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  • 宏达电传鸿海代工 或与联发科合作

    讯：宏达电在高层权力重组后，力图重振雄风，包括营运及产品策略都会进行调整，可能走向委外代工，外电报导点名，目前考虑委外合作厂商包括鸿海旗下富智康及纬创，但宏达电否认，被点名厂商也不评论。此外，法人传出，宏达电与联发科合作有谱，明年在低端机款可望采用联发科芯片。宏达电执行长周永明前天在内部员工会议中，针对员工提问是否像苹果（Apple）将品牌与制造分开，他说：“不排除寻求外在合作。”让外界留下想像空间。根据路透报导，宏达电桃园厂4条产线有1条已停产，其中2条产线已合并，平均每个月产量减少100万支。据传合作对象找上鸿海旗下富智康及纬创。但宏达电对此传闻予以否认，并强调绝对无停工或出售工厂的规划，公司拥有非常健全的财务状况。外界点名富智康纬创鸿海代理发言人刘冠吟昨天表示，不予置评。据了解，宏达电早在1~2年前曾经跟鸿海谈过合作，但因宏达电坚持在台湾研发，并维持自制策略，最后合作破局。富智康是鸿海手机事业群，以设计、研发、代工制造为主，主要客户包括小米、华为等，今年上半年获利1800万美元（约5.3亿元台币）。同样遭点名的纬创，董事长林宪铭昨被问及是否争取宏达电释单时，则回答：“没有、这我不了解。”除了外电报导将寻找委外代工伙伴之外，宏达电为因应中国千元人民币智能手机市场布局，也传出可能找上联发科携手合作。据消息来源指出，宏达电本月已开始与联发科洽谈合作，依据宏达电中低端产品策略规划，明年有望推出搭载联发科芯片机种。消息来源透露，事实上，今年初联发科与宏达电就曾洽谈合作案，但最后却不了了之，随着下半年宏达电在经济规模限缩及成本结构压力下，双方又重启合作对谈，在宏达电严控成本且将切入低端手机市场下，这次双方携手机会浓厚。 12 责任编辑：Mandy来源：台湾苹果日报 分享到：

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  • 手持设备LCD背光LED驱动方案浅述

    进入二十一世纪，能源消耗日益成为整个人类社会关注的焦点。出于对于照明的基本需求，如何更有效的利用各种能源产生更多的照明，成为探索新的照明技术的巨大驱动力。从原始的燃料照明到白炽灯，从荧光灯到各种发光材料的探索，催生出LED照明技术。在如今社会，各种媒体设备照明环境需求的差异化，进一步促进了人类探索如何利用各种高亮度LED进行照明。LED在照明方面的应用已经吸引广泛关注。LED基本原理及性能特点首先我们来介绍一下LED的基本原理以及性能特点。LED的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。LED光源具有以下特点：1.电压：LED正向导通工作电压较低，可以使用低压电源驱动，供电电压根据最终产品不同而异，是一个比较安全的照明设备，特别适用于公共场所。2.效能：同等照度的情况下消耗能量较同光效的白炽灯减少80%。3.适用性：每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境。4.稳定性：通常为10万小时，光衰为初始的50%。5.响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级。6.对环境污染：无有害金属汞。7.颜色：LED的发光颜色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关，目前有红、绿、蓝三种基本颜色。8.价格：与白炽灯相比，LED的价格较高，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，不过随着技术工艺的进步，可以逐步提升性价比。LED驱动方案LED自问世以来，就得到人们的极大关注，LED驱动器件和驱动方式不断更新以便更加有效地驱动LED为人类照明。从早期的DC/DC开关电源到电荷泵，以及追求成本的低边驱动和LDO,人们在不同的应用情况下选用不同的驱动线路，作为市场关注的热点，便携产品的显示背光是LED背光应用的主要市场，下文将针对便携产品的背光显示，介绍当前几种常见的LED驱动方案。1. Step-UP DC/DC开关电源实现LED驱动该方案主要的特点在于：输入电压较低，甚至低至0.7V(单节干电池)，从技术发展的角度看，串联型驱动出现的比较早，技术上也比较成熟，效率较高。典型的应用线路如图1所示。图1：Step-UP DC/DC 开关电源实现LED驱动的典型应用线路。对于这种应用方式，早期的驱动芯片主要采用电流反馈方式，按照VFB/Rb来确定LED的电流，DC/DC反馈电压VFB一般在1.2V左右，这限制了有效效率的进一步提升，本身DC/DC的效率在80%左右，在这种应用情况下，实际效率降低的更多，而随着技术的提高，降低VFB电压到0.1V以内，可以将有效效率提升到85%以上，尤其在驱动2-3颗灯的应用状态下。该方案的优缺点如下：优点：技术成熟，成本相对较低，通过一些新的技术革新，例如图1所示的过压保护功能，或者采用电压电流反馈共同作用，可以得到较高的亮度一致性以及较高的安全系数，尤其以大尺寸屏幕显示的背光应用居多。由于需要较多的LED实现屏幕背光，因而亮度的一致性和均匀性是必须面对的挑战。缺点：本身电感的应用，限制了线路的尺寸以及高度，并且带来工程设计人员不愿意面对的问题-EMI处理，尤其在靠近射频部分，需要针对干扰做专门的处理，否则会导致射频接收灵敏度降低，甚至带来音频部分的干扰，例如音频输出电流干扰声。另外，在这种应用情况下，如果一个LED发生故障就会导致整串LED失效，这是人们不愿意看到的结果。2. 电容式电荷泵驱动模式这是一种比较新的驱动方式。简单来说电容式电荷泵通过开关阵列和振荡器、逻辑电路、比较控制器实现电压提升，采用电容器来贮存能量。因工作于较高频率，可使用小型陶瓷电容器(1μF)，占用空间最小，使用成本较低。电荷泵有两种工作模式，恒压模式，恒流模式。1)恒压模式电荷泵。圣邦微电子的SGM3110就是采用恒压模式的电荷泵，由于恒压模式电荷泵的工作特性，本身具有高开关频率以及大峰值的瞬态电流，因而需要工程师在PCB布板部分额外注意，一般要求外围的电容尽可能靠近器件本身，外围布线要尽量短，本身需要周围的PCB地尽可能大，外围电容也要尽量直接接到SGM3110的地上，如果布线限制，则可以通过大的PCB过孔以及多个过孔来实现良好接地。

