助减少整体系统成本。AS5172A能够在-40°C 至125°C温度范围内运行，AS5172B则能在-40°C 到 150°C范围内运行。

    半导体 艾迈斯半导体 psi5接口 磁位置传感器

  • 在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

    摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅技术制程的碳化硅(SiC)是最有前景的技术。碳化硅材料的电气特性使其适用于研制高击穿电压器件，但是，远高于普通硅器件的制造成本限制了其在中低压器件中的推广应用。在600V电压范围内，硅器件的性能非常好，性价比高于碳化硅器件。不过，应用要求芯片有更高的性能，而硅器件已经达到了极限。最近几年，人们更加关注环境、能效和污染问题，导致电气能效标准趋严，这不只限于大功率应用，还包括低负载应用。现在，开关频率可以更高，同时开关损耗可以降至更低，本文介绍的650V碳化硅晶体管特别适合这种应用场景。 第一章 表1是4H SiC碳化硅器件与硅器件的特性比较表。如表1所示，碳化硅的宽带隙使电力电子器件具有很多优异特性。 表1. 碳化硅与硅材料特性比较 更高的关键应用准许使用掺杂程度更高的超薄裸片，使其损耗比其它芯片低很多。碳化硅热导率比硅器件高出很多，因此，功率损耗散热导致的温降在整个器件上都比较低。因为碳化硅的熔点温度更高，可以工作在400 °C范围内，这些特性让人们更加看好碳化硅器件在开关速度、损耗、Rdson导通电阻、击穿电压方面的性能表现。事实上，击穿电压高于1200V的碳化硅器件深受市场欢迎。是否选择超高击穿电压的碳化硅器件，不仅要考虑电气特性，还要考虑碳化硅的制造成本高于硅器件。对于600V电压以下碳化硅产品，以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圆片，而且生产设备非常昂贵，因此，碳化硅器件的性价比不如硅器件。今天，4吋和6吋碳化硅晶圆片非常常见，市场对碳化硅器件需求增长可以让厂商降低制造成本。600V SiC MOSFET开始出现在市场上，具有令人感兴趣的特性，适用于各种应用领域。 新器件: 650V SiC MOSFET 如前文介绍，硅功率MOSFET器件的性能正在接近极限。意法半导体开发出一个60兆欧姆 /650 SiC MOSFET产品原型，克服了600V功率MOSFET的性能极限。为证明这款650V SiC MOSFET的优势，我们将其与当前最先进的超结功率MOSFET对比。表 2 列出了这两种对比器件的电气参数。为了使测试条件具有可比性，我们选择两款150°C时RDSon参数相似的硅器件和碳化硅器件。 表2. 不难发现，Rdson参数对应的热导系数不同。如图1所示，碳化硅器件的Rdson基本上与温度无关，最高结温高于同级的硅器件，这准许工作温度更高，而不会导致损耗增加。开关损耗也是如此，见图2。 两个器件的另一个重差别是驱动这两个器件完全导通需要不同的栅电压，硅MOSFET是10V，碳化硅MOSFET是20V。 案例研究: 升压转换器 我们在一个标准升压转换器(图3)内对比分析650V SiC MOSFET与先进的硅器件，为了解650V SiC MOSFET的特性，我们用100 Khz和200KHz开关频率进行对比。 测试条件如下: VIN=160V，VOUT=400V，POUTmax=1600W，占空比=60%，升压二极管 = 碳化硅STPSC2006。栅驱动条件: · 硅MOSFET: VGS=0/10V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω · 碳化硅MOSFET: VGS=0/20V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω 为降低外部因素对测试结果的影响，我们选用了封装(TO247)相同的硅MOSFET和碳化硅MOSFET，安装相同的空气冷却式散热器，记录并比较在各种负载条件下的能效。如图4(a)和(b)所示，在fsw=200KHz时,碳化硅MOSFET的开关特性优于硅器件(100 Khz开关频率也是如此)，从图5 (a)和(b)的能效和热曲线不难看出，碳化硅MOSFET的开关特性明显优于硅器件。 在100 Khz和200 KHz开关频率时，两个测试显示，碳化硅MOSFET能效更高，封装温度更低。从图中不难看出，当高频率开关时，碳化硅的优势比较突出。 结论 新650V碳化硅MOSFET是面向高能效系统的最新产品。在硬开关应用中，这款产品能够提高能效，采用新的热管理方法，提高了功率/立方厘米比。对于其固有参数，这款产品将能够用于软开关应用，这是将来的研发目标。

