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  • 光靠技术怎么够，台积电能有今天到底有啥绝招？

    虽然已经不在本行，但是仍然在常常关注半导体的相关话题，闲逛知乎常常看到一些答案仍然对于台湾的芯片行业有些误读，补充一点个人见解，也许略有些文不对题： 此“代工”和彼“代工”，此“制造”和彼“制造”，与服装电子整机产品之类劳动密集型行业根本就不是一回事，不能拿来简单类比。 芯片代工行业是一个资本主导的行业，但绝非是靠廉价劳动力而不需要技术的行业，芯片制造的技术和芯片设计相比，并不能简单的说哪一种更高端或低端，掌握业界领先的芯片制造工艺无疑是符合“核心技术”的定义的。 1.对于一只手机而言，电子代工厂的工艺和制造水平，大多只能反应在外观手感和质量稳定性，性能和功能如何更多还是要看设计;但对一颗芯片而言，设计固然重要，但制造工艺对性能表现和成本仍然有决定性作用; 2.现代芯片的设计，都是基于制造厂的工艺库来进行的，不同的工艺对应了不同的器件参数和布局限制等等，没有工艺的参数，根本就无从着手，对于很多小型公司，很多功能模块甚至都直接从代工厂的设计支持部门直接买现成的; 3.对占芯片产业大部分的逻辑芯片而言，一套工艺兼容不同的设计，而同样的设计几乎是很难在短时间内迁移到不同的工艺线上的，基本上选择了一家代工厂，这代产品的大部分生命周期都绑定在这家公司了，反倒是代工厂可以更灵活的在各个客户之间调配产能设置; 挣钱不挣钱这个误读似乎更严重，选了几家电子行业的代表公司来看看2013年的利润和利润率(单位亿美元，根据网络披露信息计算)： (ps：高通的利润和利润率计算包含了技术授权集团，半导体部门净利预估占7成，约47.95亿美元) 芯片代工行业的营收随景气的波动会比高通和英特尔来得大，但台积电的净利率却一直是在30%+的水准; 国内“核心技术”代表，华为利润率最高到过12%左右，但这两年通信行业利润率下降了一些; 至于电子产品代工厂的代表鸿海精密虽然利润率很低，但也算小有盈余，不过大陆的子公司富士康一直在亏钱。 联想今年已经是近来最好的年份了。 微软和苹果真巨头，不提。 台积电也许是大中华区最赚钱的电子通信类企业(除开中国移动以外)，而且有着极高的利润率。 员工人均创造营收和利润，台积电英特尔大致相当，甩开两家大陆企业一大截，略低于高通。 话语权方面，在2013年半导体行业销售收入排名中，台积电排名第三，略高过高通的半导体业务，另外几乎所有全球排名前列的Fabless公司(高通博通联发科。..)的主要代工伙伴都是台积电。在设计公司需要依靠先进工艺抢占市场的时候(比如台积电28nm量产初期)，只怕是高通和联发科看台积电脸色更多些。 技术方面当然是Intel傲视全球，三星和台积电目前还算是各有优势，是不相伯仲，至于资本投入方面考虑到三星半导体一年销售额也是台积电两倍左右(存储芯片为主)，逻辑芯片部分的投入相信差距也不大。张忠谋讲台积电品质是Intel两倍成本只有一半，就算有公关的夸大成分，但业内常传闻台积电的主流工艺良率显著超过Intel/三星应该是靠谱的说法。

