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  • 德州仪器发布2016年企业公民报告创造更美好的明天

    德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN)日前发布了其第十一次年度企业公民报告(CCR)，并概述了2016年TI在社会和环境领域的杰出成绩。 TI董事长、总裁兼首席执行官Rich Templeton在报告的公开信中表示：“TI对于企业公民责任的承诺由来已久。80多年前，我们的创始人投入大量的时间、精力和个人资金，以推动所在社区和教育的发展。多年来，一代又一代的TI领导者秉承相同的承诺，并且不断变革，持续推动创新，以创造更美好的未来。” 2016年，TI在社会和环境领域所取得的成就包括： · 过去5年中在研发上的投入达到70亿美元。 · 研发、生产和运输数百亿电源半导体器件，以帮助全世界提升电源转换和利用率。 · 在教育领域的投入超过2亿美元，重点关注科学、技术、工程和数学(STEM)领域中的弱势学生群体。 · 节约21亿加仑的水和145万MBTUs的能源。 · 2016年，慈善捐助和员工捐助增长6%，达到3,500万美元。通过优化追踪系统，志愿者服务时长增长22%，共计159,000小时。 · 自2013年起，用于制造集成电路的金属完全来自经认证的无冲突资源。 · 连续11年入选道德村协会“全球最具商业道德企业”名单。 在TI，企业社会责任从每个人做起。进入中国三十多年以来，TI在帮助客户实现创新的同时，也将企业社会责任作为了公司的投入重点。为了支持中国中西部贫困地区学校信息化基础设施建设，缩小城乡数字化差距，TI在中国建立了3所希望小学并捐赠了310间多媒体教室，TI的第4所希望小学也将于2017年在陕西省的陇县落成。此外，为了贯彻“回馈社区”的理念，TI还通过各式各样的志愿者活动，鼓励员工、大学生和合作伙伴一起参与到支持教育、环境保护、关爱自闭症儿童等社区活动中。而由TI发起的公益助学课程“TI魔力芯动课堂”也已经作为长期项目，在TI希望小学、TI多媒体教室所在学校以及TI在中国各分支机构所在社区的学校中进行授课。 “2017年，TI将继续专注于利用先进的半导体技术帮助我们的客户实现创新，特别是推动汽车和工业领域朝着更节能、更安全和更互联的方向发展。”德州仪器中国区总裁胡煜华表示，“我们要尽最大努力爱护环境，并且把我们工作和生活的社区建设的更好。诚信、创新和承诺的核心价值观，是我们一切行动的基石。” TI的报告以全球报告倡议组织 (GRI) 的G4可持续性报告指南作为核心标准。GRI是全球最为广泛使用的可持续性报告撰写框架之一。

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  • 贸泽供货Amphenol ZnNi 圆形军工规格金属连接器登陆贸泽

    专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) ，宣布即日起开售Amphenol Industrial的Amphe-Lite灰色锌镍(ZnNi)金属连接器。 这些符合RoHS标准的连接器属于Amphe-Lite超小型商用连接器系列的一部分，在无电镀镍底层上方覆盖了灰色锌 ，适用于各种严苛环境。 贸泽电子供应的Amphenol Amphe-Lite 灰色ZnNi金属连接器100%防斜插，采用高密度触点布局，其设计包含金属对金属耦合，具有出色的EMI屏蔽能力。 这些连接器提供自锁、快速断开螺纹接口以及locksmith键控功能，具有五种键槽极化。 这些连接器的防腐蚀镀层可耐受500小时的盐雾环境，并与其他标准电镀方式兼容。此外，通过改进的接口密封设计实现了防潮效果，可防止触点遭受电解腐蚀。灰色ZnNi连接器符合MIL-DTL-38999 系列III规范，可在- 65℃到+200℃的温度范围内工作。 灰色ZnNi金属连接器现在提供多种配置、安装类型和嵌入件，适用于电动车、工业和发电等应用。 贸泽电子库存有种类丰富的Amphenol工业产品，包括适用于各种应用的连接器、插座和端子。贸泽曾多次荣获Amphenol Industrial颁发的多项优秀分销商大奖，包括2012、2013和2015年度分销商奖和2014、2015年的全球最佳表现奖，同时获奖的还有TTI公司。

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  • Allegro MicroSystems，LLC推出具有用户可配置的双重故障功能的差动式、高精度、高隔离度电流传感器

