【导读】赛普拉斯半导体公司日前宣布,全球领先的PC供应商联想已在其新款无线触控鼠标SmartTouch N800中采用赛普拉斯的PRoC™-UI(可编程片上射频—用户界面)解决方案。 摘要: 赛普拉斯半导体公司日前宣布,全球领先的PC供应商联想已在其新款无线触控鼠标SmartTouch N800中采用赛普拉斯的PRoC™-UI(可编程片上射频—用户界面)解决方案。 关键字: PRoC™-UI,无线触控鼠标,联想 赛普拉斯半导体公司日前宣布,全球领先的PC供应商联想已在其新款无线触控鼠标SmartTouch N800中采用赛普拉斯的PRoC™-UI(可编程片上射频—用户界面)解决方案。PRoC™-UI解决方案能以卓越的触控性能,支持Windows 8标准手势和用户定制的手势,实现常用功能,同时具有业界最佳的无线连接性和微控制器(MCU)功能。通过在同一颗芯片上集成上述所有功能,不但降低了材料成本,还节省了电路板空间,因而能够设计出外形流畅的鼠标。 PRoC-UI将赛普拉斯领先业界的TrueTouch®电容式触控技术引入到联想SmartTouch N800无线触控鼠标之中,实现单指和双指的简单而精准的操作。基于赛普拉斯的 2.4-GHz WirelessUSB™-NL 射频技术,PRoC-UI能够确保在其他无线设备或微波的干扰环境中,仍然表现卓越。单芯片PRoC-UI解决方案简化了无线触控产品的设计,缩短了产品的上市进程。它还有助于降低功耗,延长电池寿命。 联想研发总监李志杰认为:“我们希望SmartTouch N800无线触控鼠标拥有顶级触控性能,赛普拉斯利用其领先业界的电容式触控技术帮助我们实现了流畅的Windows 8触控手势。PRoC-UI将电容式触控、无线连接性和HID微控制器功能集于一身,帮助我们理顺了设计流程,使我们不必再应付三个不同的供应商提供的三颗芯片。” 赛普拉斯数据通讯事业部全球营销高级总监Jayant Somani说:“联想作为PC界受人尊敬的领导厂商而采用PRoC-UI,是对PRoC-UI性能的最佳佐证。SmartTouch N800无线触控鼠标展示了PRoC-UI集成的价值之所在,以及这一解决方案是如何简化设计并缩短产品上市进程的。” 赛普拉斯获奖的PRoC-UI器件拥有惊人的-87 dBm接收灵敏度(1 Mbps下)。这一增强的灵敏度能实现更远距离的操作或以更低功率传输信号。该器件具有极低的工作和待机电流,使电池寿命更长。它还具有片上模数转换器(ADC)可用于电池监控。在WiFi、蓝牙、无绳电话和微波等其他2.4-GHz干扰的环境中,仍能保持卓越的性能。PRoC-UI支持赛普拉斯正在申请专利的AgileHID™协议,能允许现有的WirelessUSB-NL客户毫不费力地快速开始设计。已有WirelessUSB-NL设计的客户可以将同一个收发器用于新的基于PRoC-UI的产品。PRoC-UI提供免费软件,可以定制终端产品。 关于联想 联想(HKSE: 992,ADR: LNVGY)是一家营业额达340亿美元的个人科技产品公司,是全球第一大个人电脑厂商之一,也是PC+产品领域新晋领导厂商。联想客户遍布全球160多个国家,凭借创新的产品、高效的供应链和强大的战略执行,联想专注于为全球用户提供卓越的个人电脑和移动互联网产品。集团由联想及前IBM个人电脑事业部所组成,在全球开发、制造和销售可靠、优质、安全易用的科技产品及优质专业的服务,产品线包含Think品牌商用个人电脑、Idea品牌的消费个人电脑、服务器、工作站以及包括平板电脑和智能手机等的一系列移动互联网终端。联想为《财富》世界500强之一,集团在日本大和、中国北京、上海、深圳及美国北卡罗莱纳州罗利均设有重点研发中心。 关于赛普拉斯 赛普拉斯提供高性能、混合信号、可编程解决方案,可加快客户产品的上市进程并提供出色的系统价值。赛普拉斯的产品包括旗舰产品 PSoC® 1、PSoC 3、PSoC 4 和 PSoC 5 可编程片上系统系列。赛普拉斯是全球电容式用户界面解决方案领域的领导者,产品包括应用于触摸感应的 CapSense®,用于触摸屏的TrueTouch® 和用于笔记本电脑、PC及外设的trackpad解决方案。赛普拉斯在 USB 控制器领域居全球领先地位,产品主要用于提升诸多消费和工业产品的连接性和性能。此外,赛普拉斯还是 SRAM 和非易失性RAM存储器的全球领先供应商。赛普拉斯的产品应用于众多领域,包括消费类电子、手机、计算、数据通信、汽车、工业和军事等。
根据英国2008年颁布的“气候变化法案”,英国政府致力于具有法律约束力的温室气体排放量,实现到2020年相对于1990年减排目标至少26%的水平。近日,英国照明电器行业协会(LIA)出版了一本指南,建议如何通过照明控制系统实现照明的能效要求的建筑物规例的L部分的修订版。这一指南的L部分建筑物规例支持以上法规承诺,节约了燃料和动力。截至到2010年,L部分集中在组件的改进以减少排放量,已经在很大程度上重点改善了个别灯具照明,而2013年对大的照明系统改进被看作是下一个步骤。当局意识到,控制是改善照明性能的关键。L部分的修订版今年晚些时候生效。修订版有望引入一种新的方法称为LENI(照明效率数字指示器),它能测量整个照明安装的效率,而不仅仅是组件的测量照明效率。