    半导体 台积电 晶圆代工

  • 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术

    第三代半导体材料主要包括氮化镓(Gallium Nitride，GaN)、碳化硅(Silicon Carbide， SiC)、氧化锌(Zinc Oxide， ZnO)、氮化铝(Aluminum Nitride， AlN)和金刚石等宽禁带半导体材料。与硅(Silicon， Si)、GaAs等半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其中氮化物材料是第三代半导体材料中最引人瞩目的材料，尤其是GaN(氮化镓)基光电子器件在白光照明领域非常成功。然而蓝光LED(发光二极管)的技术专利受制于欧美日等从事该行业较早的国家。因此处于发展初期的基于AlGaN(铝镓氮)材料的紫外LED成为突破专利垄断的最佳领域。另外，紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代材料技术发展的主要趋势，拥有广阔的应用前景。 目前全球紫外光源市场规模约为4亿2700万美元，不过传统紫外汞灯仍然占据市场主导地位。和汞灯相比，近年发展迅速的紫外光LED光源，被公认具有8大优势。一是体积小，在便携式、高集成度产品方面有巨大潜力。二是坚固耐用，LED比石英玻璃外壳的汞灯耐冲击，不易发生破损。三是能源效率高，与汞灯相比，紫外光LED能量消耗最多可以低70%。四是环保，紫外LED不含有害物质汞，通过ROHS认证。五是工作电压低，紫外LED工作电压仅3-5伏左右，和高压汞灯相比，既提高了安全性，也降低了驱动电路成本。六是功率更易调节。七是散热系统要求低，进一步降低系统成本。八是光学系统简单，更符合实际应用需要，紫外LED不需要外加透镜就能得到紧凑的光束角和均匀的光束图，从而降低成本，增强系统可靠性。正因为这些优势，紫外LED技术正在成为固态紫外光源行业极具吸引力的选择方案。 同时，与传统紫外光源汞蒸汽灯、准分子激光器相比，固态紫外光源具有小巧便携、绿色环保、波长易调谐、电压低、功耗小、可集成等诸多优点，随着技术的不断进步，必将成为未来紫外光源的主流。在信息光存储中，数据密度由读写的光源波长决定。深紫外激光二极管由于极短的波长，相比于基于蓝光激光器的蓝光存储(blue-ray)技术，有望可将信息容量提升数十倍。在生化分析中，大多数生物分子含有的化学键在紫外光波段(270-350nm )有很强的光学共振，小型高效的紫外光源可以为生物探测和光电子学之间提供桥梁，使生物光子学的应用成为可能，例如基于荧光的bioagent识别等;光学检测也是研究蛋白质结构极为有效的方法，光学激发色氨酸和酪氨酸这两种极为重要的氨基酸需要275 nm 紫外光源。深紫外LED 是理想的新一代光源，市场潜力巨大，同时对智能制造和提升人民生活品质也将起到重要作用。 为了加快国内第三代半导体固态紫外光源的发展，国家科技部实施了重点研发计划专项，开展第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术的研究工作。该项目由中国科学院半导体研究所牵头，集结了国内第三代半导体固态紫外光源领域的优势研究院所、高校及行业龙头和应用企业，集中专业技术力量对固态紫外光源进行技术攻关，以期在5-10年内追赶国际先进水平，同时尽快实现第三代半导体固态紫外光源的市场化应用，以市场促发展，带动国内第三代半导体固态紫外光源相关产业的发展。 中科院半导体所是国内最早开展氮化物材料研究的单位之一，承担并出色完成了多项国家重大研究任务。项目负责人“十一五”期间承担国家 863 前沿探索类课题“紫外 LED 用AlGaN材料生长研究”，实现了国内首个波长短于 300nm 的深紫外 LED 器件毫瓦级光功率输出，研究成果成为“十一五”863 计划新材料领域研究亮点，并获得“十一五”二期国家专项的进一步支持，承担 863 课题“深紫外 LED 制备和应用技术研究”，在基于AlN模板的 MOCVD 外延技术等方面取得了一系列成果，将深紫外 LED 性能提升近一倍。“十二五”承担国家 863 课题“深紫外 LED 外延生长及应用技术研究”，成果经专家组鉴定达到国内领先、国际先进水平。目前承担 863 课题“高铝组分氮化物材料制备技术研究”，国内首次实现室温近紫外 377nm 和深紫外 288nm 半导体激光器光泵浦激射。 本项目与以前的深紫外 LED 研究课题一脉相承，并由前期的前沿技术探索阶段转向共性关键技术突破阶段。半导体所材料和器件综合指标一直保持国内最好水平，高 Al组分材料质量位于国际最好水平;研发出国内第一支深紫外毫瓦级 LED 并始终保持效率领先;国内首次实现了GaN基蓝光激光器，首次实现室温近紫外 377nm 和深紫外 288nm的激光器光泵浦激射，保持着紫光激光器的领先优势;相关成果获得“国家技术发明二等奖”1 项，“国家科技进步二等奖”1 项，“北京市科技进步一等奖”1 项。为项目的顺利实施提供了坚实的技术保障。 研究机构Yole Development于2015年2月发布了最新的市场研究报告，市场在2015年之后将打破平静开始加速增长，在2018年将出现跨越式地增长，同时该机构认为驱动产业第一轮增长的主要因素是始于2012年的光固化应用，UV-LED取代汞灯的大趋势是这一轮增长的主要动力，而杀菌消毒及净化领域的应用将成为产业增长的第二轮驱动力，这一轮增长将从2017年开始。在不远的将来，光催化、杀菌消毒都有可能成长为数百亿级的市场，而用于治疗皮肤病的光疗则可能让UV-LED的应用系统成为千亿级的市场。 结合国际上半导体紫外固态光源研究的主要发展趋势，通过本项目的实施，依托我们的既有工作基础和优势，系统开展AlGaN基深紫外LED结构的外延生长、器件制备及封装工艺的研究。本项目科学意义在于从国家经济、社会发展和国防安全对第三代半导体固态紫外光源材料及器件的重大需求出发，建立相关的高Al组分材料机理理论和原始技术创新体系，攻克一系列相关的关键技术，获得高质量材料，研制出高性能器件，开发相关产品并开展应用示范。同时培育和凝聚一支具有国际水平的研究队伍，为 III 族氮化物半导体紫外LED在面向空气和水净化、其它杀菌领域等方面的重大应用奠定重要的科学基础，并为国家安全和促进相关高技术产业的发展做出贡献。 具体来看，首先可以促进国内固态紫外光源制造装备的发展。目前国内外均没有成熟的紫外光源制造的商业生长设备，可以说，大家处在同一个起跑线上，任何一个技术的突破都会带来产业的巨大发展。通过发展高温MOCVD装备制造技术，可以带动国内基础制造业的发展。 其次可以促进国内材料、芯片等上游企业的发展。目前，蓝光LED上游企业已处于饱和状态，通过紫外光源的发展，可以促进上游LED企业的转型和升级，带动国内高新技术产业的发展。 最后通过应用产品开发，可以促进国内封装、应用等下游应用企业的发展。利用紫外LED的杀菌功效，就可以在白色家电产品中广泛应用，例如冰箱、空调、洗衣机、空气净化器、饮水机等等都会采用紫外LED来杀菌消毒，这些产品中的杀菌功能将会成为产品的标配功能。仅中国的冰箱、空调、洗衣机、空气净化器、饮水机等产品，每种产品每年的产销量就达到几千万、甚至上亿台。据统计，2013年我国冰箱、洗衣机、空调、空气净化器、饮水机的总产量为30，486万台。如果在这些产品中都使用紫外LED灯进行杀菌消毒，将会是一个广阔的应用市场，这些原有市场的替代和新市场应用的产生必将极大提高人民的生活水平，为任何时候任何地点提供清洁的空气，清洁的水，改善生活环境让更多的人享有健康。同时LED的长产业链和人才技术密集特点也将产生成千上万的就业机会，对社会产生积极影响，获得良好的社会效益。 “第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”重点研发计划专项的实施，是国家科技体制改革的重要变化之一，通过集中国内最优势的团队进行技术攻关，重点突出，以点带面，全面促进国内科技创新和技术突破。

    半导体 LED 半导体材料

  • 大规模并购改变半导体格局 大者恒大趋势确立

    市场研究机构IC Insights的最新报告指出，2015与2016年发生的大规模并购(M&A)活动已经改变了半导体产业的格局，大型厂商在市场占据的比例越来越大。 IC Insights预测，全球排名前五大的半导体供货商英特尔(Intel)、三星(Samsung)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)与SK海力士(Hymox)，在2016年的全球市占率总和将达到41%;该数字比十年前的32%增加了9个百分点。 此外估计2016年全球前十大半导体供货商的市占率总和56%，较2006年的45%增加了11%;至于全球前二十五大半导体供货商今年的全球市占率总和则超过四分之三的市场。 半导体产业继2015年发生史上规模最大的M&A风潮之后，2016上半年稍微平息;不过2016年预期将会是IC产业M&A规模第二大的年份，因为截至第三季有三桩总金额达510亿美元的收购案发生，包括软银(Softbank)收购ARM、ADI宣布收购凌力尔特(Linear)，以及瑞萨(Renesas)收购Intersil。 随着接下来几年产业整并风潮持续延烧，IC Insights预期大型半导体厂商在全球市场占据的比例将持续增加，甚至将迈向新高水平。

    半导体 半导体产业

  • 蒋尚义：中芯不会因他缩短与台积电差距

    台积电前营运长蒋尚义近日表示，他出任中芯国际独立董事后，不会倍增中芯的实力，他也没这么大的本事。 大陆晶圆代工厂中芯国际于2016年12月21日证实，蒋尚义出任中芯独董，震撼半导体业界。中芯强调，蒋尚义并未在中芯担任任何职位，也未在公司其它成员公司担任任何职位，单纯只是出任中芯董事会的独立董事。 台积电曾对此表示，蒋尚义前往中芯担任独董，事先有告知董事长张忠谋。 蒋尚义接受中央社记者访问时表示，虽然中芯为中国最大晶圆代工厂，但与台积电无论在技术、公司规模及业绩的差距都不小，目前中芯营业额约为台积电的1/10， 获利则连1/10都不到，技术落后二代。 蒋尚义强调，2家公司的差距不会因他一年参加4次董事会就可以立刻缩短。他笑着说：“大家太看得起我了，我本事没那么大。” 蒋尚义也指出，他绝对不会做伤害台积电的事。在与中芯的合约中明白指出，独董不能参与公司经营，也不能担任公司顾问，对他这样退休的人是一个很合适的工作。