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  • 为嵌入式应用选择 实现NAND闪存海量存储

    在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。因为NAND闪存在消费市场上的需求量很高，因而存储成本下降得很快，像POS(销售点)终端、打印机以及其他应用可以用NAND存储器以更低的成本达到更高的密度。然而，由于这些嵌入式应用对更高NAND闪存密度的要求在不断提高，设计师需要从各种NAND闪存类型、密度、供应商以及发展路线图和实现方式中作出合理选择。使用NAND闪存的第一个也是最重要的选择标准是NAND控制器的实现。所有的NAND闪存器件都需要位于软件中的维护开销和作为硬件的外部控制器以确保数据可靠，使NAND闪存器件的寿命最大，并提高性能。NAND控制器的三个主要功能是坏块管理、损耗均衡以及纠错编码(ECC)。NAND闪存以簇的形式进行数据存储，即所谓的块。大多数NAND闪存器件在制造测试时就会发现有一些坏块，这些坏块在供应商的器件规格说明中是有标记的。此外，好的块也可能会在NAND生命周期内降低性能，因此必须通过软件进行跟踪，并进行坏块管理。此外，对特定的块进行不断的读写操作可能导致该块很快“磨损”而变成坏块。为了确保NAND器件最长的寿命，限制磨损块的数量，需要利用损耗均衡技术让所有的块读写次数均衡。最后，由于某个单元的休止或操作可能产生误码，因此必须以软件或硬件方式实现ECC来发现并纠正这些误码。ECC通常被业界定义为每528字节扇区中能纠正的代码比特数。在一个系统中，这种NAND控制器可以按照图1所示的三种不同配置方式与NAND进行组合。除了从图1所示的三种NAND解决方案中作出选择外，设计师还必须在两种NAND闪存器件-SLC NAND和MLC NAND中作出选择，它们各有优缺点。SLC NAND的每个块都具有更长的使用寿命和可靠性，因此需要较少的ECC，并能提供优异的性能。MLC NAND性能则较低，而且难以实现，因为它需要更高等级的坏块管理、损耗均衡和ECC。然而就单比特的价格来说，它大约只有SLC NAND的1/3。由于SLC和MLC NAND之间成本差距越来越大，大多数应用开始转向MLC NAND，特别是较高密度的应用，这样可以大大地降低材料成本。图1中的三选一需要考虑多种因素，包括微处理器对NAND控制器的支持、所采用的NAND类型(SLC或MLC)以及平台所要求的NAND密度。图1：NAND架构选择。如果平台中使用了带完整NAND接口和控制器的微处理器，设计师通常倾向于第一种选择。大多数当代的微处理器即使支持NAND的话，通常也只支持较低密度的SLC NAND存储器。工艺技术限制了SLC或MLC NAND裸片上能够实现的存储量，而当前每个裸片能支持的密度大约为1GB。因此为了支持更高密度的NAND，控制器必须支持多个NAND。通常这需要通过使用交织处理和多个芯片使能管脚实现。而增加多个芯片使能脚以支持多个NAND将使微处理器的引脚数量增多，因此在微处理器中包含该类型的NAND控制器不是十分流行。而且MLC NAND接口在微处理器上很难看到，这有几方面的原因。随着MLC NAND工艺技术节点的持续缩小，支持这种NAND存储器所需的ECC等级变得越来越高。目前MLC NAND所需的ECC等级为4比特，但是很快就会提高到8比特和12比特。更多数量的ECC需要NAND控制器中的硬件支持。然而，微处理器的发展步伐比快速发展的MLC NAND迟缓得多。对很多不同的嵌入式和可插拔式存储器而言，“受控NAND”方法(选项2)非常有用。所有的便携式SD/MMC卡都是这种实现方法，而市场上的嵌入式受控NAND也有几种选择。这种方法有其优势，因为微处理器只需要支持一种SD/MMC类型接口就能使系统支持SLC或MLC NAND。控制器是与NAND存储器堆叠在一起的，负责处理所有的坏块管理、损耗均衡以及NAND所需的ECC。目前受控的NAND实现密度在嵌入式应用中大约为4GB，在移动卡中为8GB。这种方法的缺点是不同的供应商在他们的各种受控NAND上支持不同的接口(有的供应商可能使用SD、有的供应商可能使用MMC，也有供应商可能使用专用接口)，因此更换NAND供应商的时候需要对软件作大量修改选项3让设计师在选择NAND类型以及选择不同供应商时具有最大的自由度。几乎所有的NAND控制器都支持不同类型、不同供应商和不同密度的NAND，而且由于NAND控制器总是使用相同的接口连接处理器，因此设计师可以自由选择不同的NAND类型和供应商，而不需要修改软件。图2所示的框图提供了使用具有完整SLC和MLC NAND管理功能的多媒体海量存储控制器的西桥(West Bridge)实现方式。图2：利用Cypress公司的Astoria器件实现西桥的方法。使用一个“与电脑设计中用到的南桥相似特性和目标”的西桥接口可以支持多个处理器接口，例如SRAM、ADMUX、SPI和NAND，并支持来自任何供应商、ECC为4比特的多达16个SLC或MLC NAND器件。设计师因此能够灵活地在密度方面作出选择，并能随时改变NAND供应商，只需很少甚至不用修改微处理器上运行的软件。使用一个外部NAND控制器还具有其他好处。例如，支持高速USB接口的西桥可以将主处理器旁路掉，并在便携式媒体播放器或手机等应用中提供从PC到海量存储器的直接路径，从而实现最佳的侧边加载性能。如果系统微处理器仅限于SDIO接口的话， 对SD、MMC和SDIO接口的支持还能够帮助设计师连接SDIO类型的器件，例如WiFi或蓝牙。[!--empirenews.page--]当考虑系统的NAND预算的各种要求(比如密度、成本、尺寸和灵活性)时，设计师有好几种NAND实现选项，它们各有优劣。如果系统微处理器有内置的SLC或MLC控制器，就不需要外部器件或逻辑。否则受控NAND方法也不错，因为它由NAND供应商执行封装，同样不需要外部逻辑或芯片。然而，为了获得最大的灵活性，开发商可以利用外部NAND控制器来支持所有的NAND类型和偏好。这种方法还能提供性能和接口等方面的其他好处，但是需要外部芯片。