     美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems，LLC宣布推出一款全新高精度霍尔效应电流传感器IC ACS720，它具有多种可编程故障级别，适用于工业和消费类应用，尤其是电机控制和电源逆变器级等相关应用。Allegro ACS720的一个主要优势是通过专有的IC SOIC-16W封装能够以较少的物料清单提供所需的高隔离度。ACS720采用5V单电源供电，能够保持输出电压摆幅为0至3V，并具有稳定的零电流输出1.5V。这样，ACS720在以5V电源工作时，其输出能够支持许多MCU上的典型3.3V ADC。此外，ACS720的高电源抑制比(PSRR)能够抑制PCB或系统中电源的噪声，从而在高噪声环境下也能保持高精度。 ACS720器件具有用户可配置的双重故障功能，快速和慢速故障输出可以进行短路和过流故障检测。来自ACS720电源的用户创建电阻分压器可用于设置故障级别，故障输出为开路漏极，允许用户将其上拉至MCU兼容电压。开路漏极输出还允许实现多个传感器故障输出的简单逻辑OR。 ACS720还集成有差动式电流检测，能够抑制外部磁场，大大简化了三相电机应用中的电路板布局。由于采用了Allegro专利的数字温度补偿技术，因而在此开环传感器IC中能够实现接近闭环的精度，为那些传统上依赖于闭环技术传感器的电流传感应用提供了一种体积更小、更经济实惠的解决方案。 ACS720采用小型表面贴装SOIC16封装，引脚框为100%雾锡电镀，并与标准无铅印刷电路板组装工艺兼容。在器件内部，除了RoHS免除的倒装芯片高温铅基焊球，器件也是采用无铅设计。ACS720器件在出厂前已经完全校准。 欲了解ACS720的价格和其他信息，请联系Allegro上海分公司。

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  • 这次瞄准中端市场：联发科即将推出两款P系列芯片

     联发科将在本月底发布Helio P23、Helio P30新两款P系列产品，带来了全新Modem的加入，大幅提高网络性能，重点发展中端市场。 据消息了解，来自counterpoint调研机构的数据，目前国内智能手机市场成长速度最快的还是2000左右价位段的中端手机，OPPO/vivo两家更是依靠稳健的产品策略实现上亿的年出货量。在消费升级的大势下，中端市场无疑是未来竞争的核心阵地，市场对于中端处理器的需求日渐明显。据目前消息来看，在本月底，联发科可能将会发布Helio P23、Helio P30两款P系列产品。对于这两款新品，整合新成本架构的Modem，并且持续升级Modem性能。 据爆料了解，Helio P23将采用16nm工艺制程，八核心Cortex A53架构，GPU可能直接采用自家旗舰处理器X30上同款IMG PowerVR 7XTP(主频为850MHz)，性能上相较与X20提升了2.4倍，功耗降低60%，支持最新的LPDDR4X内存，2K分辨率屏幕, 支持双卡双Volte以及Cat.7级别的连接性。而Helio P30采用的是台积电12nm制程工艺，拥有2.4GHz四核A72+1.5GHz四核A53的CPU架构，并且搭配Mali-G71处理器，支持双通道LPDDR4内存规格，存储采用eMMC 5.1及UFS 2.0规格, 无线连接能力提升至Cat.10，达到最高下行速率600Mbps。这两款处理器均会支持双摄，内嵌视像处理器(VPU)并搭配图像信号处理器(ISP)，实现了实时景深广角变焦镜头、快速自动曝光、弱光实时降噪等高级功能。 最后，最主要的是联发科做到了支持双卡双Volte的芯片解决方案，实现通话的时候仍然保持数据连接，在玩游戏的时候即使突然有电话，也不会掉线。看来联发科重新发力中端手机市场，今年联发科会不会有机会咸鱼翻身呢?就看联发科推出最新P系列芯片是否赢得中端市场的青睐呢?让我们拭目以待吧。