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  • 高通CFO：中国芯片业务疲软冲击利润

    高通26日发布2017最新财报显示季度营收符合分析师的预期，3G和4G装置增长8%，使专利授权飞速增长。但高通在获利部分低于预期，高通财务长GeorgeDavis告诉外国媒体CNBC：中国业务疲软，特别是晶片部门。高通第一季度每股利益(EPS)为1.19美元。季获利来到59.9亿美元，相较于去年同期美股利益97分美元，以及58亿美元的获利。 其中一个中国客户和高通发生信用问题，高通财务长称，不确定中国的疲软是否是淡季造成。 有分析师表示并不认为是淡季问题，而是因为中国手机市场表现不优异，才是冲击高通的原因。预期由华为和OPPO主导市占率的情况下，产业其他从业者也能感受到手机市场的低迷。 还有分析师评论，近期的诉讼比预期来得强烈和广泛。考虑到近期与QTL的争议，他相信能合理推测美国、欧洲、亚洲的监管机构将花费更多的时间来核准恩智普的交易。 至于高通并购恩智普半导体，高通表示将预期在2017年底结算。 2017年CES展会上，史蒂夫·莫伦科夫(Steve Mollenkopf)展示了高通的最新处理器龙骁龙835，将搭配在三星Galaxy S7 edge，黑莓安卓装置，和Google Pixel中。高通推出新的5G芯片预期将推进产业包括虚拟现实、串流视频、无人机和物连网。 北京时间近日消息，高通今天发布了2017财年第一财季财报。报告显示，高通第一财季净利润为7亿美元，比去年同期的15亿美元下滑54%;营收为60亿美元，比去年同期的58亿美元增长4%。高通第一财季业绩超出华尔街分析师预期，对第二财季业绩的展望也同样超出预期，但其盘后股价仍下跌逾2%。

    半导体 中国芯片

  • 未来四年中国新建晶圆厂数量将超美国 独占鳌头

    中国发展半导体产业积极，近期产能大开、扩厂消息频繁，先前国际半导体协会(SEMI)预估，未来两年新建的 19 座晶圆厂有 10 座就建于中国，今 14 日 SEMI 再发布最新报告，预测至 2020 未来四年间将有 62 座晶圆厂，而中国大陆地区就将占 26 座，半导体设备市场也有望迎来大好年。 据国际半导体协会(SEMI)最新数据，预估 2017 年到 2020 年未来四年将有 62 座新晶圆厂投产，其中将有四成晶圆厂共 26 座新晶圆厂座落中国，美国将有 10 座位居第二，中国台湾地区估计也会有 9 座。SEMI 估计，新晶圆厂中将有 32% 用于晶圆制造、21% 生产内存、11% 与 LED、MEMS、光学、逻辑与模拟芯片等相关。 而全球半导体设备市场也有望蓬勃发展，据 SEMI 日本估计，全球半导体设备市场今年将达到 397 亿美元，较去年同期成长 8.7%，其中占比最高的晶圆加工设备 2016 年产值将达 312 亿美元，年成长约 8.2%，封测设备市场产值约 29 亿美元，也有 14.6% 的成长，半导体测试设备产值则在 39 亿美元，年成长约 16%。 SEMI 也预测至 2017 年总体产值将进一步成长至 434 亿美元，年成长率约 9.3%。 中国台湾地区与韩国同样为半导体设备支出最主要区域，值得关注的是，2016 年中国大陆挤下日本，首次成为半导体设备支出第三大区域。SEMI 预期，2017 年半导体设备销售成长力道主要在欧洲，估计销售额将有 51.7% 的成长，来到 280 亿美元。而中国台湾地区、韩国、中国大陆同样将为半导体设备支出最多的区域。

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  • 半导体产业步出小低潮 2017年可望成长7.2%

    Gartner日前发布最新预估报告指出，经过2015、2016年的小低潮后，全球半导体产业将在2017年再度出现高达7.2%的成长，总市场规模可望达到3,641亿美元。 依应用领域别来看，汽车电子、工业与储存是三个最值得关注的市场;这三个市场虽然目前规模不大，但成长速度却非常快速。 至于半导体传统上最主要的应用出海口--PC及智能型手机，则仍将维持缓慢成长的格局。

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  • 操刀并购华亚科 美光CEO将退休

    美光执行长邓肯(Mark Durcan)宣布即将退休，美光宣布董事会已组成监督接班程序的特别委员会，并且在高管搜寻咨询公司的协助下寻找与审查适合人选。 美光合并华亚科后，台湾部分也在新年度展开高层人事调整，原华亚科总经理牟瑞德在春节后转调日本，另调派一位新加坡籍华人来台接任。 外界关注美光是否会启动收购东芝半导体部门及出售编码型闪存(NOR Flash)事业，以及是否重启和大陆的内存合作。 美光表示，董事会还未针对邓肯退休有明确时间表，但强调会慎重对候选人进行审查，为美光开创美好未来。 在未找到人选接棒前，邓肯仍将以执行长身分带领美光，并协助寻找接替人选和后续的交棒事宜。 据了解，邓肯在完成收购华亚科后，仍计划出售旗下的编码型内存事业，专注冲刺储存型闪存(NAND Flash)及在台湾扩大DRAM产能和后段先进3D DRAM事业，并暂时停止和大陆的内存合作事宜。 未来邓肯退休后，相关后续计划进度，将备受关注。   尤其近期东芝计划出售最赚钱的闪存事业，据传美光也有兴趣收购。 邓肯宣布将退休的消息，并未对美光股价带来重大冲击，美光上周五股价一度冲上廿五点二五美元，创二年半来新高，最后收廿四点六美元，小跌百分之零点七七。

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  • 东芝闪存子公司拟发优先股融资27亿美元 拯救母公司

    日本东芝公司计划通过发行优先股的方式，融资27亿美元，摆脱美国核电资产减记带来的危机。 之前，东芝已经决定将其优质资产闪存业务分拆为独立公司。东芝将利用这家公司发行不具有投票权的优先股，总额为3000亿日元，相当于26.6亿美元。 据报道，东芝公司目前已经陷入困境，如果利用母公司发行股权，预期没有外部公司有兴趣购买。 之前，东芝公司旗下的美国核电业务出现了资产高估问题，将面临几十亿美元的重大资产减记，具体金额将会在二月份出台。为了避免陷入资不抵债，东芝急需要引入外部资金。 据悉，愿意入股东芝闪存公司的外部企业包括日本佳能公司，西部数据公司。 东芝闪存业务仅次于三星电子，是全球第二大闪存芯片制造商。