【导读】国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见。 摘要: 国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见。关键字: 国务院,光伏产业 各省、自治区、直辖市人民政府,国务院各部委、各直属机构: 发展光伏产业对调整能源结构、推进能源生产和消费革命、促进生态文明建设具有重要意义。为规范和促进光伏产业健康发展,现提出以下意见: 一、充分认识促进光伏产业健康发展的重要性 近年来,我国光伏产业快速发展,光伏电池制造产业规模迅速扩大,市场占有率位居世界前列,光伏电池制造达到世界先进水平,多晶硅冶炼技术日趋成熟,形成了包括硅材料及硅片、光伏电池及组件、逆变器及控制设备的完整制造产业体系。光伏发电国内应用市场逐步扩大,发电成本显著降低,市场竞争力明显提高。 当前,在全球光伏市场需求增速减缓、产品出口阻力增大、光伏产业发展不协调等多重因素作用下,我国光伏企业普遍经营困难。同时,我国光伏产业存在产能严重过剩、市场无序竞争,产品市场过度依赖外需、国内应用市场开发不足,技术创新能力不强、关键技术装备和材料发展缓慢,财政资金支持需要加强、补贴机制有待完善,行业管理比较薄弱、应用市场环境亟待改善等突出问题,光伏产业发展面临严峻形势。 光伏产业是全球能源科技和产业的重要发展方向,是具有巨大发展潜力的朝阳产业,也是我国具有国际竞争优势的战略性新兴产业。我国光伏产业当前遇到的问题和困难,既是对产业发展的挑战,也是促进产业调整升级的契机,特别是光伏发电成本大幅下降,为扩大国内市场提供了有利条件。要坚定信心,抓住机遇,开拓创新,毫不动摇地推进光伏产业持续健康发展。 二、总体要求 (一)指导思想。 深入贯彻党的十八大精神,以邓小平理论、“三个代表”重要思想、科学发展观为指导,创新体制机制,完善支持政策,通过市场机制激发国内市场有效需求,努力巩固国际市场;健全标准体系,规范产业发展秩序,着力推进产业重组和转型升级;完善市场机制,加快技术进步,着力提高光伏产业发展质量和效益,为提升经济发展活力和竞争力作出贡献。 (二)基本原则。 远近结合,标本兼治。在扩大光伏发电应用的同时,控制光伏制造总产能,加快淘汰落后产能,着力推进产业结构调整和技术进步。 统筹兼顾,综合施策。统筹考虑国内外市场需求、产业供需平衡、上下游协调等因素,采取综合措施解决产业发展面临的突出问题。 市场为主,重点扶持。发挥市场机制在推动光伏产业结构调整、优胜劣汰、优化布局以及开发利用方面的基础性作用。对不同光伏企业实行区别对待,重点支持技术水平高、市场竞争力强的骨干优势企业发展,淘汰劣质企业。 协调配合,形成合力。加强政策的协调配合和行业自律,支持地方创新发展方式,调动地方、企业和消费者的积极性,共同推动光伏产业发展。 (三)发展目标。 把扩大国内市场、提高技术水平、加快产业转型升级作为促进光伏产业持续健康发展的根本出路和基本立足点,建立适应国内市场的光伏产品生产、销售和服务体系,形成有利于产业持续健康发展的法规、政策、标准体系和市场环境。2013—2015年,年均新增光伏发电装机容量1000万千瓦左右,到2015年总装机容量达到3500万千瓦以上。加快企业兼并重组,淘汰产品质量差、技术落后的生产企业,培育一批具有较强技术研发能力和市场竞争力的龙头企业。加快技术创新和产业升级,提高多晶硅等原材料自给能力和光伏电池制造技术水平,显著降低光伏发电成本,提高光伏产业竞争力。保持光伏产品在国际市场的合理份额,对外贸易和投融资合作取得新进展。 三、积极开拓光伏应用市场 (一)大力开拓分布式光伏发电市场。鼓励各类电力用户按照“自发自用,余量上网,电网调节”的方式建设分布式光伏发电系统。优先支持在用电价格较高的工商业企业、工业园区建设规模化的分布式光伏发电系统。支持在学校、医院、党政机关、事业单位、居民社区建筑和构筑物等推广小型分布式光伏发电系统。在城镇化发展过程中充分利用太阳能,结合建筑节能加强光伏发电应用,推进光伏建筑一体化建设,在新农村建设中支持光伏发电应用。依托新能源示范城市、绿色能源示范县、可再生能源建筑应用示范市(县),扩大分布式光伏发电应用,建设100个分布式光伏发电规模化应用示范区、1000个光伏发电应用示范小镇及示范村。开展适合分布式光伏发电运行特点和规模化应用的新能源智能微电网试点、示范项目建设,探索相应的电力管理体制和运行机制,形成适应分布式光伏发电发展的建设、运行和消费新体系。支持偏远地区及海岛利用光伏发电解决无电和缺电问题。鼓励在城市路灯照明、城市景观以及通讯基站、交通信号灯等领域推广分布式光伏电源。 (二)有序推进光伏电站建设。按照“合理布局、就近接入、当地消纳、有序推进”的总体思路,根据当地电力市场发展和能源结构调整需要,在落实市场消纳条件的前提下,有序推进各种类型的光伏电站建设。鼓励利用既有电网设施按多能互补方式建设光伏电站。协调光伏电站与配套电网规划和建设,保证光伏电站发电及时并网和高效利用。 (三)巩固和拓展国际市场。积极妥善应对国际贸易摩擦,推动建立公平合理的国际贸易秩序。加强对话协商,推动全球产业合作,规范光伏产品进出口秩序。鼓励光伏企业创新国际贸易方式,优化制造产地分布,在境外开展投资生产合作。鼓励企业实施“引进来”和“走出去”战略,集聚全球创新资源,促进光伏企业国际化发展。 四、加快产业结构调整和技术进步 (一)抑制光伏产能盲目扩张。严格控制新上单纯扩大产能的多晶硅、光伏电池及组件项目。光伏制造企业应拥有先进技术和较强的自主研发能力,新上光伏制造项目应满足单晶硅光伏电池转换效率不低于20%、多晶硅光伏电池转换效率不低于18%、薄膜光伏电池转换效率不低于12%,多晶硅生产综合电耗不高于100千瓦时/千克。加快淘汰能耗高、物料循环利用不完善、环保不达标的多晶硅产能,在电力净输入地区严格控制建设多晶硅项目。[!--empirenews.page--] (二)加快推进企业兼并重组。利用“市场倒逼”机制,鼓励企业兼并重组。加强政策引导和推动,建立健全淘汰落后产能长效机制,加快关停淘汰落后光伏产能。重点支持技术水平高、市场竞争力强的多晶硅和光伏电池制造企业发展,培育形成一批综合能耗低、物料消耗少、具有国际竞争力的多晶硅制造企业和技术研发能力强、具有自主知识产权和品牌优势的光伏电池制造企业。引导多晶硅产能向中西部能源资源优势地区聚集,鼓励多晶硅制造企业与先进化工企业合作或重组,降低综合电耗、提高副产品综合利用率。 [#page#] (三)加快提高技术和装备水平。通过实施新能源集成应用工程,支持高效率晶硅电池及新型薄膜电池、电子级多晶硅、四氯化硅闭环循环装置、高端切割机、全自动丝网印刷机、平板式镀膜工艺、高纯度关键材料等的研发和产业化。