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  • 关键时期—中国半导体发展的加速期

    半导体的发展决定了一个国家工业信息化的进程，我国高度重视鼓励新技术半导体的发展和应用，此时，正处在半导体发展的关键加速期。  虽然目前国内LED企业和国际巨头相比还存在一定差距，但是可以看出，国家未来将力推业内龙头标杆企业的出现，从而与国际知名企业抗衡。 为进一步提升产业整体发展水平，引导产业健康可持续发展，近日，国家发改委、教育部、科技部等13个部委联合印发关于《半导体照明产业“十三五”发展规划》(以下简称《规划》)的通知，旨在引导我国半导体照明产业发展，培育经济新动能，推进照明节能工作，积极应对气候变化，促进生态文明建设。 《规划》的提出对于推动半导体照明产业发展将起到怎样的作用?我国半导体照明产业发展面临哪些机遇与挑战?对此，中国经济时报记者专访了赛迪智库集成电路研究所副主任葛婕。 坚持创新引领半导体照明产业成效显著 中国经济时报：目前，我国在半导体照明技术创新和产业发展等方面取得了哪些成效? 葛婕：正如《规划》中提到的，“十二五”期间，我国多部门、多举措共同推进半导体照明技术创新与产业发展，在产业、技术、企业、应用等方面都取得了明显成效。 一是从产业方面来看，随着全球禁止白炽灯计划的逐步推进，我国半导体照明行业总体呈现出稳定增长的态势，2016年超过5000亿元，近五年来年均复合增长率超过20%。特别是去年以来，上中游芯片、器件价格整体上涨，LED芯片产品上涨平均幅度约为10-15%，中游封装器件价格上涨5-10%。进出口方面，2011年以来我国整体照明产品的出口增长速率保持在较高水平，照明产品的出口增长速度保持在10%以上。 二是从技术方面来看，我国LED产业关键技术与国际水平差距进一步缩小，已成为全球LED封装和应用产品重要的生产和出口基地。在LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，形成了从上游材料、芯片制备、中游器件封装及下游应用的比较完整的研发与产业体系。特别是硅基LED技术作为三种技术路线不断取得突破，研发水平国际领先。 三是从企业方面来看，LED上市企业表现突出，整体盈利情况逐渐好转。面对应用市场需求和竞争态势，LED企业寻求并购等途径以求加强企业竞争力以及盈利能力。 四是从应用方面来看，细分市场受到进一步关注。小间距显示、车用LED、手机LED闪光灯等细分市场受到关注;生物农业光照(三安泉州植物工厂)、光医疗、通讯、安全、杀菌消毒等创新应用将成为替代阶段之后的新增长点和长期成长动力。越来越多的LED企业将向高毛利的细分市场转战。大企业借助资本市场，通过整合并购，进一步集聚优势资源，继续做大做强。中小企业则须深耕细分市场，做精做专，才能谋得出路。 同质化趋势有待改变标准体系有待健全 中国经济时报：随着云计算、大数据、人工智能等快速兴起，我国半导体市场需求持续快速增长，市场缺口较大。目前，半导体照明产业发展面临哪些障碍和挑战? 葛婕：在半导体照明智能化、跨界融合、商业模式变革等发展趋势的背景下，我国主要面临两方面挑战：一是产品同质化竞争，质量有待提升。LED照明进入门槛相对较低，产品具有同质化发展趋势，且主要集中在中低端，缺乏差异化创新。同时，企业为了争夺市场，用低端产品，牺牲性能降低成本，产品存在价格便宜、质量没有保障的现象，这也直接导致了整个LED行业市场产品质量良莠不齐、价格混乱的现象。 二是标准亟待完善，核心知识产权有待加强。我国面临标准体系不健全、执行不到位、更新不及时等问题，LED标准大多是推荐性的标准，并非强制执行，导致部分企业对标准缺乏重视而难以执行。同时，虽然我国目前已经成为全球最大的LED照明产品生产地和出口国，但是自主知识产权缺乏，企业专利缺乏，保护体系基本处于防御状态，成为制约企业走出去的重大瓶颈。 政策带动业内龙头标杆企业有望产生 中国经济时报：此次《规划》的提出对于推动半导体照明产业发展将起到怎样的作用?此次《规划》有哪些亮点? 葛婕：《规划》从创新引领、产业转型、产品推广、市场监督、区域合作、协调管理等六大方面，为“十三五”期间我国半导体照明产业发展指明重要方向，进一步为企业营造良好的政策环境。 特别是其中有两个重要亮点，一是在技术创新方面，坚持创新引领，促进跨界融合，实现从基础前沿、重大共性关键技术到应用示范的全产业链创新设计和一体化组织实施。通过国家层面组织共性关键技术研发和生产推广，将极大提升我国LED企业的自主创新和研发实力，加快推动产业迈向中高端。 二是实施能效“领跑者”引领行动。2015年，国家就曾推出过“能效领跑者”制度，鼓励企业进行节能环保生产，同时，将一批符合标准的企业纳入采购清单，此次再次强调，充分说明了政府在LED照明节能环保方面的决心。如果《规划》中的各项行动计划都能落到实处，将对我国LED产业带来重大促进作用。 中国经济时报：《规划》提到，到2020年，形成1家以上销售额突破100亿元的LED照明企业，培育1到2个国际知名品牌，10个左右国内知名品牌，为此，还需要在哪些方面下功夫? 葛婕：虽然目前国内LED企业和国际巨头相比还存在一定差距，但是可以看出，国家未来将力推业内龙头标杆企业的出现，从而与国际知名企业抗衡。目前，随着国内LED照明行业的崛起，涌现出三安光电、欧普照明、雷士照明、国星光电、德豪润达、佛山照明、木林森等一大批业内知名企业。2016年三安光电已经实现销售收入63亿元，同比增长29%;欧普照明也达到55亿元，同比增长23%;飞乐音响销售收入72亿元，同比大幅增长42%。按照目前的增长情况，我个人对“十三五”实现这个产业目标还是比较乐观的。 为实现整个产业的持续发展，未来应该注重以下三个方面: 一是引导上下游企业联合攻关，实现产品协同配套。围绕下游应用领域对上游芯片技术和中游封装工艺提出的新要求，加强引导和集中支持产业链上下游骨干企业开展战略协作，并进行联合攻关，实现关键共性技术的集中突破，产品的协同发展。 二是推进关键技术创新，提升全产业链核心竞争力。突破外延生长与芯片制造、器件封装、专用材料、关键设备、照明产品及关键零部件等核心技术，重点开发高光效、高显色性、低色温的LED技术和产品。鼓励企业和高校共同推进新材料和新结构器件的研发，包括具有自主知识产权的硅基LED技术、同质外延技术、图形化衬底技术等，并尽快实现产业化。 三是瞄准新型应用，抢占发展先机。开拓LED在智能照明系统、生态农业、医疗保健、汽车照明等领域的研发工作，鼓励企业瞄准新型应用领域开展技术创新，抢占发展先机。