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  • 祸从口出：“苹果A7是噱头”置高通于困境 原高管调职

    据外媒Cnet报道，原高通高级副总裁、首席营销官（CMO）阿南德-钱德拉塞克（Anand Chandrasekher）此前称苹果64位芯片是营销手段，在发表这一关于苹果的负面评论后，他被转移到一个新岗位。根据高通公司给Cnet发送的一份声明表示，“阿南德-钱德拉塞克，正在转而负责一个新角色，领导公司对一些企业相关举措的探索一职...阿南德将继续向高通公司首席运营官兼总裁史蒂夫·莫伦科夫（Steve Mollenkopf）汇报，这将立即生效。”他将不再出现在高通领导页面。据报道，10月3日高通高管钱德拉塞克称：“关于苹果A7处理器的64位架构，我知道有许多的噪音。我想这只是市场营销手段。消费者从中得不到任何好处。”他认为，64位可以提高内存寻址能力，但现在的智能手机和平板电脑中用不上，它只对4GB以上内存有用，而今天的iPhone 5S只有1GB DRAM。在发表此负责言论后，高通已为该高管重新分配职位。但是后来高通方面已经发布声明，收回此番言论。并声明称：“本公司CMO Anand对64位处理器的评论是不准确的。移动硬件和软件生态系统正朝着64位的方向转移，进化到64位之后，其将为新的移动设备带来桌面级的功能和用户体验”。钱德拉塞克可能已经把高通置入困境，因为苹果已经开始研发第二代64位A8处理器，三星最终也将会把ARM处理器向64位发展。苹果、高通和三星处理器都是基于ARM芯片架构，当今最流行的移动设备基本都选择ARM。今天大多数的处理器仍然是32位。 责任编辑：Flora来源：元器件交易网 分享到：

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  • 基于NXP UOCIII芯片的小尺寸液晶电视设计方案指导

    在液晶电视实际设计中，设计工程师需要根据各国不同的电视标准和要求，如EMI、ESD以及其它各项电视指标等，考虑电路设计、PCB布线和软件，并要确保各部分电路能正常工作。另外，随着人们物质生活水平的提高，对电视画面的要求也越来越高，这就要求在干扰问题以及芯片的画面处理上下足工夫。在本文讨论的设计方案中，我们将高频头部分与其它信号输入部分、电源部分和功放部分的地进行了分割，并将模拟地与数字地分开。同时，在软件设计中，我们对画面的颜色鲜艳度、亮度、对比度、γ校正、自动白平衡调整等方面进行了细致调整，从而使画面逼真、自然。当然，由于液晶屏技术水平的限制，LCD-TV的画面质量与传统CRT电视相比还有一些差别，主要表现在响应时间、对比度和可视角度三个方面。响应时间，即LCD显示器对于输入信号的反应速度，液晶由暗转亮或是有亮转暗的时间。它通常以毫秒计算，响应时间越短越好，时间长会导致拖尾现象。对比度指的是屏幕上同一点最亮时与最暗时的亮度的比值。对比度越高，色彩越鲜艳，画面层次感越分明，色彩过渡也更细腻。LCD显示器的对比度一般在300:1左右，而CRT能轻易达到70:1，因此LCD TV与传统CRT电视相比，在颜色鲜艳度等画质上有一定差距。液晶电视弱项主要集中在可视角度和响应时间方面。不过随着技术的进步，这两方面都有了大幅改进。目前高端液晶电视的可视角度可达176度，响应速度为4毫秒的大屏幕液晶电视也正逐渐成为市场主流。随着显示屏技术的发展，所有这些差距都将越来越小。基于UOCIII的设计方案 NXP半导体公司的UOCIII芯片集成了高性能视频信号处理器、集文字/控制/图像(TCG)处理于一体的8位MCU、CC/TT解码器、立体声解码器和音频信号处理器，只需加上缩放器(Scaler)和音频功率放大器，即可构成一台电视机。UOCIII芯片定位于中端市场，适用于从15到20寸的LCD TV解决方案。图1为基于UOCIII TDA150XXX的LCD TV系统框图。视频信号从UOCIII输入，经过视频切换、解码、数字滤波、A/D和D/A转换等一系列处理，最后以RGB形式输出到缩放器MST9151B/MST518A。同样，音频信号从UOCIII输入，经过声音增强、A/D转换、立体声解码、D/A转换、音量控制等处理，输出到音频功率放大器TDA1517，最后输出到扬声器或耳机。EEROM则用来存储搜台信息、颜色/音量调整等信息。通过控制面板或遥控器可以轻松的调出绚丽的OSD菜单界面，进行频道、颜色、对比度、音量等个性化的设置。同时，工程人员也可以通过遥控器输入预设的密码进行相关寄存器的设置。系统主要组成部分1. UOCIII多功能信号处理芯片UOCIII集成了高性能视频信号处理器和强大的集text/control/graphics(TCG)处理于一体的8位MCU，以及CC/TT解码器、立体声解码器和音频信号处理器，是一款功能齐备、它采用QFP128封装，同时，针对不同的市场及要求，UOCIII还提供了数种局部功能上有差异的产品系列，可满足国内、欧、美、日本等地客户的要求，并达到物尽其用，降低IC成本的目的。2. 缩放器(图形处理)部分MST9151B是一款两款高性能、高集成度的缩放器IC，最高可支持到SXGA(1280*1024)的分辨率。它内部集成了8位ADC/PLL、高品质的缩放器引擎、OSD控制、支持两路RGB输入和集成了DVI接口，并具有复合同步和SOG分离、LVDS显示接口、TTL显示接口以及智能电源管理控制的能力。我们还有另外几款缩放器可以与UOCIII搭配，如MST518A-LF-1和TSUM66AVHJ-1。这两颗IC可以达到WXGA+(1440*900)和SXGA(1400*1050)的分辨率，并且都有白电平调整功能，这样就可以用来支持目前市面上比较流行的19寸的16:10的宽屏。