提高光伏逆变器、跟踪系统、功率预测、集中监控以及智能电网等技术和装备水平,提高光伏发电的系统集成技术能力。支持企业开发硅材料生产新工艺和光伏新产品、新技术,支持骨干企业建设光伏发电工程技术研发和试验平台。支持高等院校和企业培养光伏产业相关专业人才。 (四)积极开展国际合作。鼓励企业加强国际研发合作,开展光伏产业前沿、共性技术联合研发。鼓励有条件的国内光伏企业和基地与国外研究机构、产业集群建立战略合作关系。支持有关科研院所和企业建立国际化人才引进和培养机制,重点培养创新能力强的高端专业技术人才和综合管理人才。积极参与光伏行业国际标准制定,加大自主知识产权标准体系海外推广,推动检测认证国际互认。 五、规范产业发展秩序 (一)加强规划和产业政策指导。根据光伏产业发展需要,编制实施光伏产业发展规划。各地区可根据国家光伏产业发展规划和本地区发展需要,编制实施本地区相关规划及实施方案。加强全国规划与地方规划、制造产业与发电应用、光伏发电与配套电网建设的衔接和协调。加强光伏发电规划和年度实施指导。完善光伏电站和分布式光伏发电项目建设管理制度,促进光伏发电有序发展。 (二)推进标准化体系和检测认证体系建设。建立健全光伏材料、电池及组件、系统及部件等标准体系,完善光伏发电系统及相关电网技术标准体系。制定完善适合不同气候区及建筑类型的建筑光伏应用标准体系,在城市规划、建筑设计和旧建筑改造中统筹考虑光伏发电应用。加强硅材料及硅片、光伏电池及组件、逆变器及控制设备等产品的检测和认证平台建设,健全光伏产品检测和认证体系,及时发布符合标准的光伏产品目录。开展太阳能资源观测与评价,建立太阳能信息数据库。 (三)加强市场监管和行业管理。制定完善并严格实施光伏制造行业规范条件,规范光伏市场秩序,促进落后产能退出市场,提高产业发展水平。实行光伏电池组件、逆变器、控制设备等关键产品检测认证制度,未通过检测认证的产品不准进入市场。严格执行光伏电站设备采购、设计监理和工程建设招投标制度,反对不正当竞争,禁止地方保护。完善光伏发电工程建设、运行技术岗位资质管理。加强光伏发电电网接入和运行监管。建立光伏产业发展监测体系,及时发布产业发展信息。加强对《中华人民共和国可再生能源法》及配套政策的执法监察。地方各级政府不得以征收资源使用费等名义向太阳能发电企业收取法律法规规定之外的费用。 六、完善并网管理和服务 (一)加强配套电网建设。电网企业要加强与光伏发电相适应的电网建设和改造,保障配套电网与光伏发电项目同步建成投产。积极发展融合先进储能技术、信息技术的微电网和智能电网技术,提高电网系统接纳光伏发电的能力。接入公共电网的光伏发电项目,其接网工程以及接入引起的公共电网改造部分由电网企业投资建设。接入用户侧的分布式光伏发电,接入引起的公共电网改造部分由电网企业投资建设。 (二)完善光伏发电并网运行服务。各电网企业要为光伏发电提供并网服务,优化系统调度运行,优先保障光伏发电运行,确保光伏发电项目及时并网,全额收购所发电量。简化分布式光伏发电的电网接入方式和管理程序,公布分布式光伏发电并网服务流程,建立简捷高效的并网服务体系。对分布式光伏发电项目免收系统备用容量费和相关服务费用。加强光伏发电电网接入和并网运行监管。 七、完善支持政策 (一)大力支持用户侧光伏应用。开放用户侧分布式电源建设,支持和鼓励企业、机构、社区和家庭安装、使用光伏发电系统。鼓励专业化能源服务公司与用户合作,投资建设和经营管理为用户供电的光伏发电及相关设施。对分布式光伏发电项目实行备案管理,豁免分布式光伏发电应用发电业务许可。对不需要国家资金补贴的分布式光伏发电项目,如具备接入电网运行条件,可放开规模建设。分布式光伏发电全部电量纳入全社会发电量和用电量统计,并作为地方政府和电网企业业绩考核指标。自发自用发电量不计入阶梯电价适用范围,计入地方政府和用户节能量。 (二)完善电价和补贴政策。对分布式光伏发电实行按照电量补贴的政策。根据资源条件和建设成本,制定光伏电站分区域上网标杆电价,通过招标等竞争方式发现价格和补贴标准。根据光伏发电成本变化等因素,合理调减光伏电站上网电价和分布式光伏发电补贴标准。上网电价及补贴的执行期限原则上为20年。根据光伏发电发展需要,调整可再生能源电价附加征收标准,扩大可再生能源发展基金规模。光伏发电规模与国家可再生能源发展基金规模相协调。 (三)改进补贴资金管理。严格可再生能源电价附加征收管理,保障附加资金应收尽收。完善补贴资金支付方式和程序,对光伏电站,由电网企业按照国家规定或招标确定的光伏发电上网电价与发电企业按月全额结算;对分布式光伏发电,建立由电网企业按月转付补贴资金的制度。中央财政按季度向电网企业预拨补贴资金,确保补贴资金及时足额到位。鼓励各级地方政府利用财政资金支持光伏发电应用。 (四)加大财税政策支持力度。完善中央财政资金支持光伏产业发展的机制,加大对太阳能资源测量、评价及信息系统建设、关键技术装备材料研发及产业化、标准制定及检测认证体系建设、新技术应用示范、农村和牧区光伏发电应用以及无电地区光伏发电项目建设的支持。对分布式光伏发电自发自用电量免收可再生能源电价附加等针对电量征收的政府性基金。企业研发费用符合有关条件的,可按照税法规定在计算应纳税所得额时加计扣除。企业符合条件的兼并重组,可以按照现行税收政策规定,享受税收优惠政策。[!--empirenews.page--] (五)完善金融支持政策。金融机构要继续实施“有保有压”的信贷政策,支持具有自主知识产权、技术先进、发展潜力大的企业做优做强,对有市场、有订单、有效益、有信誉的光伏制造企业提供信贷支持。根据光伏产业特点和企业资金运转周期,按照风险可控、商业可持续、信贷准入可达标的原则,采取灵活的信贷政策,支持优质企业正常生产经营,支持技术创新、兼并重组和境外投资等具有竞争优势的项目。创新金融产品和服务,支持中小企业和家庭自建自用分布式光伏发电系统。严禁资金流向盲目扩张产能项目和落后产能项目建设,对国家禁止建设的、不符合产业政策的光伏制造项目不予信贷支持。 (六)完善土地支持政策和建设管理。