    半导体 半导体 照明产业

  • 性能全面提升Cree新一代XLamp XHP70.2 LED在贸泽开售

     2017年8月14日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起备货Cree的XLamp® XHP70.2 LED。与第一代XHP70 LED相比，这些第二代超高功率(XHP) LED的光通量提高了9%，每瓦流明(LPW)增加了18%。 贸泽电子供应的Cree XLamp XHP70.2 LED封装尺寸与前代产品相同，均为7.0 mm x 7.0 mm，使得客户在现有XHP70设计基础上，能够轻松实现产品升级。XHP70.2 LED提供120°宽视角，与相同尺寸的最接近竞争对手相比，此LED的流明密度最多可提高58%，对于高流明照明应用，可以实现更小体积的灯具和更好的光学控制。 除了光输出和光效的升级外，XHP70.2 LED还通过二次光学设计进一步改善了光学一致性，帮助灯具制造商提升照明性能。XHP70.2 LED的LM-80数据可即刻获取，帮助缩短通过美国能源之星 (ENERGY STAR®)和DesignLights Consortium认证所需的时间。 贸泽电子供应的XHP70.2 LED符合ANSI(白色)标准，采用Cree先进的EasyWhite® 技术，提供2阶、3阶和5阶麦克亚当椭圆分档，在相关色温 (CCT) 3000K到5700K 范围内提供高显色指数(CRI)选项。此款LED可配置为6 V/4800 mA或12 V/2400 mA，在85°C结温下接受测试与分档。

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  • e络盟 推出两款全新 ADI PulsarPMOD 主板

     Pmod(外设模块)接口是一种与 FPGA 和微控制器配合使用的开放标准规范。在进行原型设计时，这两款主板可与 ADICUP360(一款兼容 Arduino 外形的 ARM Cortex-M3 开发平台)或 ADICUP3029(一款基于 Arduino 的无线开发平台，适用于采用超低功率 ARM Cortex-M3 处理器的物联网应用)结合使用。SPI 和 I2C PMOD 外设连接器也可在许多第三方 MCU 或 FPGA 开发板上找到，其中 PulsarPMOD 主板系列可以直接连接到这些系统中，以便您使用网上找到的 ADI 参考代码来开发自己的代码。 EVAL-ADT7420-PMDZ 是一款温度测量 PMOD 主板(可精确到 0.25 摄氏度)。这款主板配备 I2C 连接器，可连接至 FPGA 和 MCU 平台。 EVAL-ADXL355-PMDZ 是一款低噪声、低漂移 3 轴加速计 PMOD 主板，具有 20 位加速度分辨率，并且可连接至 FPGA 和 MCU 平台。 电气和物理直接连接让您可以快速启动硬件和软件，以便开发您的解决方案。 这两款 PMOD 兼容主板现可在 Farnell element14(欧洲)、Newark element14(北美洲)和 e络盟(亚太地区)上订购。 访问 e络盟 互动社区，了解有关 EVAL-ADT7420-PMDZ 和 EVAL-ADXL355-PMDZ 的详细信息。

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  • 三星、英特尔、美光、谷歌等巨头齐聚中国•深圳，只为CFMS2017峰会而来