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  • 关于高清电视图像处理芯片的应用方案分析

    PLM1000是一款由晶宝利微电子有限公司开发的专门为普通CRT电视机设计的模拟/数字混合处理芯片，该产品能将输入的模拟电视信号数字化，再进行数字信号处理，最后将数字信号还原为模拟电视信号后输出至模拟电视。其主要处理功能是将480p、576p、720p、1080i、1080p等高清模拟信号以及VGA信号转换为480i或576i的标清模拟信号，并支持亮度、色度、色饱和度调整，支持色度空间转换等功能。在晶宝利微电子有限公司以及聚海科技公司的配合推广下，目前PLM1000已经获得CRT生产厂家的认可，并投入大量使用。PLM1000系统方案设计原理 图1为PLM1000系统方案设计应用示意图。PLM1000将高清设备，电脑等输出的模拟高清信号或VGA信号转换为标清的YUV信号，输入给普通的模拟CRT电视显示。PLM1000系统板非常简单，主要包括PLM1000芯片、晶振和3.3V/1.8V电源。图一 PLM1000系统方案结构示意图系统上电后，外部MCU对PLM1000芯片进行上电初始化，执行必要的寄存器配置。上电初始化完毕后，MCU读取PLM1000芯片内部自动格式检测结果，并根据事先设定的规则判断当前输入信号格式，根据输入信号格式写入对应寄存器配置，PLM1000输出标准的480i或576i格式信号至普通模拟CRT电视的分量输入端，后续处理与普通模拟CRT电视机的处理完全一样。在图像正常显示过程中，若连续N次检测结果与当前信号格式不同，则设定当前检测结果为芯片新格式，MCU关闭PLM1000芯片视频输出，并对芯片配置相应的工作参数后开启视频输出；若相同，则维持原配置，即PLM1000工作在原格式下。　PLM1000应用方案示例PLM1000主要有两种不同的应用方案设计，以适应不同的应用环境和要求。应用方案1：如图2所示，这个PLM1000方案板很简单，主要器件是PLM1000和3.3V/1.8V电源等，PLM1000由原CRT方案中的MCU通过I2C总线控制。这种应用方案的成本比较低，功能比较强，如用户可以切换PLM1000的两个通道，选择高清输入还是电脑的VGA输入，并在不同的信号源下可以显示输入信号格式等。图2：基于PLM1000的应用方案1系统框图

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  • 苹果重获多点触控专利 三星在美举步维艰

    2007苹果带来了划时代的首款iPhone手机，乔布斯始终认为手是最好的触控工具，因此iPhone带来了许多创新的操作体验，包括著名的“multitouch（多点触控）”。苹果是一家非常重视专利保护的公司，特别是如此重要的一个专利。其实之前苹果已经拿到了multitouch的专利，不过随后美国专利商标局取消了这项决议。去年12月苹果再次向美国专利商标局递交多达364页的“乔布斯专利”，经过漫长的专利附和复核，美国专利商标局终于认定此次提交的专利全部有效。在这项专利权中，就包含着如多点触控操作的专利：当用户在浏览网页并上下滚动网页页面时，系统会自动锁定横向滚动，而在横向滚动页面时，系统则会自动锁定纵向滚动。当用户不规则滚动页面时，页面可以自如的滑动。此次被确定有效的专利中的多点触控如今被广泛应用到许多智能设备中，如果苹果采取措施，或许会对现在大规模的Android设备造成压力。特别是苹果和三星之家多有纠纷，苹果或许会利用此次多项专利来限制三星向美国输入移动设备。 责任编辑：Flora来源：太平洋电脑网 分享到：