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  • 台积电接班人选 引发市场联想

    1.台积电接班人选 引发市场联想; 台湾半导体产业协会将在下月底改选理监事，台积电董事长张忠谋钦点，现任台积电共同执行长魏哲家出任下届理事长。 由于张年假期间在家中不慎跌倒，引起各界关注其健康及后续接班规划，此安排是否为接班铺路，引发联想。 台积电内部证实，魏哲家将任角逐下届理事长改选，但不对相关布局做进一步评论。 台湾半导体产业协会成立于1996年，是一个以「关心产业发展」为出发点的民间团体，希望透过协会的活动凝聚业界对产业发展的共识，以促成竞争中的合作，促进整体产业的健全发展。 魏哲家 张忠谋目前是台湾半导体产业协会的名誉理事长，但据了解，由于他在台湾、全球半导体产业都执牛耳，因此近年来历任理事长人选，几乎都要他点头。 在张忠谋后接任台湾半导体产业协会理事长的人选，包括现任力晶集团执行长黄崇仁、前台积电总经理蔡力行、钰创科技董事长卢超群等。 由于卢超群任期将于下月底届满，消息人士透露，张已钦点魏哲家出任下届理事长，也是经过七年后，台积电决定再派核心决策人士出任理事长，代表台湾半导体业界与政府，甚至和快速崛起的中国大陆展开对话。 根据台湾半导体协会官网，魏哲家已是台湾半导体产业协会现任常务理事，且又获张忠谋钦点，加上台积电是台湾半导体产业的龙点，预料魏哲家角逐下届理事长，可望顺利当选。 至于张忠谋钦点魏哲家出任下届台湾半导体产业协会理事长，是否为他未来的接班铺路，也引发联想。 张忠谋年假期间在家中不慎绊倒，颜面有小擦伤，引起各界惊恐，密切关注张忠谋的健康及后续接班规划，张此刻抛出钦点魏哲家接掌带领台湾半导体产业大旗，也被外界视为一种风向球。 不过，半导体产业人士分析，台积电近来大举在台湾扩充，都需要政府的协助和帮忙，必须借重协会的角色，做为发话的窗口，而魏哲家做事沉稳，善于沟通，是张推他上阵的关键，至于接棒台积电，恐还为时过早。 2.谁是台积电接班人? 魏哲家刘德音 各擅胜场; 被视为台积电接班人选之一的台积电共同执行长魏哲家，个性爽朗，和另一个执行长刘德音个性内敛，是两个完全不同性格。 台积电董事长张忠谋上周主动露脸，直接打脸外传他跌倒伤重的不实传言，今日上班，外界更高度关切他的健康和未来的接班规划。 观察台积电接班规划的半导体界人士分析，张忠谋交棒给谁，还是让外界雾里看花。 例如有关和政府打交道的公共事务，大多委由魏哲家出面，但台积电供货商管理大会，却多半是由刘德音出面。 在法说会时，张忠谋丢出由两人回答问题时，也是刘德音针对未来前瞻规划的多;魏哲家则回答台积电目前现况的多。 某种程度也可看出在决策前瞻规划，张忠谋认为刘德音特质胜于魏哲家。 不过，在出席SEMI举办的活动时，魏哲家多半出席在SEMI China的论坛，刘德音则担任SEMI Taiwan的专题演讲关键人物，让外界摸不清何者才是张瞩意的接班人。经济日报 3.台湾半导体协会理事长 张忠谋钦点魏哲家; 台湾半导体产业协会下月底改选，台积电董事长张忠谋钦点现任台积电共同执行长魏哲家出任下届理事长，是否为接班铺路，引发联想。 张忠谋年假期间在家中不慎绊倒，眼睛附近擦伤，引起外界密切关注张忠谋的健康及后续接班规画，张忠谋今天恢复上班，此刻抛出钦点魏哲家接掌带领台湾半导体产业大旗，被外界视为一种风向球。 台积电内部证实魏哲家将任角逐下届理事长改选，但不对相关布局做进一步评论。 现任台湾半导体产业协会理事长由钰创科技董事长卢超群出任，他的任期下月底届满。 消息人士透露，张忠谋钦点魏哲家出任下届理事长，也是经过七年后，台积电再派核心决策人士出任理事长，代表台湾半导体业界与政府，甚至和快速崛起的中国大陆展开对话。 张忠谋现任台湾半导体产业协会名誉理事长，据了解，张在台湾、全球半导体产业都执牛耳，近年来历任理事长人选，几乎都需张点头。 魏哲家现任台湾半导体产业协会现任常务理事，又获张忠谋钦点，加上台积电是台湾半导体产业的龙头，预料魏哲家可望顺利当选下届理事长。 魏哲家个性爽朗，台积电另一位共同执行长刘德音个性内敛，两人风格完全不同。 张忠谋先前在台积电运动会和媒体侃侃而谈，已不再坚持十年交棒计划，也赞赏两位接班人在管理台积电表现大有进步，是他首度释出可能会提早交棒的讯息。 观察台积电接班规画的半导体界人士分析，张忠谋交棒给谁，还是让外界雾里看花。 例如有关和政府打交道的公共事务大多由魏哲家出面，但台积电供货商管理大会却多半是刘德音出面。 在法说会时，也是刘德音针对未来前瞻规画的多，魏哲家回答台积电目前现况的多。 某种程度可看出在决策前瞻规画，张忠谋认为刘德音特质胜于魏哲家。 产业人士指出，台积电近来大举在台湾扩充，包括后续的五奈米和三奈米投资案，都需要政府的协助，加上大陆快速崛起，若直接由台积电和两边政府直接对话，可能会引发相关后遗症，必须借重协会的角色，做为对话窗口。 魏哲家做事沈稳，为人风趣，善于沟通，是张忠谋推他上阵的关键;至于接棒台积电，恐还为时过早。 台湾半导体产业协会一九九六年成立，是一个以「关心产业发展」为出发点的民间团体，希望透过协会的活动凝聚业界对产业发展的共识，以促成竞争中的合作，促进整体产业的健全发展。