对利用戈壁荒滩等未利用土地建设光伏发电项目的,在土地规划、计划安排时予以适度倾斜,不涉及转用的,可不占用土地年度计划指标。探索采用租赁国有未利用土地的供地方式,降低工程的前期投入成本。光伏发电项目使用未利用土地的,依法办理用地审批手续后,可采取划拨方式供地。完善光伏发电项目建设管理并简化程序。 八、加强组织领导 各有关部门要根据本意见要求,按照职责分工抓紧制定相关配套文件,完善光伏发电价格、税收、金融信贷和建设用地等配套政策,确保各项任务措施的贯彻实施。各省级人民政府要加强对本地区光伏产业发展的管理,结合实际制定具体实施方案,落实政策,引导本地区光伏产业有序协调发展。健全行业组织机构,充分发挥行业组织在加强行业自律、推广先进技术和管理经验、开展统计监测和研究制定标准等方面的作用。加强产业服务,建立光伏产业监测体系,及时发布行业信息,搭建银企沟通平台,引导产业健康发展。 国务院 2013年7月4日
瑞士的洛桑联邦理工学院的研究人员MichaelGratzel的研究小组开发出了转换效率达15%的固体染料敏化太阳能电池,并发表了论文。此前的染料敏化太阳能电池(DSSC)的转换效率最高为13%左右。15%这一数值是在DSSC的真正实用化方面迈了一大步。Gratzel等人此次开发的DSSC的特点是,采用钙钛矿结构的无机与有机混合型材料作为染料敏化材料,例如使用了CH3NH3PbI3,并且利用由有机材料构成的空穴输送材料(HTM)取代了电解液。具体而言,是由玻璃、FTO、TiO2、CH3NH3PbI3、HTM、Au构成的固体DSSC。这种成分的DSSC最早是日本桐荫横滨大学宫坂力教授的研究小组在2009年提出的,当时的转换效率为3.8%。最近洛桑联邦理工学院的研究人员开发出了转换效率为13%左右的单元,但是还面临着一大课题,那就是在TiO2上形成的钙钛矿结构的材料的粒径明显不均,这导致性能偏差很大。此次Gratzel的研究小组分两步在氧化钛(TiO2)上层叠钙钛矿结构材料,具体方法是,首先在TiO2上层叠Pbl2,然后将其浸泡在CH3NH3I溶液中。利用这种方法,能以很高的再现性制作转换效率高的DSSC。
根据英国2008年颁布的“气候变化法案”,英国政府致力于具有法律约束力的温室气体排放量,实现到2020年相对于1990年减排目标至少26%的水平。近日,英国照明电器行业协会(LIA)出版了一本指南,建议如何通过照明控制系统实现照明的能效要求的建筑物规例的L部分的修订版。这一指南的L部分建筑物规例支持以上法规承诺,解决了节约燃料和动力。截至到2010年,L部分集中在组件的改进以减少排放量。已经在很大程度上重点改善了个别灯具照明,而2013年对大的照明系统改进被看作是下一个步骤。当局意识到,控制是改善照明性能的关键。L部分的修订版今年晚些时候生效。英国LIA修订L部分规定加强照明控制系统效率修订版有望引入一种新的方法称为LENI(照明效率数字指示器),它能测量整个照明安装的效率,而不仅仅是组件的测量照明效率。
【导读】2013年一季度末,士兰微货币资金3.78亿元,其中有97%亿元来自于短期借款,公司陷入资金困局。 摘要: 2013年一季度末,士兰微货币资金3.78亿元,其中有97%亿元来自于短期借款,公司陷入资金困局。关键字: 士兰微,半导体行业 财报显示,公司2013年一季度末货币资金3.78亿元,比上年末减少了0.6亿元。而同期公司短期借款达到了3.67亿元,比上年末上涨了0.36亿元。 据显示,士兰微所属的半导体行业最近一期资产负债率行业均值为31.6%。 然而,士兰微公司一季度资产负债率达到了49.07%,高出行业均值17.47%,有较大的偿债压力。 记者注意到,士兰微2013年一季度营业收入3.05亿元,同比上涨17.87%。而公司当期净利润仅为0.06亿元,同比下降了31.11%。 此外,公司一季度经营活动产生的现金流量净额仅为0.04亿元,比上年同期减少了0.33亿元,同比下降88.59%。 一季报解释称,主要系本期收到政府补助较上年同期减少。 值得注意的是,士兰微今年2月份发布了非公开发行股票预案,5月该预案获得中国证监会核准。 公司拟以4.19元的底价向特定对象非公开发行不超过1.7亿股,募资总额不超过87995万元,主要用于扩大公司已有高新产品的生产规模和未来高成长领域,巩固和提升公司产品的市场占有率和知名度,进一步提升公司的整体竞争能力和可持续发展能力。 截至7月18日上午收盘,士兰微股价报6.06元/股,下跌了0.66%。
【导读】美国工业设计师协会(IDSA)授予美国福禄克公司工业设计团队国际杰出工业设计奖(IDEA®),该奖项是产品、生态设计、互动设计、包装、策略、研究与概念领域最重要的国际性奖项。福禄克团队的Fluke 805振动烈度(点检)仪设计作品荣获商业和工业产品类铜奖。 摘要: 美国工业设计师协会(IDSA)授予美国福禄克公司工业设计团队国际杰出工业设计奖(IDEA®),该奖项是产品、生态设计、互动设计、包装、策略、研究与概念领域最重要的国际性奖项。福禄克团队的Fluke 805振动烈度(点检)仪设计作品荣获商业和工业产品类铜奖。关键字: 805振动烈度仪,福禄克 805振动烈度仪是技术人员对轴承进行预防性检测的方便易用的工具。用户只需简单地将传感器尖端按压至发动机外壳上即可。805通过计算按压至发动机上的力度来告诉用户如何获得准确的读数。用户施力正确时,环绕在手柄上的圆环会亮起:绿色表示“测量就绪”,红色表示“再试一次”。 “精确的振动分析需要复杂的工具和专业技能,因此设计805的挑战在于创造一款可大大简化测量过程的手持式工具”,福禄克公司的工业设计经理Matthew Marzynski表示,“通过设计一种方便进行测量和解释结果的界面,我们成功创造了一款任何维护人员均可成功使用的产品。” 美国工业设计师协会(IDSA)是工业设计领域全球范围内历史最长、规模最大的由会员驱动的协会,该协会由工业设计、互动设计、人文因素、人体工程学、设计研究、设计管理、通用设计和相关设计领域的专家组成。其IDEA奖项计划致力于推动公众了解杰出的工业设计对生活质量和经济的影响。