     2017年9月6日，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办的以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会CFMS2017(http://cfms.chinaflashmarket.com)，将在深圳华侨城洲际酒店隆重举行，不仅邀请三星、英特尔、美光、江波龙、Marvell等国内外存储重量级企业嘉宾演讲，中国闪存市场ChinaFlashMarket也会针对存储产业发展进行数据分析和报告。 图一：扫描图片二维码即可进入峰会报名页面 原厂64层3D NAND增加量产，Fab工厂扩大投产，对产业影响重大 随着技术的快速发展，2017下半年Flash原厂三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等64层/72层3D NAND纷纷进入量产，英特尔和美光新型3D Xpoint技术也开始投入商用。在3D技术快速迭代推动下，原厂之间技术竞争急剧升温，数据中心、企业等领域数据存储也将迎来新的挑战。 此外，Flash原厂新Fab工厂也在扩大生产，比如：三星耗资150亿美元新建的平泽Fab 18工厂，英特尔独自投资升级设备的大连工厂，美光投资40亿美元在Fab 10N旁新建的Fab 10X，以及SK海力士新建的M14工厂，东芝正在新建的Fab 6工厂等，这些都将对NAND Flash产业发展造成重大影响。在以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会CFMS2017上，三星、英特尔、美光将从3D NAND和3D Xpoint创新技术、全球市场战略布局、产能规划等方面介绍NAND Flash产业的发展。 3D NAND扩大出货，NAND Flash后续市场和价格将如何发展? 由于Flash原厂技术由2D NAND向3D NAND发展，产出减少造成市场供不应求，刺激NAND Flash自2016年Q2以来持续涨价。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，2017上半年消费类每GB销售价格在高峰期已突破0.3美元，价格持续且大幅上涨已对产业造成很大影响，尤其是对正值增长期的SSD市场。 2017下半年，Flash原厂新3D NAND扩大出货，未来市场和价格将会有怎样的变化，NAND Flash市场供货紧缺还会延续多久，Flash原厂扩产是否会造成后续市场供过于求，存储企业市场机会又在哪?中国闪存市场ChinaFlashMarket将针对全球存储市场格局变化和中国存储产业发展进行数据分析和报告。江波龙将分享企业存储成长之路，以及企业市场机遇和产品创新应用。 图二：CFMS2017演讲嘉宾 NAND Flash从SLC发展到MLC，再到TLC成为主流，现在又向3D NAND发展，在这个技术演变的过程中控制芯片厂起到了非常重要的推动作用。国际控制芯片厂Marvell，台系控制芯片厂慧荣，国内控制芯片厂硅格半导体将分别介绍其控制芯片技术的发展和创新，以及对UFS、SSD等主流产品的支持和在中国市场上的战略布局。 大数据对SSD需求大增，车载市场存储新生力军崛起 数据中心、企业等领域对数据存储需求与日俱增，下一个五年蓬勃发展的物联网产业从车联网开始爆发，当下互联网企业谷歌、百度、阿里巴巴、腾讯等正在增加部署SSD提高数据处理、数据分析、数据快速反应的能力，中国汽车市场的存储需求也在快速增长。在中国闪存市场峰会CFMS2017上，谷歌将介绍大数据有关的存储应用，英伟达将讲解智能汽车先进技术和车载存储应用。 中国作为全球NAND Flash产业最重要的市场，战略地位举足轻重，而且在国家政策扶持下，国家大基金正在大力支持集成电路制造、设计、封装等领域的中国企业发展，让更多中国存储优质产业链厂商体现出创新、共享、品质、服务等互补新模式。在中国闪存市场峰会CFMS2017上，国家大基金/华芯投资是如何支持中国存储企业快速发展，海康存储在行业和汽车存储市场可提供怎样的创新应用，答案就在9月6日举行的中国闪存市场峰会CFMS2017，期待您的到来! 图三：扫描图片二维码关注中国闪存市场微信公众号，“微信菜单”进入报名

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  • Xilinx可重配置存储加速解决方案 亮相2017年闪存峰会

     近日，All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc.，(NASDAQ:XLNX))宣布，在2017 年闪存峰会上展示了可重配置存储加速解决方案。通过一系列的演示和介绍，赛灵思及其生态系统重点展示了用于当前和下一代企业和数据中心应用的高性能存储解决方案。在今年的闪存峰会上首次公开亮相的赛灵思NVMe-over-Fabrics参考设计为设计人员提供了灵活的平台，不仅可以帮助设计者实现可扩展的存储解决方案，而且还能帮助他们将定制加速功能集成到其存储阵列中。该参考设计无需专用 x86 处理器或外接网卡，因此能开发出高度集成、稳健可靠的低成本解决方案。 赛灵思在展会上的演示与参与的小组讨论包括 · 面向下一代NVMe平台的可重配置存储加速 演讲者：Rakesh Cheerla，赛灵思产品经理 · 用 FPGA 加速基于NVMe-over-Fabric 的存储网络 演讲者：Deboleena Minz Sakalley，赛灵思高级设计工程师 · 用 FPGA 和一体化闪存存储技术加速数据分析 演讲者：HK Verma，赛灵思首席工程师 赛灵思在展会上的精彩演示： · NVMe-over-Fabric平台 赛灵思单芯片存储解决方案将NVMe-over-Fabric、目标 RDMA 卸载和处理子系统完美集成在一起，相对于需要外部主控芯片和网络接口卡(NIC)的现有产品而言，更加省电且能提供更低时延。该 2x100Gb 以太网平台能帮助客户实现增值存储工作负载加速如压缩和擦写代码等。 · 面向数据驱动型应用的计算存储子系统 ScaleFlux计算存储子系统(CSS)独特地解决了计算和存储 I/O 瓶颈问题。CSS压缩技术能加速吞吐量实现数量级提升，而且不必运行软件解决方案需要的成本不菲的 CPU 开销，从而可以实现性能不减，存储容量利用率最高。 · 支持多源闪存产品的的可编程控制器 Burlywood 的TrueFlash模块化控制器架构，不仅能加快新型 NAND 的市场采用进程，同时为云端、全闪存阵列和超融合 OEM 客户带来突破性的成本和性能优势。采用赛灵思UltraScale+™ FPGA的TrueFlash，充分利用赛灵思器件的功耗、性能和成本方面的优势，能帮助客户快速优化解决方案，满足工作负载要求，还能运用同一控制器验证多种 NAND 产品。 包括Everspin Technologies、IntelliProp、IP-Maker、Kazan Networks、MobiVeil、PLDA和Smart IOPs 等公司在内的赛灵思生态系统公司，都在其 FMS 展台演示了各自基于赛灵思技术的产品。 关于NVMe-Over-Fabrics： NVMe-Over-Fabrics(简称 NVM-oF)参考平台实现在Fidus Sidewinder卡上，支持多达 4个NVMe SSD 并采用赛灵思 ZU19EG Ultrascale+ MPSoC器件。该参考平台配套提供所需的所有必要软件驱动程序。 赛灵思 ZU19EG 器件能把NVMe-oF和 ROCEv2 RDMA 协议工作解放出来，从而无需外部 CPU和外部 NIC。这种高度集成的平台降低了存储阵列控制器的构建成本和功耗要求。 该参考设计应用广泛，涵盖全闪存阵列系统、可扩展的存储阵列和 EJBOD 系统。