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  • 中国将成为前景广阔的半导体投资市场

    据全球领先的信息技术研究和顾问公司Gartner最新研究结果，中国国有企业将成为全球最活跃的投资者，竭力在增长缓慢的半导体市场内跻身为世界级厂商。因此，各半导体企业技术业务部的领导者们应针对未来在华业务制订新计划。 Gartner对于半导体投资市场的预测具体如下： 1000多亿美元的投资将令中国本土半导体企业的营收到2025年提升3倍 中国政府拥有强大的力量，以引导国内资本重点流向由国有或国家持股公司所运营的特定行业。对于需大规模投资的行业(如：LCD面板、高速铁路、太阳能和LED市场)，中国政府的指导模式一直卓有成效。为了实现指导方针中的既定目标，国家集成电路产业投资基金股份有限公司(CICIIF)的首轮基金约为200亿美元，但据市场估算，当地政府与国有企业的投资总额将首轮超过1000亿美元。截至2016年9月，在CICIIF批准的100亿美元基金中，约60%投向芯片制造，27%投向芯片设计，8%投向封装与测试，3%投向设备，物料投资则占比为2%。 在此轮投资中，半导体设备提供商将会看到中国市场对于新的晶圆加工厂需求不断增加。我们认为大部分晶圆加工厂将于2020年之前正式投产。虽然大部分厂家的工艺无法在近期内达到世界领先水平，但12英寸与8英寸晶圆厂的新增产能将在2020年之前对现有的晶圆代工厂市场造成一定影响。截至2025年的第二轮投资将基于市场的成功经验重点注入更加先进的技术工艺。 为了实现2025年甚至2030年的宏伟目标，对半导体行业进行大规模投资应是中国政策的一贯战略。在中国企业有能力提供设备、服务或工业生产之前，上游供应链的供应商们将是主要的受益者。 中国晶圆代工厂未来5年将总体实现最低20%的年度收入增长 随着中国基础设施建设在过去10年内得到显著改进(或升级)，中国无厂半导体企业的收入在过去几年内每年增长20%。而这一趋势将延续下去，使得未来5年内中国代工厂对于晶圆的采购量增加20%。 由于中国政府大力扶持半导体行业，全球半导体公司都主动将各自的中国战略确定为与中国厂商开展协作，以免被排除在外。未来5年内，一些国际化无厂半导体企业可能将多达50%的晶圆采购需求转向中国代工厂。 在过去两年间，中国代工厂在开发与量产28纳米(nm)逻辑电路工艺方面一直进展缓慢，而与此同时，其他领先的代工厂在2015年转至14nm，并将于2017年开始10nm工艺的生产。未来5年内，中国代工厂将继续与最领先的逻辑电路技术公司展开艰难竞争。强劲的收入增长将局限于不具有领先优势的工艺领域。 到2025年，30%面向本地PC和服务器的处理器将通过现有处理器厂商签订许可证协议的形式在中国境内设计与制造 为了确保IT基础设施和设备自立自足，中国政府多年来一直投资开发不同架构的高性能处理器——包括：x86、ARM、Power和Alpha——但依然难以使之商业化并推向主流市场。 通过合资与许可证授权的方式，中国企业可以获得设计与生产先进处理器的能力，而成熟的国际化企业也能确保在中国市场的商业机会。 中国本土晶圆加工厂计划于2020年获得14nm节点制造能力，到2030年达到世界领先水平，从而在国内生产主流处理器。

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  • 英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程

    根据Computer World报导，英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程，时间提前于台积电与三星等竞争者，巩固其半导体龙头的位置。日前，英特尔在盈余电话会议上宣布，为了进一步探索芯片生产工艺，公司将在今年建立一座 7nm 试验工厂。   台积电与三星今年均在努力提高 10 纳米制程良率，不过一般认为 10 纳米只是过渡，7 纳米才是主战场，包含 AMD、Nvidia 等大客户此前均曾暗示跳过 10 纳米、直接晋升 7 纳米，而台积电、三星还要等到 2018 年才会开始试产 7 纳米制程。   英特尔拥有最先进的晶圆厂，长久以来，英特尔一直都是芯片制造技术的领头羊，直至近几年才被亚洲后辈超前，但无论如何姜还是老的辣，看来英特尔已准备好抢回领先位置。   不过制程微缩越精细越难生产，因此 7 纳米初期的良率应该不会太好，预料英特尔刚开始只会少批量试作样本，借以了解制程瓶颈，并作为改进良率的依据。英特尔目前也还没公布 7 纳米产品的时间表，实际量产还有待后续追踪。   目前英特尔已经不再忧虑于在每一代芯片当中把晶体管数量翻倍了，他们现在对于摩尔定律的诠释更符合每晶体管成本相关的经济学，它可在产量提升之后降低。对于摩尔定律而言，这也是非常重要的一部分。   英特尔表示，他们将视图凭借着7nm工艺回到2年生产周期，同时使用更智能的芯片设计。7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化，使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料（比如氮化镓）来进行芯片生产，在提高性能速度的同时实现更长续航。

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  • 东芝为拆分半导体业务启动招标程序 出售股份少于两成

     据共同社报道，处于重组期的东芝3日为拆分半导体业务正式启动了招标程序。为获得股份的首轮报价已进入最后阶段，由于出售的股份少于两成，拟参与投标阵营的部分企业出现观望情绪，东芝能否如期推进变得扑朔迷离。 东芝将拆分半导体主力产品“闪存”业务另外建立公司。19.9%的股份预计将卖出2000亿至3000亿日元(约合人民币121亿至182亿元)。东芝的美国核电业务预计最大损失达7000亿日元，此举旨在避免陷入资不抵债的境地。 由于获得不足两成的股份几乎无法参与经营，除最初有意竞标的佳能表示暂不投资外，也有基金相关人士透露称“条件太差”，可能还会让东芝附上增加股份出让等条件。 如果东芝在财年结束的3月底出现资不抵债，其股票将从东京证券交易所主板降至二板。拆分业务需要在3月下旬的临时股东大会上获得批准。由于时间有限，紧张的协调工作或还将继续。

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  • 从一场集成电路领域最高逼格的国际会议看中国半导体的竞争力现状