    半导体 意法半导体 MOSFET 650v sic 直流升压转换器

  • 中国研发投入额全球第二仅次于美国 重回10%以上增速

    近日消息，三部委共同发布的《2016年全国科技经费投入统计公报》显示，2016年我国研发经费投入总量为15676.7亿元，比上年增长10.6%，增速比上年提高了1.7个百分点。 这是自2012年以来研发经费增速持续4年下滑后的首次回升，也是研发经费在经历了2014年、2015年连续两年个位数增长后重新回到10%以上的增长速度。 研发投入强度接近发达国家水平 引导全社会加大对研发的投入，是落实创新驱动发展战略的重要基础，也是2020年我国进入创新型国家行列的关键因素。 近年来，我国研发经费投入持续增长，总量保持在世界第二位，与位列首位的美国的差距正逐步缩小。 2016年，从投入强度(研发经费与国内生产总值之比)来看，为2.11%，比上年提高0.05个百分点;按研究与试验发展(R&D)人员(全时工作量)计算的人均经费为40.4万元，比上年增加2.7万元。 国家统计局社科文司高级统计师关晓静表示，2.11%的研发投入强度虽然与OECD国家2.40%的平均水平还有距离，但已经超过欧盟15国2.08%的平均水平。近年来我国研发经费投入强度一直呈稳定上升趋势，与发达国家的差距逐年缩小。 关晓静称，我国研发投入再创历史新高得益于政府引导和政策环境的不断优化。2016年，国家财政科技支出达7760.7亿元，比上年增长10.8%，增速为近4年来的最高水平。 同时，一系列鼓励全社会研发投入的政策取得良好效果，以企业研发费用税前加计扣除政策为例，2016年享受该项政策的规模以上工业企业比上年增长20%，这些企业减免的所得税比上年增长8.9%。2016年，全国开展研发活动的规模以上工业企业比上年增长18.1%，投入的研发经费比上年增长9.3%，增速分别比上年提高2.6个和1.1个百分点。 基础研究经费占比达到10年来最好水平 公报数据还显示，基础研究经费占比继续回升。 基础研究是一个国家科研最重要的基础之一，发达国家均把增强基础研究作为提升本国科技实力的重要力量。 2016年我国基础研究经费为822.9亿元，比上年增长14.9%，明显高于应用研究经费(5.4%)和试验发展经费(11.1%)的增速。基础研究占比延续了上年回升态势，达到5.2%，为近10年来的最高水平。 从科研主体来说，企业对中国科研的拉动作用进一步增强，企业研发经费占全社会研发经费的比重保持在八成以上。 随着“双创”的深入开展，进一步激发了企业开展研发活动的积极性。2016年中国各类企业研发经费支出12144亿元，比上年增长11.6%，较上年提高3.4个百分点;企业对全社会研发经费增长的贡献为83.8%，比上年提升12.7个百分点，企业对全社会研发经费增长的拉动作用进一步增强。 在规模以上工业企业中，研究与试验发展(R&D)经费投入超过500亿元的行业大类有7个，这7个行业的经费占全部规模以上工业企业研究与试验发展(R&D)经费的比重为60.2%;研究与试验发展(R&D)经费投入在100亿元以上且投入强度超过规模以上工业企业平均水平的行业大类有9个。 广东居首、六省市研发经费超千亿 分地区看，研究与试验发展(R&D)经费投入超过千亿元的省(市)有6个。 他们分别是广东(占13%)、江苏(占12.9%)、山东(占10%)、北京(占9.5%)、浙江(占7.2%)和上海(占6.7%)。 另外，研究与试验发展经费投入强度超过全国平均水平的省(市)有8个，分别为北京、上海、天津、江苏、广东、浙江、山东和陕西。 关晓静说，研发投入强度看，我国与以色列(4.25%)、韩国(4.23%)、日本(3.49%)等创新型国家相比还有很大差距。从经费投入结构看，我国基础研究经费虽然实现两年连增，但仍处于较低水平，与发达国家15-25%的占比水平相比也有很大差距。 关晓静表示，未来几年，政府部门要进一步加大财政科技投入，充分发挥政府资金对全社会研发经费投入的引导和拉动作用;也要进一步完善创新政策体系建设并推动研发加计扣除等政策的有效落实，进一步激发市场主体开展研发活动的积极性;还要积极引导地方政府和企业加大对基础研究的投入，加强对前瞻性科学研究和原始创新能力的建设;同时要通过科研项目管理体制改革，提升研发经费投入的针对性和有效性，提高研发资金的使用效率。