【导读】2013 年 7 月 22日,北京——安捷伦科技公司(NYSE:A)日前荣获了 Frost & Sullivan 颁发的全球示波器市场增长领袖奖。 摘要: 2013 年 7 月 22日,北京——安捷伦科技公司(NYSE:A)日前荣获了 Frost & Sullivan 颁发的全球示波器市场增长领袖奖。关键字: 示波器,安捷伦 根据 Frost & Sullivan 对全球示波器市场的独立分析显示,安捷伦在过去两年里取得了显著增长,超越了市场中的其它竞争公司,获得了相当数量的份额。同期,竞争公司或者丢失市场份额或者未能达到同等增长速度。 “有 4 个主要因素促成了安捷伦的快速增长:高性能产品的创新、有效应对中端市场和主流市场的需求、产品质量和可靠性的提高、强大的产品分销策略。”Frost & Sullivan 行业总监 Jessy Cavazos说,“评估结果显示,安捷伦过去三年在全球示波器市场中取得了很高的成就,市场份额增长超过了 8.5%。这一切归功于安捷伦始终关注产品研发,面向示波器市场的各个领域不断推出创新型产品。” 安捷伦副总裁兼示波器和协议分析事业部总经理 Jay Alexander 说“我们很高兴能够获得这个奖项。全球示波器市场的竞争十分激烈,我们始终坚持为客户提供创新、高价值、高性能的产品,同时对客户需求做出迅速响应。自 2002 年起,安捷伦已经成为全球发展速度最快的示波器厂商。”
加利福尼亚州圣何塞,2013年7月18日-根据SEMI今天发表的六月EMDS报告,北美半导体设备制造商公布2013年6月在世界各地的订单总数为$13.3亿,订单出货比为1.10。订单出货比为1.10意味着本月每出货100美元,就获得110美元的订单。2013年6月的全球订单为13.3亿美元。比同年5月的13.2亿美元高出0.7%,比2012年6月14.2亿美元下降6.6%。2013年6月的全球出货为12.1亿美元。比同年5月的12.2亿美元下降1.4%,比2012年5月15.4亿美元下降21.4%。SEMI的总裁兼首席执行官DennyMcGuirk表示,“订单出货比已连续六个月大于1,并且第二季度末比第一季度末要高出20%,我们预计,全球总设备支出将在今年小幅度下降,并在2014年有较大的反弹。”SEMI的订单出货比是基于北美半导体设备制造商全球订单和出货量的3个月移动平均数的比例。下表数据以百万美元为单位。
【导读】智能终端的普及以及移动宽带的迅猛发展,使移动数据业务呈现爆发式增长。业界预计,未来十年,全球移动数据业务量将以指数级增长,这将给当前网络带来前所未有的巨大冲击。 摘要: 智能终端的普及以及移动宽带的迅猛发展,使移动数据业务呈现爆发式增长。业界预计,未来十年,全球移动数据业务量将以指数级增长,这将给当前网络带来前所未有的巨大冲击。 关键字: 无线接入,无线网络,MSA 随着无线网络的不断发展,多流汇聚(MSA,Multiple Stream Aggregation)通过采用多制式、多载波和多层网络的深度融合,可以带来500%的边缘吞吐量提升,真正实现无边界网络的理念,使用户无论处于网络的任何位置,都能够享受到高速稳定的数据接入服务,它将成为未来网络演进的关键技术。 智能终端的普及以及移动宽带的迅猛发展,使移动数据业务呈现爆发式增长。业界预计,未来十年,全球移动数据业务量将以指数级增长,这将给当前网络带来前所未有的巨大冲击。 当前网络所面临的挑战 当前网络通常采用单层网络部署,即:不同的无线接入技术(RAT,Radio Access Technology),如GSM、UMTS、LTE和Wi-Fi等,分别进行独立部署和管理,且通过不同的核心网设备接入网络。用户在同一时刻只能与一种RAT中的单个节点进行数据传输,从而导致无线资源利用不充分,网络基础设施重复投资,网络容量无法进一步提升等问题。 虽然HetNet是目前用于提升网络容量的一种典型应用场景,可是随着小站个数的逐渐增多,未来将出现越来越多的“小区边缘”,使得频繁切换、切换失败率增加以及边缘用户的吞吐量降低等现象越来越突出,这些都对用户体验有所影响。因此,移动性、干扰、资源利用率等问题是当前网络所面临的主要挑战。 移动性 随着HetNet的密集部署,小站的个数逐渐增多,频繁切换以及乒乓切换等现象将不断涌现。一般情况下,由于小站天线的部署位置较低,导致小站和宏站的信号传播特性有所不同。随着距离的增加,宏站信号的衰减比较缓慢。小站部署后,虽然小站附近的信号强度明显提升,但是随着离小站距离的增加,信号会出现快速的衰减现象,严重时还将导致用户掉话。 简言之,由于小站信道的快衰特性,以及引入小站所带来的干扰等因素,使得HetNet场景下的切换失败率普遍高于传统同构(仅部署宏站)场景下的切换失败率,尤其以用户从小站切换到宏站时更为明显。 干扰如果小站部署在宏站的覆盖范围之内,因为受到宏站的同频干扰,所以小站的覆盖范围会出现明显的收缩现象,即:小站越靠近宏站,其覆盖范围越小。例如,小站如果部署在宏站的边缘,其覆盖范围可以达到100m以上;而小站如果部署在宏站的中心,则其覆盖范围仅可以达到几十米甚至十几米。此外,因为同频干扰的存在,也会使得用户的吞吐量明显下降。 资源利用率 一般而言,在不同的时间和地理位置,宏站和小站之间总是存在不同业务需求的差异。在传统HetNet场景下,不同站点之间无法进行资源共享,从而导致资源利用不充分,不同站点下的用户体验也有所不同。 宏站因为其覆盖范围大,能够吸附更多的用户,因此,一般而言宏站的负载可能较重,这将导致宏站内用户的吞吐量较低,尤其是宏站的边缘用户,因为距离宏站较远,同时又受到同频小站的干扰,其用户吞吐量就更低。而对小站而言,因为受到覆盖范围的约束,导致其吸附的用户个数不多,负载较轻,所以小站内用户的吞吐量较高。因此,宏站和小站下的用户感受明显不一致。 