     每年的1月或2月，正是中国人欢庆春节的时候。而在大洋彼岸的美国，全球半导体人士也聚集加州旧金山，参加ISSCC(国际固态电路会议)。 今年2月5日--9日将在美国加州旧金山万豪酒店召开。 1、什么是ISSCC？ ISSCC(国际固态电路会议)是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的缩写，是国际学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。每年吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者。 ISSCC始于1954年，每年一届，是由IEEE固态电路协会(SSCS)主办的最著名的半导体集成电路国际学术会议。ISSCC也是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议，历届都有遍及世界各地的数千名学术、产业界人士参加。 在ISSCC60年的历史里，众多集成电路历史上里程碑式的发明都是在这上面上首次披露。比如世界上第一个TTL电路 (1962年),世界上第一个集成模拟放大器电路(1968年), 世界上第一个1kb的DRAM (1970年), 世界上第一个CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一个8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一个32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一个1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一个1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一个集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一个GHz的微处理器 (2002), 世界上第一个多核处理器 (2005年)等等。 2、ISSCC的起源 1954年首次会议的早期参与者属于无线电工程师协会(IRE)电路理论小组和IRE晶体管电路委员会。会议在费城举行。后来在AIEE和IRE合并成为当今的IEEE。 第一次会议包括六个组织的论文：Bell Telephone Laboratories, General Electric, RCA, Philco, Massachusetts Institute of Technology and the University of Pennsylvania。注册费为4美元(提前注册为3美元)，注册的人数为601人。 1954年会议的名称出现在各种出版物和文件中：“晶体管会议”，“晶体管电路会议”，“费城会议”或“国家晶体管电路会议”。 1960年会议名称固定为“国际固态电路会议”。 虽然ISSCC成立于费城，在20世纪60年代中期，美国半导体开发中心向西移动。 1978年，该会议在纽约的替代海岸举行，很快取代费城。 1990年，旧金山成为会议的永久之家。 2011年，ISSCC的会期固定为五天。 3、ISSCC涉及的电路领域 近年来，ISSCC的论文涉及的集成电路领域包括九个Track： 模拟电路(传统模拟电路、模拟电源管理); 数据转换器(ADC/DAC/TDC); 数字架构与系统(处理器、通信与多媒体电路、人工智能); 数字电路(时钟、数字电源管理); IMMD(图像、MEMS、生物医学、显示); 存储器(存储单元、控制器); 射频与无线系统(收发机、毫米波、太赫兹); 有线通信(SerDes/2.5/3D互联); 前沿工艺设计(非硅集成电路、量子、柔性材料)。 page 4、今年ISSCC的议程 最近几年的ISSCC都是从周日开始，周四下午结束。今年同样如此。 今年周日白天是课程和论坛，可以从10个课程中最多选择4个(有四个时间点可选);或从2个全天的高级论坛中选择1个。 晚上是有两个活动，一个是以“智能机器”为主题的专题会议;一个是学生研究预览(Student-Research Preview)。 周一上午是四个主题报告，分别是台积电(TSMC)的研发副总裁Cliff Hou(《A Smart Design Paradigm for Smart Chips》，演讲内容是结合3D封装和SoC技术的智能芯片设计新模式)，德州仪器(TI)的首席技术官Ahmad Bahai (《Dynamics of Exponentials in Circuits and Systems》，演讲主题是集成电路业的多维创新模式)， 耶鲁医学院教授Jonathan Rothberg(《The Development of High-Speed DNA Sequencing: Jurassic Park, Neanderthal, Moore, and You》，演讲主题是有关DNA测序)以及TU Delft的教授Lieven Vandersypen(《Quantum Computing-The Next Challenge in Circuit and System Design》，演讲主题是关于量子计算)。 周一下午到周三下午，共计安排有28个Session 论文报告卖场。 周四安排有一个短期课程和4个专业论坛，要单独付费。 5、我国在ISSCC的入选论文情况 一般在学界，每年有稳定的ISSCC paper发表可以很好地代表了一所学校、一个实验室或是一位教授在本领域所具有的世界级研究水平。 记得2014年清华大学微电子学研究所教授王志华说过，在ISSCC上发表论文，至少要满足四个条件：一是设计的电路要最好或是首个设计电路;二是要从原理上说明为什么你提交的电路论文是最好的;三是设计的IC有什么功能，会产生什么样的影响力;四是要经流片验证确实可实现运行。 由于受国内半导体产业发展水平的限制，长期以来，ISSCC都与我们无缘，直到2005年，51岁的ISSCC才第一次听到来自中国大陆的声音。 我国自2005年在ISSCC上实现零的突破，至2017年，我国共有19篇论文入选，主要集中在模拟和处理器方面。 19篇论文中，清华大学6篇，复旦大学6篇，中科院3篇，产业界有4篇(3篇是外资公司撰写)。 值得庆贺的是清华大学王志华教授和李宇根教授团队3年共入选5篇，2008年、2009年连续两年入选，2014年更为惊人，一年3篇入选。 而复旦大学连续四年(2011、2012、2013、2014)都有论文入选。 图： 我国从2005-2017年在ISSCC上发表的文章数变化(赵元闯整理制图) 图：2005-2017年我国在ISSCC发表的论文情况(赵元闯整理制图) page 6、思考 我国在ISSCC上平均每年入选仅有1.5篇，其中16篇来自大学和研究所等学术机构，我国产业界只有4篇入选(3篇为外资企业撰写)，2017年还依靠ADI北京公司论文才避免再次挂零的情况。我国本土产业界只有1篇文章在ISSCC发表，这说明我国产业界在原始创新方面，还有很长的路要走。 实际上不管是从投稿数还是入选数量上，我们都处于在很低的数量级上，表明在集成电路设计方面的水平和世界最顶尖水平还是存在明显的差距。 针对国内有网友评论说目前产业界不一定要在ISSCC上发表论文来证明自己，有业界专家表示，近年来，产业界在ISSCC上发表的论文数量数量有所下降，但仍占有每年一半的数量。一半被录用的稿件来自产业界，很难下结论说这是或者不是一件好事。大多数企业对于技术研发和宣传的态度，是以商业驱动为主导，不排除部分企业借ISSCC这一平台来扩大自身的影响力。但ISSCC对于文章的录用是有严格的标准的，其九大委会员的委员可不是白吃饭的，如果企业投稿不能详细说明令人认同的技术细节，是不可能被录用的。对于在ISSCC上发表论文，产业界不可太看重，但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄，而不是葡萄酸不酸的问题。 另外在我国一个较迫切的问题是要坚定的走产学研相结合的道路。今天，由政府资金推动的大量科研项目，取得了丰富的科研成果，但总体上技术转化率可能并不高。只有企业在高校科研项目上投入巨额资金时，对于技术成果转化的要求才会更迫切，高校所受到压力和推动力也更大，也将更务实高效。