    半导体 半导体 集成电路

  • 高通向欧盟做出让步 380亿美元收购NXP有望获批

    近日消息，欧盟委员会表示针对380亿美元收购恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors)交易，高通公司已经做出让步。 高通去年10月宣布，将以380亿美元收购恩智浦半导体公司。这将是全球半导体市场最大一笔并购交易。今年6月9日，欧盟对这笔交易展开全面调查，主要担心该交易将导致芯片价格上涨，削弱半导体行业的创新能力。 当天，据欧盟委员会在官方网站上称，高通已于10月5日提交了建议书，对收购条款作出了让步，但并未透露详细的信息。 在审查这笔交易期间，由于高通未能及时提供所需信息，欧盟曾分别于6月和8月两次中断审查。因此，原定于10月17日公布审查结果的计划也被推后。 分析人士称，该交易完成后，高通将成为快速发展的汽车芯片市场的领先供应商。今年4月，美国反垄断机构已无条件批准了这笔交易。之前就有分析人士称，要想获得欧盟的批准，高通可能要做出一些让步。 未来数日，预计欧盟将针对高通的建议寻求竞争对手和公众的评估。 2015年12月，欧盟还向高通发出了“异议声明”，指控高通利用其在手机芯片市场的主导地位打压竞争对手。  

    半导体 汽车电子 恩智浦

  • 富士通淡出半导体事业!8寸晶圆厂卖安森美

     近日消息，富士通宣布，旗下子公司富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)所属的8寸晶圆工厂“会津富士通半导体制造公司”将卖给美国安森美半导体(On Semiconductor)。 富士通半导体已和安森美达成共识，安森美计划在2018年4月1日追加取得上述8寸晶圆厂30%股权、将持股比重从现行的10%提高至40%，且之后也计划进一步提高持股比重，目标在2018年后半提高至60%、2020年前半提高至100%。 据报导，富士通正加快淡出半导体等非核心事业、将公司资源集中至IT服务事业。据报导，安森美预估将出资约20亿日圆追加取得上述8寸晶圆厂30%股权，且该8寸晶圆厂收编在安森美旗下之后也计划扩增产能。

    半导体 半导体 富士通 晶圆

  • 51亿元!高通在台湾被判不公平竞争被重罚

    10月11日，据中国台湾媒体报道，因被认定不公平竞争，高通遭台湾地区公平交易委员会罚款234亿元新台币(约合人民币50.96亿元)，创下台湾地区公平交易委员会有史以来最高裁罚纪录。 据了解，中国台湾公平交易委员会认为，高通在CDMA、WCDMA及LTE等移动通讯标准基频芯片市场具有独占地位，但却不向其他芯片厂商进行专利授权、采取不签专利授权就不提供芯片等手段进行垄断行为。 中国台湾公平交易委员会认定，高通的经营模式损害了基频芯片的市场竞争，直接或者间接阻碍了其他公司的竞争行为，属于不公平竞争。 按照中国台湾地区相关规定，对高通处以234亿元新台币罚款。 2015年2月中国内地对高通处以60.88亿元罚款，国家发改委认定高通滥用市场支配地位实施排除、限制竞争，高通此前持续申诉，但在最后一刻放弃了听证申辩，与政府部门达成和解。 2016年12月韩国公平贸易委员会（KFTC），对高通展开反垄断调查，认为高通在韩国市场利和销售智能手机芯片时妨碍市场竞争，高通在韩国滥用其市场主导地位，在销售芯片时强迫手机制造商为一些不必要的专利支付费用，决定决定对高通处以1.03万亿韩元(约9.12亿美元)的罚款，创下韩国反垄断史的最高罚金记录。