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  • 晶门科技推出突破性 TDDI IC 迎合最新18:9无边框智能电话潮流

    晶门科技有限公司("晶门科技")，一家专门设计、开发及销售专有集成电路IC的半导体公司，今天宣布推出新的触控显示集成 (TDDI) IC — SSD2023U。SSD2023U支援全高清+(FHD+)(1080 × 2160) 内嵌式LTPS面板技术，是一个突破性的产品，可捕捉市场新趋势 - 无边框及18:9屏幕长宽比的高分辨率智能手机。 SSD2023U 驱动的FHD+内嵌式 LTPS 面板 SSD2023U的突破性设计和功能，有助LCD制造商和智能手机生产商克服挑战，将主画面及指纹按钮融入屏幕内，实现显示面积最大化： (1). 单层 COF 设计达至最佳“无边框”显示和成本最小化 SSD2023U 的Chip-on-Film(COF)设计，有别于传统的Chip-on-Glass(COG)设计，有助实现最佳的“无边框”显示。目前市场上最高端的所谓“无边框”智能手机只采用了传统的COG设计，实际上达至两侧和顶部无边框，而底部则有4~4.3 毫米窄边沿。 而SSD2023U独特的电路设计，采用了高速多任务技术，实现Chip-on-Film(COF)设计，有助底部边框进一步减少至只有2.7毫米，让终端用户体验更接近完全“无边框”的显示。此外，COF的单层设计有助达至生产成本最小化。 (2). 图像可扩展达至FHD+以配合长宽比18:9 目前市场上智能手机的应用处理器(AP)，只支持高清或全高清。SSD2023U的综合IP 引擎让智能手机制造商可克服此挑战，将图像扩展至FHD+(1080 × 2160)以配合18:9长宽比。 (3). 前所未有的触控体验 “无边框”屏幕往往有较容易产生误触的问题。SSD2023U先进的专利maXTouch® 屏幕触控技术，可让使用者享无与伦比的触控经验： ž    智能手握抑制（Smart Grip Suppression）： 清晰区分手指、手掌和拇指，让使用者能够握住手机并同时进行页面滚动的操作而避免误触 ž    卓越的带水跟踪性能︰ 可让两只手指进行带水跟踪操作 ž    无与伦比的触屏灵敏度（Sensitivity）： 支援尺寸最小1.5 毫米的被动触控笔   ž    优越的触控表现︰ 高信噪比（Signal-to-Noise Ratio）（超过50dB）； 超快触控点报率（120Hz）             SSD2023U 实现了无边框及18:9长宽比的FHD+智能电话 (4). 睡眠模式下超低功耗的手势唤醒感应 SSD2023U支持在睡眠模式以超低功耗(< 2.6mW)进行手势唤醒。 规格： 项目 规格 面板 LTPS 内嵌式6MUX面板 分辨率 1080 RGB x 2160 长宽比 18:9；19:9；20:9 触摸传感器数量输出 支援最多 648点 界面 MIPI-DSI: 4 信道, 4Gbps/4通道 MIPI-DBI C-类 (选项1及选项3), I2C 先进功能 接口 (VDDIO) 电压：1.8 V-3.3 V 窄边框COF设计 扩展功能 背光控制（CABC） 对比度增强和清晰度增强 阳光可读性增强 两指带水 智能手握抑制

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  • 东芝芯片出售陷入僵局 中国有望实现3D闪存芯片国产化