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  • 华亚科Q3营收及获利均创下历史新高

    讯：台塑集团旗下DRAM厂南科、华亚科昨（23）日召开法说会，其中华亚科第3季营收及获利均创下历史新高，季底每股净值提升到6.28元，11月中旬可望顺利摆脱股票全额交割交易。南科第3季本业正式由亏转盈，由于DRAM市场仍供不应求，第4季本业获利将创6年来新高。华亚科第3季营收169.44亿元，较第2季大幅成长32.9％，原因包括季度位元成长率（bit growth）成长7％，平均出货价格季增逾2成等。由于产能组合调整得宜，税后净利72.9亿元，较第2季大幅成长1.1倍，营收及获利同创历史新高，每股净利达1.21元。华亚科董事长高启全表示，由于产品组合中高价产品比重拉高，第3季每片晶圆平均营收较上季增加33％，推升营收创下新高，第4季因为出货价格计算开始反应SK海力士无锡厂大火后的大涨的DRAM价格，乐观期待第4季营收及获利将续创新高。法人则预估，华亚科第4季营收季增率将上看2成，单季获利将上看100亿元。高启全不评论法人推估数字，但他指出，SK海力士无锡厂大火的影响至少2个季度，因此明年第1季前DRAM市场仍将供不应求，价格将维持高档。南科9月受惠于DRAM价格大涨，第3季平均售价季增6.5％，但因向华亚科拿货比重大幅降低，出货量季减22.4％，单季营收114.57亿元，季减17.2％。由于DRAM价格高于生产成本，南科第3季本业获利5.46亿元，加计认列华亚科获利后，税后净利达19.79亿元，EPS0.08元，每股净值0.24元。南科副总经理李培瑛表示，在SK海力士无锡厂发生大火后，DRAM市场目前仍是供不应求，虽然第4季终端产品的销售量没有成长，但每台机器的DRAM搭载率有增加，整个DRAM需求是大于第3季。至于SK海力士无锡厂因为尚未回复投片，第4季DRAM价格预估将持续上扬，且2014年第1季价格亦将呈稳定或温和成长走势。由于明年全球DRAM制程将开始微缩到20纳米世代，华亚科预估明年资本支出将大于今年的80亿元，但高启全表示，华亚科不增加产能，今、明两年资本支出将全数用来进行20纳米制程微缩。南科第3季已将制程微缩到30纳米，10月投片量将达4万片，今年资本支出62亿元，但明年因只有制程微缩的需求，所以会降低资本支出金额，预估2015年上半年可望导入20纳米试产，维持技术上的竞争力。 责任编辑：Mandy来源：台湾工商时报 分享到：

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  • 国家出台优惠政策助推秀洲光伏产业健康发展

    2013年10月1日至2015年12月31日，对纳税人销售自产的利用太阳能生产的电力产品，实行增值税即征即退50%的政策……为鼓励和利用太阳能发电，促进相关产业健康发展，国家财政部于9月30日发布了光伏发电增值税政策通知，秀洲光伏产业以及相关企业又迎来了利好。目前，在嘉兴光伏高新园区内已全面启动实施屋顶光伏电站工程，太阳能光伏在秀洲逐渐得到大规模应用，从7月到10月底，秀洲区将建设61兆瓦分布式光伏发电项目，切实推进分布式光伏发电应用示范工作。根据《秀洲区创建国家分布式光伏发电应用示范区项目建设“百日攻坚行动”实施方案》，秀洲新区、秀洲工业园区作为主阵地，将建成51兆瓦分布式光伏电站项目，另外5个镇作为延伸区，将分别建成2兆瓦分布式光伏电站项目。此次项目建设的屋顶业主，主要涵盖屋顶符合相关要求、年综合能耗5000吨标煤以上的高能耗企业，学校、医院、政府等公共设施屋顶，满足条件的农田水利设施以及其他有关企业。“嘉兴光伏高新园区已经初步具备了自主发电能力，部分厂房的屋顶已经覆盖了太阳能发电板，可以进行自主发电。企业自主发电以后，无论是自己使用，或是卖给其他的企业使用，还是直接卖给国家电网，都属于销售‘电力’产品，要征收税率为17%的增值税，实行增值税即征即退50%的政策之后，相关企业的增值税税率下降了一半。”区国税局政策法规科有关负责人分析说，前阶段欧盟、美国等的反倾销政策，以及光伏行业实际存在的产能过剩，对秀洲区光伏产业都造成了一定影响，此次光伏发电增值税政策的出台，无疑是推动秀洲区光伏产业发展的一针“强心剂”，而对于王店、洪合等镇光伏产业的原料产业也有很大的拉动作用。“增值税即征即退50%的政策也有利于把光伏产业主要出口的方向转到为国内生产生活服务，进一步刺激内需。”该负责人告诉记者，光伏发电产品应用范围广泛，因为发电设备简单，既可以大规模应用于企业，也可以推广到家庭中使用，从节能环保角度来看，有助于加快秀洲区使用清洁能源的步伐。来源:嘉兴在线-嘉兴日报