    半导体 反垄断

  • 阿里云大数据学院落户青岛 欲5年培养五千名云计算等人才

     记者从青岛西海岸新区获悉，“山东科技大学・阿里云大数据学院”签约仪式11日在阿里巴巴云栖大会上举行。该学院由青岛西海岸新区、山东科技大学、阿里巴巴集团阿里云计算有限公司、青岛青软实训教育科技股份有限公司四方合作共建，是中国北方第一所由政府推动扶持的阿里云大数据学院，将在5年内培养5000名云计算、大数据云安全和人工智能方面的高端专业人才。 据悉，山东科技大学・阿里云大数据学院将引入阿里云ACF基础认证和ACP专业认证，形成包含留学生、研究生、本科生多层次的大数据专业人才培养体系，达到国内一流办学水平，并计划三年内打造立足青岛、面向全国、放眼全球的新型示范性大数据学院。 阿里巴巴集团是国际顶尖的互联网企业，更是国内大数据发展的领导者，在大数据人才培养方面具有丰富的资源和经验，其主导的云栖大会聚焦创新、创业、大数据、大平台，全方位展示云计算最新应用和实践成果，成为引领云计算行业创新发展风向标。山东科技大学拥有国家级创新创业孵化基地，在数据挖掘、数据分析和处理等专业具有较强的学科优势。青软实训是中国国内领先的IT职业教育和企业人力资源服务机构。 青岛西海岸新区拥有良好的大数据发展环境，截至2016年底，新区已集聚大数据相关企业2000多家，宽带端口总数超过130万个，通信光缆线路总长度超过3万公里，地区骨干网带宽最大值170G，互联网用户数44.5万户，基本实现4G网络无缝覆盖。海洋大数据、工业大数据、军民融合大数据开发与应用发展迅速，部分行业及民生领域的大数据应用走在全国前列。

    半导体 云计算 阿里云 大数据学院

  • 贸泽电子与Basler 签订全球分销协议 开售Basler嵌入式视觉相机模块

    最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布与全球领先的高品质数码相机和镜头制造商Basler签订全球分销协议。Basler的嵌入式视觉产品结合了最新的芯片和软件开发技术以及工业机器视觉技术，可组成高成本效益的板级相机系统，适用于工厂自动化、物流、机器人和工业物联网 (IIoT)。 贸泽电子现在供应的Basler产品线采用该公司的 dart系列相机模块和用于轻松评估与开发的嵌入式视觉套件。Basler dart相机系列主要用于满足各种各样视觉应用的需求。体积小巧的单板相机系列具有Basler的PGI功能集。PGI 提供强大的内部成像优化技术，可以在不增加CPU负荷的情况下全速优化图像。PGI 的独特之处就在于它将5x5去拜耳化、彩色抗锯齿、去噪和改善的锐化功能集于一身。dart相机模块采用Basler基于LVDS的BCON接口或 USB3 Vision标准接口，可以轻松集成、方便插拔，并可以稳定地传输数据。 贸泽同时还供应Basler易于使用的嵌入式视觉套件，使开发人员能够直接集成或评估相机。dart USB评估套件包含一个dart USB相机模块，而dart BCON for LVDS开发套件包含一个dart BCON相机模块和一个处理板。dart BCON模块具有基于LVDS 的BCON接口，而处理板基于Xilinx Zynq片上系统(SoC)。这两个套件均配有镜头、电缆和 pylon相机软件套装。此外，具有dart相机模块的开发套件还可以通过合作伙伴AAEON和Critical Link 的产品，与Intel® Programmable Solutions Group(以前称为 Altera®)FPGA搭配使用。