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  • 十三五规划期间大陆半导体产业政策目标

     研究显示，综合大陆相关法规政策目标与支持方式，预估，十三五规划期间，无论晶圆代工或封装测试，大陆IC制造产能将大幅成长，结合“物联网+”与“中国制造2025”概念，处理器、现场可程式化闸阵列(FPGA)、物联网(IoT)与信息安全相关芯片、存储器等IC设计企业也将获得政策大力支持。 十三五规划期间，中央政府政策目标除持续追求大陆经济相当幅度的成长外，提高物联网普及率亦被定为重要政策目标。也因此，十三五规划期间，中央政府将提高4.5G/5G基地台、光纤骨干网路、数据中心等网通基础设施普及率，对大陆IC内需市场而言，除会提高相关IC需求外，包括4.5G/5G智能手机核心与基地台相关芯片、服务器相关处理器、存储器等IC产品都将是十三五规划期间重要支持方向。 十三五规划期间，中央政府对半导体产业于财税优惠相关政策主要延续十二五规划期间的国发(2011)4号文与财税(2012)27号文。然十三五规划期间，中央政府在IC企业资格认定与支持领域较十二五规划期间都出现限缩，取而代之的是通过以半导体产业投资基金(以下简称为大基金)以直接入股方式，对大陆半导体企业给予财政支持或协助购并国际大厂。 十三五规划期间中央政府半导体产业政策相关法规架构 十三五规划期间 大陆以提高网通基础建设普及率为重要政策目标 由《中华人民共和国国民经济与社会发展第十三个五年规划纲要》观察与分析，十三五规划期间，中央政府仍将延续十一五与十二五规划政策目标，追求经济持续成长。然而，因大陆经济基期相对偏高，加上全球景气不确定性攀升等因素干扰，大陆生产总值从2015至2020年的复合增长率定在6.5%，意即由2015年人民币67.6万亿元成长至2020年92.7万亿元，成长动能较十二五规划期间7%略缓。 中央政府着眼于未来将于物联网、云运算、大数据等领域占有一席之地，加上将制造业数字化、网路化、智能化亦为中央政府重要战略目标，有别于过去数个5年规划，十三五规划期间，大陆亦新增提升物联网普及率为重要政策目标，其中，固网宽频家庭普及率计划于2020年提升至70%，移动宽频用户普及率则规划提升至85%。 十三五规划期间重要政策目标 数据来源：中华人民共和国国民经济与社会发展第十三个五年规划纲要 结合“物联网+”与“中国制造2025”的概念，一方面为提升物联网普及率，普及网通基础建设就成为十三五规划期间重要国家建设与政策发展方向。除智能手机、数字电视，乃至个人电脑与个人云等终端产品普及率将持续提升外，包括4G、4.5G，至5G基地台、光纤骨干网路、交换机、数据中心与企业机房服务器等基础建设也将逐步增加与普及。 另一方面，“中国制造2025”最重要的政策目标为2020年大陆核心基础零组件与关键基础材料自给率达40%，2025年进一步提升至70%。以2015年大陆IC内需市场自给率尚不及20%观察，十三五规划期间，除晶圆代工与封装测试产能必须大幅扩充外，大陆IC设计企业于关键核心产品亦需投入更多研发。 由普及网通基础建设的角度反应至大陆IC设计企业研发方向，包括4.5G/5G智能手机核心芯片、数字电视芯片、4.5G/5G基地台相关芯片、服务器与个人电脑的中央处理器、有线/无线连接芯片、电源管理芯片、存储器相关芯片等IC产品都将是十三五规划期间，中央政府对IC设计企业研发重要支持方向。 大陆IC制造业者除产能的提升外，在低功耗与性能兼顾的IC产品发展方向下，28纳米及其以下先进制程与电源管理、传感器等部分特殊制程的研发，亦将成为大陆半导体产业政策支持方向。 “互联网+”与“中国制造2025” 普及网通基础建设为十三五规划期间重要政策方向 延续十二五规划期间所推动七大战略性新兴产业，十三五规划期间，中央政府也将包括新一代信息技术产业创新、生物产业倍增、空间信息智能感知、储能与分布式能源、高端材料、新能源汽车列为六大战略性新兴产业，其中差异仅少了环保节能领域。 与十二五规划期间相同，半导体产业被归类于新一代信息技术下基础建设中的一环，意即只要符合条件的相关半导体企业皆可获得政策支持，其中，包括人工智能、新型显示器、移动智能终端装置、5G相关核心芯片、先进感知芯片、可穿戴式装置等相关芯片，皆会成为十三五规划期间中央政府所规划对IC产业所支持的项目。 十三五规划期间六大战略性新兴产业 国家集成电路产业发展推进纲要 因大陆IC产业面对IC内需市场自给率偏低、IC制造与IC设计产业技术能力不足、产业集中度不足难以打造产业链，以及欲解决大陆IC制造业者资金不足问题，国务院于2014年6月发布《国家集成电路产业发展推进纲要》。 其中，对整体大陆IC产业政策目标，2014年至2020年产值年复合成长率需超过20%。若以2015年大陆IC产业产值人民币3，500亿元推算，至2020年若达成年成长目标，则大陆IC产业产值将达8，710亿元，不仅产值将较十二五规划期末(即2015年底)成长1倍以上，若以2015年至2020年大陆IC内需市场规模年复合成长率8%假设计算，至2020年大陆IC内需市场自给率将提升至55%。 大陆IC设计产业政策目标则是除持续发展移动通讯与网路通讯的IC设计技术外，并以此为基础，跨入云运算、物联网、大数据等领域。 至于大陆IC制造政策目标则是晶圆代工制程技术在2020年前能将16/14纳米制程导入量产，封装测试技术则能与日月光、艾尔克(Amkor)等国际一线大厂齐平。至于半导体设备材料领域，则是希望能在2020年前打入国际采购供应链。 《国家集成电路产业发展推进纲要》最重要的政策目标不仅要打造从半导体设备、IC设计、晶圆代工、封装测试等IC完整产业链，更要进一步延展至软件、整机、系统，乃至信息服务，打造一个从IC到终端市场、甚至是系统平台服务的产业链。 要达到政策目标，《国家集成电路产业发展推进纲要》亦对IC产业给予政策支持，除既有重大科技专项、财税优惠、扩大金融支持外，最重要者即在于大基金的设立，及对国际合作、两岸合作的支持。 大基金的设立除可改善大陆IC制造业者在扩充先进制程产能上资金不足的问题外，大陆IC业者亦有机会通过大基金的协助，购并国际大厂，或与国际大厂透过合资设立新公司方式进行合作。研究认为，以大基金为主，乃至于清华紫光、武岳峰等相关投资基金，通过股权投资的途径，将成为十三五规划期间带动大陆半导体产业成长的重要动能。 《国家半导体产业发展推进纲要》的政策目标与政策支持 中国制造2025 着眼于未来能够在3D打印、云运算、大数据、互联网等领域占有一席之地，打造具国际竞争力的制造业为重要政策目标，国务院于2015年5月发布国发(2015)28号文，也正是“中国制造2025”。 实际上，“中国制造2025”普遍适用于各类型制造业，对于IC产业讨论篇幅相当有限，主要着重在IC设计业知识产权(IP)与设计工具的取得、核心通用芯片的开发能力、封装测试业在高密度封装与3D IC封装技术及测试技术的掌握，整个政策目的即在于在关键半导体元器件的供货能力。 