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  • 技术水准跃升中国半导体产业竞争力激增

    中国大陆半导体产业实力已显著提升。在税率减免政策与庞大内需优势的助力下，中国大陆晶圆代工厂、封装测试业者与IC设计商，不仅营运体质日益茁壮，技术能力也已较过去大幅精进，成为全球半导体市场不容忽视的新势力。中国大陆半导体产业正快速崛起。受惠税率减免政策与庞大内需优势，中国大陆半导体产业不仅近年来总体产值与日俱增，且在晶圆制造设备和材料的投资金额也不断升高，并已开始迈入28奈米，甚至22/20奈米制程世代，成为全球半导体市场的新兴势力。政府扶植成效显现中国半导体势力抬头上海市集成电路行业协会高级顾问王龙兴指出，在资金与技术持续提升下，中国大陆半导体产业发展已快速壮大。上海市集成电路行业协会高级顾问王龙兴(图1)表示，中国大陆政府为全力扶持本土半导体产业，已祭出半导体设备、IC设计、晶片制造等企业获利前2年免税，以及第3年税金减半的优惠措施，藉此减轻高科技产业在初期研发投资亏损的压力，因而让中国半导体产业得以向上发展。除政策加持外，中国大陆对行动装置的需求愈来愈高，也成为推升中国大陆半导体产业发展蓬勃的关键动能。王龙兴进一步指出，现今中国大陆消费市场商机已跃居全球第一，无论是智慧型手机、平板电脑或笔记型电脑每年需求量都不断增长，带动中国大陆半导体整体产值在2006?2012年之间，从人民币1,006.3亿元，提升至人民币2,185.5亿元。根据上海市集成电路行业协会最新报告分析，中国大陆半导体产业于2006?2012年的年复合成长率(CAGR)达18.8%；其中，IC设计产业年复合成长率为25.7%，晶片制造部分为15.4%，封装测试方面则为17.6%，预估2013年与2014年皆可望持续成长，显见该地区半导体产业成长相当快速。据了解，目前中国大陆半导体产业共有长江三角洲、京津环渤海湾、珠江三角洲与中西部地区等四大聚落；其中，长江三角洲内的上海半导体产业园区由于产业链体系较为完整，因此为中国大陆最重要的半导体发展核心地带，且此一园区的半导体产值约占整体中国大陆半导体产值31%。王龙兴补充，上海半导体产业园区在2011年经历密集的建设后，2012年已经开始进入高技术性、高生产能力的阶段，未来此一产业园区还会新增张江高新区、漕河泾开发区、紫竹科学园区，并列为积极落实发展重点，可望再次扩大上海半导体产业园区在半导体产业的影响力。然而，尽管中国大陆半导体产业正快速发展，但整体技术层次与国际水准相比仍有一段距离。王龙兴坦言，目前中国半导体产业在制程技术确实较国际半导体水准落后，正努力迎头赶上，预估2015年时，中国大陆IC设计技术水准可望达到22/20奈米，而封装技术也可望进入国际主流领域，并扩展FlipChip、BGA、CSP、WLP以及MCP等先进封装形式的产能比例。除了税金优惠政策加持之外，中国大陆行动装置品牌厂在全球市场崛起，亦助长该地区本土零组件业者发展愈来愈快速，并已逐渐打入国际手机品牌厂供应链，突显中国大陆零组件业者技术水准正与日俱增，且开始威胁到欧美与台系零组件业者全球市场地位。本土手机品牌厂相挺中国零组件业者渐壮大Gartner研究副总裁洪岑维表示，在中兴、华为与联想等品牌厂助阵下，中国大陆零组件业者市场版图正不断拓展。顾能(Gartner)研究副总裁洪岑维(图2)表示，在中兴、华为、联想、宇龙酷派与小米等手机品牌业者全球市占率日益攀升下，中国大陆IC设计业者亦搭着品牌厂的顺风车成功进军国际市场，且产值规模亦持续扩大，研发能力也不断精进。洪岑维进一步解释，中兴、华为与联想等中国大陆品牌业者为了确保关键零组件供应无虞，都已经投入不少资金扶持旗下供应链，成为中国大陆零组件业者产品研发的重要基石；而零组件供应商受益于中国大陆品牌手机已出货至全球各地市场，逐渐拥有元件量产经验与大量供货能力，因而也开始打入国际手机品牌厂。事实上，目前已有不少中国大陆零组件业者获得国际品牌青睐，例如展讯的基频晶片已获得三星(Samsung)新款智慧型手机采用；瑞声的微机电系统(MEMS)也已内建于索尼(Sony)产品；欧菲光电的触控模组更已获得许多品牌厂采用，显见中国大陆零组件业者在国际舞台日益活跃，成为驱动中国大陆半导体产业向上的关键动能。另一方面，虽然中国大陆零组件业者崛起对台系零组件业者是一大挑战，但对台积电与联电等晶圆代工厂却是新的市场机会。洪岑维分析，由于中芯国际的制程技术仍无法满足快速成长的中国大陆本土晶片商，因此许多晶片商都跨海来台湾投片，将有助台湾晶圆代工业者接获更多订单。来源:新电子

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  • 我国个人申请屋顶光伏电站税收豁免

    国家发改委日前发布《分布式发电管理暂行办法》，以小型光伏发电为集中代表的分布式发电，将因此获益。发电所得按月结算办法规定，分布式发电方式主要为用户所在场地或附近建设安装、运行方式以用户端自发自用为主、多余电量上网，以配电网平衡调节为特征的发电设施。发电方式包括水电、风能、太阳能等。办法明确，分布式发电划定的范围，除企业、工业园区、机关事业单位外，还包括城市居民小区、住宅楼及独立住宅建筑物。而对于民营电站电量用途，以“自发自用”为主。采用双向计量电量结算或净电量结算，同时还将考虑峰谷电价，原则上按月结算。值得一提的是，电网企业应保证分布式发电多余电量优先上网和全额收购。符合条件的分布式发电，将给予建设资金补贴或单位发电量补贴。合肥版新政先行出炉事实上，在今年7月，合肥市就曾针对民营光伏发电项目建设、资金兑现等问题，先行做出细则规划。地方版规定，在省城范围内，有意向安装光伏发电设备的企业或个人，事先需向电网企业提交并网接入申请，项目获批接入系统竣工后，可提出并网验收、并网调试申请，验收通过后即可转入并网运行阶段。同时，企业或个人在投产后，还将享受不同方面的政策红利。光伏电站产生的发电量、余电上网电量将采取“两条线”分别计量。若出现个人家庭发电所得收入不多情形，个人在申请电站时，除个人所得税外，其他税收将豁免。而对于企业通过光伏发电的，将享受额外补贴。以合肥市为例，依照每度补贴0.25元计算，补贴政策将持续15年。合肥18户家庭申请“合肥的分布式发电，在全国算是比较多的。”记者从合肥供电公司了解到，目前合肥从事分布式光伏发电的企业有20家，规模都比较大，装机总容量为7万千瓦。“现在正值高温，光伏发电在强光照下效果不错，企业较大规模的光伏发电能缓解部分用电紧张，不过对于合肥每天400多万千瓦的负荷来说，相差还是比较远的。”合肥市家庭分布式发电发展也较快，今年3月份，作为家庭发电第一人，孔庆斌家的家庭分散式光伏发电电源并入合肥电网，截至8月15日合肥已有18户家庭申请，装机总容量达60千瓦，其中有11户已并网使用。来源:中国行业研究网