未来无线网络演进的关键技术——MSA 随着无线网络的不断发展,MSA通过采用多制式、多载波和多层网络的深度融合,可以较好地解决当前网络所面临的移动性支持待提升、干扰问题突出和资源利用率不高等问题,从而极大地提升边缘吞吐量,真正实现无边界网络的理念。 未来无线网络通过采用网络分层和MSA的完美结合,可以使用户无论处于网络的任何位置,都能够享受到高速稳定的数据接入服务,实现超宽带、零等待和无处不在的连接,从而带来高速、高质量以及简单自由分享的业务体验。其中,网络分层是指多层的网络架构,包括Host Layer和Boosting Layer,如图1所示。Host Layer主要用于确保网络覆盖,通过建立Host link来为用户提供信令和数据的传输,提供无处不在的连接,保证可靠的基本用户体验;Boosting Layer主要用于提升网络容量,通过建立Boosting link来为用户提供数据的传输,达到最佳的用户体验。而MSA是有机聚合Host Layer和Boosting Layer的关键技术,通过多个节点为用户提供多流汇聚,进一步提升了用户感受和网络容量,该技术已经被业界广泛认可,并从3GPP R10版本开始逐步被支持,成为当前标准讨论的热点。 RAN侧的网络实体,如BBU pool或者SRC(Single Radio Controller),可作为MSA的集中控制节点,执行统一的控制功能,从而更好地实现网络分层、数据分流以及协调调度等。 Host Layer:保证可靠的基本用户体验 Host Layer能够有效地解决当前网络所面临的移动性和干扰问题。 在同频场景下,Host Layer可采用相同小区ID的网络部署方式,通过不同节点使用相同的物理小区标识(PCI,Physical Cell Identifier),从而避免同频切换;在异频场景下,例如多载波或者多制式场景,Host Layer可使用户总是附着在宏站上,即:无论用户在宏站覆盖范围内如何移动,始终保持用户和宏站之间的Host link存在,从而避免异频切换。 网络分层后,干扰进一步可分为层内干扰和层间干扰。协调调度可用于解决层内干扰,例如:针对干扰敏感用户,Host Layer可以通过协调邻区的调度,降低其所受干扰。时频资源分离可用于解决层间干扰,例如:预留一部分时频资源在Host Layer的不同节点间进行SFN(Single Frequency Network)传输,以达到最佳的覆盖,而其他的时频资源在节点间进行空间复用,以达到最佳的效率。换言之,不同层之间通过保证资源的相互独立,从而降低层间干扰。[!--empirenews.page--] Host Layer通过避免切换,保证了用户业务的连续性;通过降低干扰,提升了用户的吞吐量,从而保证了可靠的基本用户体验。 Boosting Layer:提供最佳的用户体验 MSA是有机聚合Host Layer和Boosting Layer的关键技术,针对不同的应用场景又进一步包括:Intra-frequency MSA、Inter-frequency MSA和Inter-RAT MSA. Intra-frequency MSA:利用多个同频节点为用户提供多流汇聚 在传统HetNet场景下,用户仅能与其单个附着节点进行数据的传输,系统资源无法得到充分利用。而未来网络可通过采用Intra-frequency MSA技术,使得用户可以动态地实现与一个或者多个最佳节点进行数据传输,完成同频节点间的多流汇聚,达到最佳的用户体验。同频MSA中,数据传输节点对用户而言是透明的,即使是在不同小区ID的场景下,也不需要信令的开销,从而最大化利用系统资源,更好地解决当前网络存在的资源利用不充分问题,实现用户体验的一致性。 此外,Intra-frequency MSA还采用了一些先进的算法,可带来200%的边缘吞吐量提升,包括:CS-PC(Coordination Scheduling Power Control),通过协调调度功率控制来实现干扰管理;CLB(Coordination Load Balance),通过自适应协调负载均衡提升频谱效率;CoMP(Coordinated Multi-Point),基于实时的信道变化进行动态节点选择或者联合传输,从而实现业务的负载均衡等。 Inter-frequency MSA:利用多个异频节点为用户提供多流汇聚 在传统HetNet场景下,当用户在宏站和小站之间移动过程中,异频切换将被触发,可能影响用户的体验。而未来网络可通过采用Inter- frequency MSA技术,使得用户总是附着在宏站上,即:始终保持用户和宏站之间存在Host link,并动态选择最佳小站,通过用户和最佳小站之间的Boosting link来对宏站进行数据分流。对用户而言,形成了不同载波间的多流汇聚,进一步提升了用户感受和网络容量。 根据宏站和小站之间backhaul link的时延特性,Inter-frequency MSA又分为两种场景:理想backhaul和非理想backhaul.理想backhaul指的是宏站和小站之间backhaul link的传输时延可以忽略不计,非理想backhaul指的是宏站和小站之间backhaul link的传输时延不可忽略。值得一提的是,非理想backhaul场景下将不同节点不同载波上的数据流进行灵活的汇聚,是3GPP Rel-12标准的核心热点之一,受到业界的广泛关注。 Inter-RAT MSA:利用多个不同制式的节点为用户提供多流汇聚 异制式的多流汇聚(Inter-RAT MSA)是实现不同制式融合方案的关键技术。其中,Host Layer可以是UMTS或者LTE,Boosting Layer可以是LTE或者Wi-Fi。 以 LTE和Wi-Fi融合场景为例。LTE作为Host Layer,用于提供覆盖,保持用户和宏站之间的Host link始终存在,保证可靠的基本用户连接;Wi-Fi作为Boosting Layer,用于容量提升,通过用户和Wi-Fi之间的Boosting link提升传输速率,达到最佳的用户体验。 