     存储器作为智能终端产品中的重要元件，一直是芯片行业的重要组成部分，也是我国发展半导体产业的重点方向之一。今年以来在存储器芯片领域受关注的行业事件中，东芝出售存储芯片业务绝对要算在其中，且近日又有关于此事的消息传出。详情一起来了解。 东芝与西数“友谊的小船”彻底翻了 8月3日，东芝公司宣布，公司将在没有合资公司伙伴西部数据参与的情况下，自主推进投资建立新存储芯片生产线的计划。这也意味着东芝和西数数据未能就投资事宜达成一致。 近些年，电子设备配置的闪存越来越多，闪存逐步淘汰电脑中的机械硬盘，这使得闪存成为一种朝阳业务。作为全球闪存的发明者和领先企业，东芝在市场份额上，仅次于三星电子名列全球第二。使得东芝闪存业务成为科技巨头争抢的“香饽饽”。 然而，此前东芝曾出售自己的芯片部门以弥补巨额亏损，没想到此事却成为东芝与合西部数据产生隔阂的原因。 东芝自主生产线将主打3D芯片 据悉，东芝新的生产线将通过下一代的3D技术生产储存芯片，预计将于明年夏天正式启用。而在今年年初也有消息称，该生产线1期将于2018年夏天竣工。东芝方面称，他们将致力于提升3D闪存芯片的使用占比，争取在2019年3月前，将该芯片的占比提升至90%左右。 由于在存储芯片堆叠时使用了IBM的过孔硅技术，相同面积的3D闪存芯片将获得10倍于传统芯片的存储容量。同时，传输数据消耗的能量将减少70%，传输速度也将提升到标准DDR3芯片的15倍左右。 国产3D闪存2019年实现量产 目前，国内在用的存储器芯片几乎全部依赖进口。不过，近年来我国一直把3D闪存芯片作为发展芯片行业的重中之中，而国家存储芯片基地更是在万众瞩目下迅速壮大。 据悉，由紫光主导的长江存储最快将在2017年底正式推出32层堆栈结构的3D闪存芯片。2019年，将实现量产3D 闪存芯片，2020年之后，长江存储很可能在“技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平”。 而与此同时，武汉新芯科技(XMC)也正在武汉开工建设12英寸晶圆厂，预计将在2018年推出48层堆栈的3D闪存。 客观来看，目前国产3D闪存32层堆栈的起点已经相当可以了，三星、Hynix、东芝、美光等公司第一代3D闪存也不过是24层堆栈。不过要想进一步缩小与国外的技术差距，仍需加快技术储备推进研发速度。

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  • 东芝重启与富士康出售芯片业务谈判

    日本东芝公司已就出售其内存芯片业务重启与富士康的谈判，这使得日本政府牵头的集团不再作为优先考虑对象。 该交易的价值可能达到200亿美元。但在面临寻找买家和获得监管部门批准的压力的同时，东芝难以出售芯片业务。东芝称，出售内存芯片业务，才能在2018年3月的财政年度末前将东芝股东权益转至正值，否则东芝的股票将被摘牌。 分析师与知情人士表示，由于东芝芯片业务用于电脑、智能手机和游戏设备的NAND闪存芯片在市场上颇为畅销，出售该子公司的交易可能获得至少2万亿日元(约合180亿美元)资金。 此前西部数据称，该公司拥有对东芝芯片子公司出售交易的否决权。东芝表示，情况并非如此，这两家公司已诉至法院。 即使东芝达成交易，获得全球主要国家反垄断部门的批准还需要至少六个月。

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  • 东芝2016财年年报终获普华永道确认 净亏88亿美元