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  • 2014年分布式光伏迎规模化发展

    2013年已经过去了三分之二。对于光伏行业来说，2013年是“变革”的一年。自欧洲“双反”有条件地得以解决后，如何推动光伏企业健康发展成为决定该行业存亡的重大课题。2013年7月，酝酿时间长达半年之久的《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（以下简称“意见”）公布。随后，又有一系列的政策密集出台。仅9月份，相关部委就发布了三个关于光伏产业的文件。包括，9月17日，工信部出台的《光伏制造行业规范条件》；9月24日，国家能源局发布的《光伏电站项目管理暂行办法》；9月29日，财政部发布的《关于光伏发电增值税政策的通知》。这些政策分别从光伏市场的准入标准、发电价格以及制造规范、光伏电站项目等多个方面入手，旨在推动该行业的健康发展。根据政策，分布式光伏，将成为中国光伏业健康发展的关键。1年前的2012年9月中国能源局公布的《太阳能发电发展“十二五”规划》中首次明确了到2015年分布式发电与大型电站装机规模均为10GW。标志着分布式光伏正式从一个概念进入政策规划的视野。1年后，国务院公布的《意见》中将分布式光伏作为开拓市场的首选，并将2015年分布式光伏发电装机规模目标进一步提升至20GW。从能源分布来看，分布式光伏更符合中国国情。目前，中国的集中式光伏电站主要集中在偏远地区。这些地区电网建设较为落后，自身消化能力较为，发出的电难以外输。而分布式发电主要用于“自发自用”，多于部分才会“上网”。这就避免了集中接入以及长距离传输存在的并网难题，更有利于光伏发电的大规模应用。据预计，若中国现有及新增建筑中有10%的屋顶面积及15%的立面面积能应用于光伏发电，到2020年分布式光伏潜在的市场规模可以达到1000GW。缺乏资金以及行业结构的不合理是阻碍中国光伏行业发展的重要课题。对此，各相关部门为推进分布式光伏的发展，在整体光伏行业发展的前提下，针对分布式光伏进一步提出了若干配套政策。这些政策，将成为推动该领域发展的重要基石。补贴以及电价政策，通过《关于发挥价格杠杆作用促进光伏产业健康发展的通知》、《关于调整可再生能源电价附加标准与环保电价有关事项的通知》、《关于分布式光伏发电实行按照电量补贴政策等有关问题的通知》得以明确。对分布式光伏发电给予了0.42元/千瓦时的补贴，并将可再生能源电价附加征收标准提升至1.5分/千瓦时。为加快分布式光伏的发展，国家能源局与国家开发银行还共同发布了《关于支持分布式光伏发电金融服务的意见》。通过与分布式光伏示范区建设相结合，形成与地方合作的投融资机构，为分布式光伏发展项目提供专项的金融服务。彻底解决企业“巧妇难为无米之炊”的问题。为了避免分布式光伏重蹈大型光伏电站的覆辙，国家能源局将对光伏产品建立严格的产品检测认证制度。并通过《分布式发电管理办法》以及光伏发电运营监管的相关办法，对光伏的电网接入、并网运行、电量计算，电费结算，补贴等环节全面落实国家政策。众多政策推动下，毫无疑问，2014年分布式光伏将迎来爆发式增长。2013年8月，国家能源局印发了《关于开展分布式光伏发电应用示范区建设的通知》，确定了北京海淀区中关村海淀园等18个工业园区作为分布式光伏发电应用的第一批示范区。这批示范区在2013年分布式光伏的建设规模为75万千瓦，到2015年这一规模将上升至182万千瓦，增长142%。与此同时，在总结示范区发展经验之后，分布式光伏应用规模将得到进一步扩大。预计2014，全国新增分布式光伏发电规模6GW。且其中的80%将主要集中在能耗大，能源价格较高的长三角、珠三角、京津冀及周边地区。分布式光伏对于中国的重要性不仅仅在于其对于中国光伏行业的意义，从能源安全、能源消费结构的角度上来说，作为可再生能源中发展速度最快的一员，扮演着至关重要的角色。在石油进口量超越美国位居世界第一，清洁能源天然气的进口依存度不断上升，能源安全优待提高的大背景下；在雾霾“倒逼”油品升级，能源消费结构有待改变的背景下。与其他可再生能源相比，分布式光伏所拥有的前期投入少，对环境影响小，回收周期快等特点将成为未来中国能源发展的大趋势。来源:新华能源