在网络部署时,大多数数据业务的下行业务量远超过上行,然而蜂窝网络的传输资源基本上是上下行对称的,所以蜂窝网络的下行数据传输更急需增强。此外,由于Wi-Fi网络的上行存在更为严重的接入冲突、隐藏终端以及QoS等问题,并且这些问题会随着用户数目的增加而急剧恶化。基于上述考虑,华为认为,最高效的传输方案是将Wi-Fi主要用于下行数据传输,即:根据信道、网络负载和干扰状况等因素,通过在RAN侧新定义的控制实体SRC,灵活地将蜂窝的Host link上的下行数据分流到Wi-Fi的Boosting link上,从而使得用户的峰值体验成倍提升,同时也可以极大地提升网络容量。 目前,基于上述方案和技术,华为已经利用现有的产品平台实现了MSA技术,并在外场成功地验证了网络分层和MSA技术融合所带来的用户体验提升,真正实现了未来无边界网络的理念。 本文章来自网(),转载请注明。
【导读】与国际先进水平相比,当前我国集成电路产业发展基础仍然薄弱,难以满足市场需求,加之该领域资金、技术、人才高度密集,使集成电路产业面临着前所未有的挑战。 摘要: 与国际先进水平相比,当前我国集成电路产业发展基础仍然薄弱,难以满足市场需求,加之该领域资金、技术、人才高度密集,使集成电路产业面临着前所未有的挑战。关键字: 半导体集成电路,发达地区 与各发达地区和国家产业政策比较 我国半导体集成电路产业想走在世界经济的前列或是为了保卫国家安全,就必须进入这个耗资巨大而又发展极为迅速的技术领域。半导体集成电路产业对于美、欧、日、韩来说,目前已是成熟产业,但政府的扶持在世界各国的半导体产业发展中随处可见。 美国:国防拉动 美国发展半导体的原始目的主要在于支持国防业和宇航业,确保美国国防部能获得最先进的武器系统和宇航局拥有最精密的操作控制设备。由于这两个行业是半导体产品的主要需求者,从而决定了半导体行业发展的最初方向和性质。 美国政府以巨大的国防支出来资助半导体业的研发,1987年美国半导体协会成立。美国政府亦在贸易领域出台了一系列政策以支持其半导体产业的发展,如1986年美国政府与日本签订了《半导体协定》,然而美国政府因从国防安全角度出发一直严格控制其尖端核心半导体设备的出口。 日本:工业和消费领域应用 在日本半导体业发展中,为全面扭转最初其技术依附于欧美的弱势地位,日本的MITI发挥了强大的引导作用,为日本半导体企业的有序竞争构建了有效框架。一是《电子工业振兴临时措施法》于1957年制定。二是《特定电子工业及特定机械工业振兴临时措施法》于1971年制定。该法的实施成功地帮助日本企业通过加强自身研发、生产能力,有效地抵御了欧美半导体厂商的冲击,进而使日本半导体制品不断走向世界。三是《特定机械情报产业振兴临时措施法》在1978年制定(于1985年失效)。该法进一步加强了以半导体为核心的信息产业的发展。 较为重要的是于1995年出台的《科学技术基本法》。MITI还通过限制外商在日本半导体产业的投资和要求通过直接购买方式来获取技术从而避免了日本在技术上受到他国的控制和支配。 直到20世纪70年代末,日本政府一直奉行着严厉的产业保护政策,包括进行严格的进口管制及由MITI提议的大规模综合项目VLSI的实施。这个由日本政府出资40%的项目使日本5大半导体公司通过合作共同研发更复杂先进的新一代技术产品。同时在融资上,日本政府主要利用国家开发银行为半导体企业提供低利贷款,使企业借贷利率接近于零,这与美国同时期市场利率4%~5%相比较,可谓是具有极大优势。 韩国:政府主导 上世纪70年代开始,韩国政府就制定了“教育立国、科技兴邦”的发展战略,并真正落到实处。1982年,“长期半导体产业促进计划”宣告启动,韩国政府为4大主要半导体企业提供了大量的财政、税收优惠。1986年,韩国政府制订了半导体信息技术开发方向的投资计划,每年向半导体产业投资近亿美元。20世纪末亚洲金融危机后,韩国又明确了IT立国的发展战略,提出未来IT产业发展的中长期计划。从2008年到2012年的5年里,韩国政府对研发领域的投资总额达68万亿韩元,韩国政府对研发领域的年均投资增长率高达9.6%,位居全球第二。可见,韩国政府通过多种渠道去培养和促使韩国大企业进入半导体领域。 印度:知识产权保护 近几年,印度积极实施半导体集成电路鼓励政策,投入30亿美元启动国家工程,首先在国内建集成电路测试厂,再建200mm和300mm晶圆厂。印度政府实施半导体产业投资奖励条例,对投资企业10年内可享受投资额20%~25%的补助,同时还享有减免税收、无息贷款等优惠措施。 印度在立法上推出6大举措,促进软件与集成电路产业发展,估计到2015年印度将占世界半导体市场的15%。1995年正式生效的《版权法》是世界上最严格也是最接近国际惯例的版权法之一,印度软件的盗版比率降低了30%,不仅使印度软件产品能源源出口美国而免受美国301条款的制裁,更大大提高了以美国软件厂商为首的西方跨国软件企业到印度投资设厂及建立软件研发机构的意愿。 中国台湾:资金支持 中国台湾地区早就高度重视半导体产业的发展。在税收、研发及培训、政府补助、融资等方面制定了相当优惠的政策,极大地推进了半导体集成电路产业的发展。 我国台湾地区1974年成立台湾工研院,1979年成立新竹科学工业园,1980年成立公私联华电子公司,私方占30%;1983年电子所获得7亿美元“超大型IC(VLSI)计划”,成立台积电;1990年启动“大型半导体技术发展计划”,发展DRAM技术,抓住了形成设计、晶圆、封装等产业的发展机会;从上世纪80年代起,通过发行股票融资、海归人才加盟等措施合力推动台湾IC产业发展;1990~1995年,亚微米工艺技术发展计划投70亿新台币,当局占94.3%。免税减税:新兴产业5年免税,园区5年免税,0.8μm两免三减半及后续10年交10%的所得税,增值税交5%。 中国对于提高半导体产业竞争力的最新举措 国务院4号文政策优于18号文,对集成电路封测、设备材料都有顾及,但对封测业的优惠政策仍无法实际执行:一是“对国家批准的集成电路重大项目,集中采购生产期短的难以抵扣增值税进项税占用资金问题,采取专项措施以妥善处理”,现因有项目投资规模限制,企业技改项目由地方审批,仍无法执行。