     据外电报道，在连续推迟多次之后，东芝周四发布了该公司截至2017年3月31日的2016财年财报。东芝周四发布的这份财报，得到审计机构的签字确认，这也让在经历了会计丑闻、大规模资产计提、且出售芯片业务面临法律纠纷的东芝得到一丝喘息之机。 东芝发布的财报显示，该公司2016财年净亏损为9657亿日元(约合88亿美元)，略好于市场预期的净亏损9774亿日元，好于东芝此前预计的净亏损1.01万亿日元。东芝预计，公司2017财年的净利润将达到2300亿日元。 尽管财报获得审计机构的批准对东芝而言是一个重要里程碑，但会计师事务所普华永道也对东芝的内部控制提出批评。东芝表示，否定意见可能会对公司的融资、利润以及股东出售股票产生“严重负面影响”。在夸大利润来掩盖核电子公司数十亿美元亏损的丑闻被曝光后，东芝一直处于东京证券交易所的退市观察名单中。东芝会不会退市将取决于东芝证交所的评估，或者它能不能在2018年3月之前填补资产负债表中的财务漏洞。 东芝今年以来已多次推迟发布财报，原因是由于存在争议，财报得不到其审计公司普华永道的签字确认。双方矛盾的焦点，主要是东芝知晓美国核电业务巨亏的时间节点。东芝此前甚至试图更换审计机构，一度陷入断绝状态，但目前与普华永道的关系似乎已趋于正常。 东芝此前通过收购西屋电气进入美国核电建设市场。不过西屋电气因收购美国资产爆出重大失误，导致东芝减记资产63亿美元，公司股价暴跌，并陷入资不抵债的境地。为应对西屋电气带来的63亿美元亏损，以及为继续出现的财务问题设置缓冲，东芝还在考虑出售部分或全部的闪存芯片业务。 ACE研究所分析师Hideki Yasuda表示，“东芝终于提交了财报，且获得审计机构的批准，这是个好消息。但是这并不意味着东芝退市的风险已经消除，但至少已清除了最棘手的障碍。” 为避免连续第二个财年股东权益为负值，导致自动被退市的情况出现，东芝必须在2018年3月前出售旗下闪存芯片业务。消息人士透露，东芝可能会通过出售闪存芯片业务获得大约2.1万亿日元资金。东芝在上月表示，电能计量公司Landis+Gyr的首次公开招股将会让公司获益1617亿日元。东芝持有60%的Landis+Gyr AG股份。 东芝股价周四在东京证券交易所以上涨收盘。该公司股价今年以来累计上涨了4.6%。包括对冲基金绿光资本、新加坡基金公司Effissimo Capital Management、King Street Capital Management等投资公司在今年已通过公开市场买入成为东芝的股东。 东芝在财报中表示，本财年的利润预期中包含Landis+Gyr首次公开招股的套现所得，但没有计入出售芯片业务的收益。东芝预计，本财年营收将增至4.97万亿日元，运营利润增长59%至4300亿日元。 东芝发布的财报还显示，该公司截至6月30日的第一财季运营利润同比增长近6倍，达到967亿日元;营收同比增长8.2%;净利润则同比下滑37%，降至503亿日元。

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  • Vishay推出的新款磁性编码位移传感器具有高精度、高可靠性和更长寿命

     宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 8 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的磁性位置传感器---RAME027，其精度可与霍尔效应器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。一次可编程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度为±0.33%，高度只有27mm。典型应用包括国防和工业用的操纵杆、电动执行器、机械工具、纺织品制造、铣床和机器人。 可靠的性能和结构，使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功能强化、针对EMC和ESD的保护功能，对RAME027进行定制。Vishay还可以提供额外功能，和温度范围更宽的产品。 RAME027的工作电压为5V(±0.25V)，5V下的耗电小于20mA。器件的有用电角度为360°，带模拟输出，分辨率为12位，可在−25℃～+85℃温度范围内工作。 RAME027现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

    半导体 传感器 Vishay 编码位移

  • 三星台积电各出奇招,争夺苹果A12芯片订单

    虽然三星据称正积极争夺明年的A系列芯片订单，但消息人士说，即使三星能够用OLED屏幕诱惑苹果，也不足以让苹果重新将三星添加到其A系列芯片次级供应商名单。台积电在后端封装方面的创新优势，是该公司能够获得苹果全部iPhone芯片订单的关键。 台积电是台湾一家半导体制造公司，成立于1987年，是全球第一家、以及最大的专业集成电路制造服务企业，拥有约56%的市场份额，也是苹果A系列处理器代工厂，有媒体在早些时候称，三星苹果A系列芯片供应商行列，为苹果代工明年iPhone使用的所谓A12芯片。然而如今，又有台湾媒体称，台积电“仍然很可能”在2018年维持其苹果A系类芯片独家代工厂商的头衔。 原因在于台积电在其7纳米FinFET工艺中使用的“整合扇出型”晶片级封装技术上的先进性，若三星以较台积电7纳米ASP还要低20%的8纳米抢进苹果AP订单，明年苹果AP订单毛利率可能仅有25%，意味着营业损失。虽然三星据称正积极争夺明年的A系列芯片订单，但消息人士说，即使三星能够用OLED屏幕诱惑苹果，也不足以让苹果重新将三星添加到其A系列芯片次级供应商名单。 台积电在后端封装方面的创新优势，是该公司能够获得苹果全部iPhone芯片订单的关键。 台积电连续代工了iPhone 7和iPhone 7 Plus使用的A10芯片，以及即将推出的iPhone 8、iPhone 7S和iPhone 7S Plus使用的A11芯片。如果台积电在2018年成为A系列芯片独家制造商，将标志着它连续第三年独家生产iPhone芯片。 三星和台积电同时为苹果的iPhone 6s和iPhone 6s Plus提供了A9芯片，但是台积电的芯片被发现能够提供略微长一点的续航时间，这或许也是苹果选择台积电的另一个原因吧。 就在前段时间，台积电公布了其第二季度财报，财报显示，2017年第二季度，台积电营收为2138.6亿元，较上年同期的2218.1亿元下降3.6%，较第一季度的2339.1亿元下降了8.6%。 其中，10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的1%;16/20纳米处理工艺占据了总晶圆营收的26%;28纳米以及以上先进工艺占据了总晶圆营收的54%。

    半导体 三星 晶圆代工 台积电

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