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  • 文案大笨招，秋菊打官司

    名人名言为什么都特别短？

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  • 微软高管：苹果iPad正在努力地“追赶”我们

    苹果CEO蒂姆·库克于昨日凌晨举行的新产品发布会上指出了微软混淆PC和平板电脑的错误做法。他说道，“我们的竞争对手真令人感到困惑，他们把平板电脑变形成PC，同时又把PC变形成平板电脑。”那么作为当事人的微软会对这番评论坐以待毙吗?--当然不可能。

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  • TD-LTE铁定首发 电信联通4G市场失先手

    中国4G发展的路线图已经越来越清晰。近日，工信部方面传出消息—除了再次确认4G牌照将于年底前发放外，“先给三家电信运营商统一发放TD-LTE牌照，然后根据各自需求再发放FDD-LTE牌照”的新说法也首次曝光。考虑到此前中国移动在10月13日已经正式获批在全国326个城市开展TD-LTE扩大规模试验，且中国电信的首批4G网络设备招标中也有超过30%的TD-LTE订单，业内专家分析称，种种迹象显示我国4G牌照将首发TD-LTE制式已经没有太大悬念。但也正因为如此，三大运营商之间的竞争格局将会出现不少新变化。中国移动有所得也将有所失TD-LTE牌照首发，对于在此技术制式上已经投入巨资的中国移动来说无疑是巨大的利好。早在2010年底，中国移动就已经开始TD-LTE的规模试验，差不多三年的时间过去，无论是在网络设备还是在终端产品上，中国移动都已经有了丰富了储备。2012年初，中国移动就公布了野心勃勃的TD-LTE建网计划，根据其计划，截至今年底其的TD-LTE的基站规模将达到20万个；2014年，基站规模更将超过50万个，超过现有的TD-SCDMA基站规模，理论覆盖用户可达20亿。除了在网络设备端大力投入之外，在终端集采和市场推广方面，中国移动也绝对领先。以广东为例，今年9月底，广东移动的4G套餐正式公布，预约放号也同步起动。据广东移动透露的信息，放号半个月来，预约登记总量已超过2.5万，放号已超过1万人。与此同时，在4G终端设备方面，中国移动目前在测的4G手机类终端超过10款，数据类终端达到50款，中国移动自主品牌的TD-LTE手机也即将推出。与之相比，中国电信、中国联通在TD-LTE方面的准备则严重不足，据记者了解，此前电信、联通有关4G的网络测试主要针对FDDLTE制式，中国电信的首个TD-LTE试验网今年8月才开始建设，而其首批4G网络设备招标中TD-LTE的基站规模也不过1万多个，和中国移动的数十万个相去甚远。“从技术成熟度和建网平滑性过渡来说，电信、联通还是更加倾向FDDLTE，但政府管理部门基于信息安全等方面考虑力挺TD-LTE首发，这的确会对电信、联通在4G市场的竞争力造成不小的影响。”ReationalAB的分析师黄淞如是说。但在赢得TD-LTE市场先机的同时，中国移动恐怕也会有额外的损失。据消息人士透露，几乎在确定4G发牌首选TD-LTE的同时，工信部方面正在酝酿三大电信运营商之间的网间结算新方案。据称，新方案中，原本的三大运营商结算从原来的对称结算变为不对称结算—即联通、电信向移动支付的网间结算费将低于移动向联通、电信支付的网间结算费。如果此方案真的实施，中国移动2014年或将损失130亿元，当然，这部分“损失”将会变成电信、联通的新“利润”，国有资产并不会因此而流失。而为了弥补中国移动的这部分损失，消息称工信部还将于近期向移动发放固网宽带牌照，允许其正式进入固网宽带市场。“不过中移动总裁李跃此前已经公开表示不会大规模投资固网宽带，所以获得固网宽带牌照对中国移动的意义并不是太大。”张星称。电信、联通仍有机会后发制人虽然在4G发牌问题上，电信、联通因为TD-LTE的受保护而可能失去先机。但工信部消息中“然后根据运营商各自需要再发放FDDLTE牌照”的说法仍然给他们保留了新的希望。其实无论是电信和联通，对于FDDLTE制式的热情都远高于TD-LTE，这里面关键的原因当然是技术本身的成熟度，但更加吸引他们的还有FDDLTE终端产业链的完善度。和TD-LTE终端目前主要是数据卡和MiFi设备为主的情况不同，支持FDD LTE的智能手机终端已经多达数百款，入门价格更是已经回落到2000元以下，这对于运营商来说无疑有着巨大的吸引力。“和3G市场的发展脉络相似，除了网络建设晚上之外，用户的规模发展很大程度上还要靠终端拉动，可选择的终端类型越多、入门级终端设备的价格越低，用户从2G、甚至3G网络切换到4G网络的意愿也就越强，因此终端设备的成熟度对于运营商选择何种4G制式十分重要。”战国策首席分析师杨群表示，在3G发展时代，联通正是依靠成熟的终端设备市场获得了迅猛的用户扩张，“这里面既有三星、苹果这样大牌厂商的精品手机的引领，也有国产手机厂商大量千元智能机的推动。”杨群称，正是因为尝到了全产业链成熟的甜头，所以电信、联通对选择FDDLTE制式的问题才表现得如此执着。他认为，在目前工信部对FDDLTE牌照并没有完全否定的情况下，电信、联通虽然可能会因为TD-LTE牌照先发失去一定的市场先机，但得益于更加成熟的产业链，一旦获得FDDLTE牌照，电信、联通仍然有可能快速追上移动的步伐，“一方面3G时代奠定的用户体验口碑会起效果，另一方面，更加丰富的终端选择将会帮大忙。”

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