然而，通过“中国制造2025”对核心基础零部件(元器件)、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础(四基)的政策目标，对应到半导体产业链进一步分析，在IC设计部分，至2020年大陆IC内需市场自给率目标达40%，2025年将更进一步提高至70%。 为满足提升自给率政策目标，对IC制造产业而言，中央政府也将支持晶圆代工与封装测试业者于产能上的扩充;对半导体设备与材料业而言，则将以提高设备与材料供货能力为目标;至于IP与设计工具业，则以持续丰富知识产权与设计工具为政策目标。 为达IC产业政策目标，“中国制造2025”亦提出多项政策支持，其中值得注意的政策支持为“加强监管，严惩市场垄断与不正常竞争。”这也意味在十三五规划期间，甚至十四五规划期间，中央政府依然会对IC产业实施保护主义政策，高通涉嫌垄断的案例也可能再次发生。 在大基金与各地方政府半导体产业投资基金相继设立后，运用PPP (Public-Private-Partnership，公共私营合作制)模式，将政府资金与民间企业合资入股设立新公司，协助大陆IC制造业者扩充产能，以取代过去直接补贴模式，将为十三五规划期间中央政府对IC业者扩充产能与购并的最主要政策支持。 此外，加强海外购并将列入“中国制造2025”政策支持项目，这也说明除星科金朋、豪威科技外，十三五规划期间大陆将有更多海外购并案会发生。 对大陆IC产业，乃至电子产业而言，“中国制造2025”最终政策目标即是希望打造如同韩国三星一样，从半导体设备与材料、IC设计与制造、电子零组件、终端产品都能加以整合的国际品牌巨头。 “中国制造2025”大陆半导体产业政策目标与政策支持 “中国制造2025”重点领域技术路线图 继2015年5月国务院发布“中国制造2025”后，更进一步设立国家制造强国建设战略咨询委员会，并于同年10月发布“中国制造2025”重点领域技术路线图，针对新一代信息技术产业、高端数字控制车床与机械人、航空设备与机械、新材料、新农业、新能源汽车等十大重点领域技术发展目标、重点方向、发展时程进行规划，其中，半导体产业被规划在新一代信息技术产业的项目之一。 “中国制造2025”重点领域技术路线图对IC制造产业的规划，产能扩充与先进制程的发展是最重要两大政策目标，其中，在产能扩充上，全大陆晶圆代工月产能规划由2015年70万片12吋晶圆扩充至2025年100万片，2030年更进一步扩充至150万片。在先进制程发展上，大陆晶圆代工产业将以2025年14纳米制程导入量产为目标。 大陆IC制造产业的发展重点则锁定新型态3D电晶体、下一代显影技术，及超大尺寸晶圆为发展方向，目标则是希望于2030年大陆IC制造技术能力能与台积电、英特尔、三星电子等世界级大厂齐平。 2015~2030年大陆IC制造产业政策目标与发展重点 “中国制造2025”重点领域技术路线图对IC设计产业的规划，于全球市占率的扩张与IC设计能力的提升为最主要政策目标，其中，2030年大陆IC设计产值规划达600亿美元，以于全球市占率提升至35%，大陆主要IC设计企业将以具备14纳米及其以下先进制程为政策目标。 大陆IC设计产业的发展重点则锁定运算核心芯片与存储器为主要目标，其中，中央政府规划2030年大陆IC设计公司具备PC与服务器应用多核心CPU与移动运算应用超低功耗多核心CPU等产品的设计能力，在存储器方面，也规划2030年前，大陆存储器相关IC企业在包括eDRAM(嵌入式DRAM)与3D V-NAND Flash(Vertical NAND Flash)等存储器具设计与量产能力。 为达成“中国制造2025”重点领域技术路线图的政策目标，除通过科技专项补贴、加强人力资源培养等政策支持外，中央政府亦计划逐步扩大大基金规模，亦不排除设立第二期与第三期半导体产业投资基金。 2015~2030年大陆IC设计产业政策目标与发展重点 十三五规划期间 中央政府财税优惠政策出现限缩 十三五规划期间，中央政府对半导体产业于财税优惠相关政策主要延续十二五规划期间的国发(2011)4号文与财税(2012)27号文。 中央政府对半导体企业财税优惠上，在IC设计方面，符合条件的IC设计公司除免征营业税外，大陆境内新设IC设计企业也能享有企业所得税两免三减半的优惠，员工培训费用亦能抵减应缴纳企业所得税，至于无形资产与固定资产的折旧或摊提时限亦可缩短为2年。 在IC制造的财税优惠方面，则包括符合条件IC制造的企业所得税优惠及折旧时限的缩减。 2016年中央政府对半导体产业租税优惠的政策支持上，相继发布财税(2016)49号文与发改高技(2016)1056号文。其中，财税(2016)49号的重点在于对能够接受国家财税支持半导体企业资格认定予以明确规范，发改高技(2016)1056号文则是对大陆IC设计企业产品与研发范围认定做了更进一步规范。 在IC企业资格认定上，IC设计企业与IC制造企业皆需在大陆成立，并经过认定取得资格的独立法人，排除于台、港、澳地区设立的半导体企业。此外，财税(2016)49号文也对包括高学历员工与研发人员占总员工数、来自IC制造或IC设计本业营收占总营收金额比重、研发金额占营收比重与用于大陆境内研发费用占研发费用比重皆有明确规范。 在IC设计企业产品与研发领域的规范上，发改高技(2016)1056号文则明文中央政府将对高性能处理器、FPGA、物联网与信息安全相关芯片、存储器、电子设计自动化(EDA)及IC设计服务、工业芯片等六大领域的IC设计企业给予财税上的支持。 十三五规划期间中央政策对IC产业财税政策支持 结语 观察十三五规划期间中央政府对半导体产业的政策支持，相关法规架构可分为十三五规划、大基金、中国制造2025、财税补贴等四大部分。 十三五规划期间，中央政府着眼于来自物联网、云运算、大数据的巨大商机与成长动能，将提升互联网普及率定为新增重要政策目标。为达此目标，普及包括4.5G/5G基地台、光纤骨干网路、电信商交换机、数据中心等网通基础建设就成为十三五规划期间重要国家建设与政策发展方向。 预估，提升互联网普及率政策方向将带动大陆包括4.5G/5G智能手机核心芯片、4.5G/5G基地台相关芯片、服务器与个人电脑的中央处理器、有线无线网通芯片、电源管理芯片、存储器等芯片的需求，相关IC企业也将成为十三五规划期间中央政府支持对象。 此外，提升大陆IC内需市场自给率则为十三五规划期间中央政府另一项半导体产业政策重大目标，为此，大陆IC制造业者在先进制程产能与部分特殊制程产能提升将获得中央政府财政支持，大陆IC设计业者也将在高性能处理器、FPGA、物联网与信息安全相关芯片、存储器、EDA及IC设计服务、工业芯片等六大领域获得财税上的支持。 对于十三五规划期间中央政府对半导体产业扶植政策分析，来自01专项与02专项等重大科技专项直接财政补贴已进入倒数计时阶段，财税优惠政策则在IC企业资格认定与支持领域方面较十二五规划期间都出现限缩。 取而代之则是通过大基金直接入股的途径，对半导体企业给予财政上的支持，或对国外企业进行购并。预估，以大基金与清华紫光为主的相关投资基金，将成为十三五规划期间带动大陆半导体产业成长的重要动力。

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