    半导体 贸泽电子 视觉相机模块

  • 苹果也得为它打工 iPhoneX大卖三星数钱

     一个月以后(11月3日)苹果公司今年的重磅产品iPhone X就将开始正式发售。除了苹果本身希望靠iPhone X赚得巨额利润外，苹果在智能手机市场上的主要竞争对手三星也在期盼iPhone X能大卖——据《华尔街日报》报道，苹果每卖出一部iPhone X，三星将收入110美元。也就是说，苹果每卖出一部iPhone X，其超过10%的营收都要划入三星的账上。 市场分析公司Counterpoint预计苹果在未来两年内将售出1.3亿部iPhone X，这将使三星获得接近143亿美元的额外收入。 三星OLED屏幕生产冠绝全球 苹果大卖，三星赚翻，造成这样“尴尬”局面的原因在于三星为苹果iPhone X的主要供应商，包括芯片和OLED屏幕两个最重要的零部件均来自三星，尤其是OLED屏幕是三星所有对外供应的组件中最贵的部分，其为三星带来了巨额利润。 三星是全球唯一一家能生产OLED屏幕、NAND闪存和DRAM芯片的公司，而iPhone则是苹果的主要收入来源。《华尔街日报》也指出，上述屏幕、闪存、芯片业务带来的订单是三星电子元件业务的重要部分，占三星电子总营收的35%左右。 目前三星在OLED显示技术方面的主要竞争对手是LG，不过尽管LG最近加大了生产，直到今年年初，三星还是唯一一家拥有足够的人力(和技术力)生产苹果所需产品的制造商。 当然，苹果肯定不想看到自己的头号竞争对手因为自家的主打产品而赚得盆满钵满，《福布斯》便指出，有传言称苹果正考虑从2019年开始使用LG的OLED屏幕。 其实在苹果正式发布iPhone X之前，明基证券知名苹果分析师郭明錤(MingChi-Kuo)便透露，苹果每卖出一部iPhone X，就将为其零部件供应商支付120-130美元。 苹果为什么使用三星零部件? 芯片和屏幕是智能手机最关键的部件，芯片如同手机的发动机，而屏幕则决定了所有手机功能的呈现。 苹果和三星作为当今全球最大的两家智能手机供应商，为市场份额争得你死我活，那为什么苹果还执意要使用三星的芯片和屏幕，让对手扼住自己的咽喉?苹果的苦衷在于除了三星，别无选择。 由于iPhone的生产规模巨大，苹果必须要一家能够在特定时间区间内能够满足其生产需求、并提供高质量产品的制造商，能满足这个条件的只有三星。 韩国新闻网站ETNews去年8月报道称，三星曾将其OLED屏幕生产线全部投入生产，正是为了给iPhone X供货，当时三星的OLED产量便从每月1.5万台跃升至每月10.5万台之多! 苹果之前也尝试使用过其他制造商的产品，但往往以失败告终。例如从2014年开始，苹果就开始使用中国台湾制造商台积电生产的芯片，但显然台积电的产量并不能达到苹果的需求。因此，去年7月苹果又将制造商换回了三星。 三星爆炸、苹果iPhone 8发售遇冷 尽管“相爱相杀”的苹果和三星牢牢占据着全球智能手机市场领头羊地位，但最近两年来两家公司均遭受到了不小的挑战。 2016年，三星推出Galaxy Note 7平板式智能手机。然而，因该产品于世界各地连番发生爆炸事故，三星最终决定全球回收并停止生产，宣传也全面下架，放弃Galaxy Note 7不仅影响到三星业绩甚至连韩国的经济也受到牵连。 苹果方面，每出新品必然口碑炸裂，引起抢购的现象在此次发布iPhone 8后戛然而止，iPhone 8也因发售当天无人排队而被冠以“史上最尴尬的iPhone”的称号。 彭博社报道称，罗森布拉特证券公司(Rosenblatt Securities)分析师张军(音译)在给客户的报告中称，iPhone 8的预订量惨淡，其中在中国最为明显。据京东的数据显示，在接受预订后的三天时间内，消费者共订购150万台iPhone 8，而iPhone 7同期的订单数约为350万台。张军说： “我们知道前期的预订量并不能反映出iPhone 8的整个周期，况且iPhone X还没有正式发布，但我们很担心，可能为此要减少iPhone 8的生产，而由于产能的原因，明年一季度之前可能也很难买到iPhone X。”

    半导体 三星 苹果 iPhone

  • 电池鼓包!iPhone 8电池爆裂事件增至5起

    继日本、台湾、香港用户出现iPhone 8/8 Plus电池爆裂事故后，媒体又新报道了两起。 据MacRumors，来自加拿大多伦多的读者Anthony Wu提供线索称，自己周日刚拆封的一台iPhone 8 Plus出现了屏幕被撑开的问题，中框附近可以看到明显的变形，怀疑与电池鼓包有关。 他的这台iPhone 8P已经在周一退回。 与此同时，希腊的iRepair维修商店爆料称，他们收到的一起案例是，昨晚拆封的iPhone 8充了一夜电，早上起来，屏幕就撑开了。 机主强调，自己用的是原装充电器和数据线。 截至发稿，iPhone 8/8 Plus的的屏幕撑爆事故已经至少公开了5起。 MacRumors表示，针对台湾和日本的那两起，苹果当时就表示已经获悉并展开调查，但迄今没有动态披露。 不过，对于已经卖出的数百万部iPhone 8来说，五起完全可以归咎为正常范围内的电池问题。对比Note7，在召回前的事故案例多大上百起，同时伴随的还有起火等严重硬伤。 大家怎么看这事?

    半导体 iPhone 8 电池爆裂

首页 上一页 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 下一页 尾页
发布文章

活动预告

更多

论坛

更多

相关标签

课程视频

更多