二是“完善集成电路产业链,对符合条件的IC封装、测试、关键专用材料企业及集成电路专用设备企业给予企业所得税优惠”,目前财税和有关部门还没有具体政策,实际上没有执行(企业所得税按15%征收)。 增强企业创新能力 鼓励企业整合,尤其应引导有实力的系统应用厂商整合半导体集成电路企业,培育具有国际竞争力的大企业。在企业整合过程中,不论是兼并还是重组,都应按照市场机制来运作,政府通过政策扶持、重点项目、环境配套等手段,引导和支持企业之间兼并重组。[!--empirenews.page--] 封测业是我国集成电路产业的优势产业,内资前几大封测企业已从低端跨过中端,进入中高端,并有一部分已经进入国际高端领域。但几家企业均感到资金、人才的匮乏,难以支撑高端研发。靠各自单打独斗其发展空间将严重受制,且同质化竞爭形成内耗。如果能促使国内封测业现有几家龙头企业整合在一起,其实力就不能同日而语,非但企业间无序竞争压价现象会改善,而且能够在国家的集中投入支持下迅速成长。 进一步制定加大对国内资本和自主创新产品进行保护的政策。在产业链各环节挑选领军企业,制定相关政策,加大扶持力度,促进产业做大做强,做专做精。 对集成电路企业的认定,可比照软件业认定流程,简化认定程序,授权有一定产业规模的省级半导体行业协会组织办理认定。加快公共服务平台的建设,如行业协会、产业技术创新战略联盟、先导及共性技术研发中心等。在进出口方面就企业来料加工中出现的不合格晶圆(不合格原材料)进行退换要简化手续;缩短通关时间,加速物流等对IC非常重要;在出口退税方面予以协助,加快退税。 企业一般是在收到政府拨款的当年按征税收入处理,按适用税率计算纳税。建议属于国务院组织实施的国家重大科技专项、工业和信息化部组织的集成电路研发基金、电子发展基金项目等中央部委和省级部门审批实施的项目,对于项目实施取得的中央和地方各级政府拨款(补助),建议国家(国务院)将其认定为免税收入,免征企业所得税。或者明确对于企业实际发生的并得到政府拨款补助的研发支出,可以申请研发费用加计扣除优惠政策,以推动我国集成电路制造产业的发展,提升我国集成电路制造装备、工艺技术的自主创新能力,使重大专项得到有效实施并发挥作用。 建议应对集成电路封装测试重点企业加以扶持,在引进外资时,要考虑对内资同类企业所带来的冲击和影响,特别是对于低端封测技术的引进应严格加以限制。政府在引进新项目时,要与已有企业的技术和产品领域进行比较,避免与现有同类企业发生不当竞争。 强化投融资支持 相对提高产业集中度,有效利用国家资源。现在各地方政府相继投资半导体产业,中央政府应进行适当调控。半导体产业是一个投资、技术、人才相对密集,高投入和高风险的产业,对地域环境、公共配套设施要求高,不宜各地全面铺开,造成国家资源的浪费。 强化投融资支持,政府应提供符合行业特点的中长期优惠资金贷款,且提供资金担保的便利;政府应成立符合产业投资强度的专项发展基金、创业投资基金和融资担保基金支持集成电路产业发展,使企业能够便捷获得相应基金的扶持;政府应对新品研发、产品专利、技术标准、名牌产品及高技术人才的引进与培训费用等予以补贴,所有政府补贴资金不需要企业重复交纳所得税,否则将弱化补贴的效果,因为集成电路是一个需要巨大投资的产业。举例来说,现在建一个月产10万片的12英寸芯片制造厂需要四五十亿美元,投资一个32纳米的芯片设计项目需要1亿美元,研发32纳米工艺需要10亿美元。中央预算的资金可以尝试从几种渠道介入企业:除了过去的重大专项等操作方式外,可尝试委托对高科技行业熟悉的风险投资机构进行投资,以及以贷款方式进行特殊项目的投资。此外,地方政府的一些项目引导资金可以充当投资基金,而中央预算可以为地方引导基金配套。鼓励民资、民营大企业跨地区、跨行业投资集成电路产业。 从国外半导体产业政策来看,无论是美国,还是日本、韩国,没有一个国家的政府对半导体产业的发展采取放任政策,而是通过一系列政策手段进行扶植。即使是同一国家,政府在半导体工业发展的各个时期都制定了不同的策略。我国的半导体产业总体水平与这些发达国家比较,在生产能力、设备水平、开发手段、工艺水平、产品技术指标、市场开拓等方面均存在很大差距。 中国本土IC制造企业目前只能满足IC市场大约不足20%的需求量,而其他超过80%的需求都不得不通过进口来满足。与此同时,中国所有内资半导体企业的总销售额仅占世界半导体总销售的5%左右。因而我国应通过借鉴美国、日本、韩国等发达国家以及我国台湾地区的发展经验,并结合中国半导体业现阶段发展状况,明确在半导体领域的定位和战略,并相应地改进或调整该产业的政府管理模式和政策体系,以更好地促进中国半导体产业的发展,提升我国半导体产业的国际竞争力。
博通公布了截至6月30日的2013年第二季度财报。其中,净营收达到20.9亿美元,比上年同期的19.7亿美元增长6.0%;净亏损2.51亿美元,上年同期净利润为1.60亿美元。博通第二季度同比出现亏损,导致其股价在盘后交易中大跌超过5%。第二季度,博通净营收为20.0亿美元,同比增长6.0%,上年同期为19.7亿美元;净亏损为2.51亿美元,上年同期净利润为1.60亿美元;每股摊薄净亏损0.43美元,上年同期每股摊薄净利润为0.28美元。博通第二季度同比出现亏损,主要原因是财报中计入了收购etLogicMicrosystems带来的5.01亿美元无形资产摊销支出。按非美国通用会计准则,博通第二季度净利润为4.36亿美元,每股摊薄收益为0.70美元。该业绩不及市场预期。据汤森路透所调查的分析师平均预期,按非美国通用会计准则,博通第二季度净营收为21.00亿美元,每股摊薄收益为0.68美元。按营收来源划分,博通第二季度来自产品的的营收为20.35亿美元,上年同期为19.17亿美元,上一季度为19.54亿美元;来自与高通协议相关的营收为4300万美元,不及上年同期的4800万美元,与上一季度持平;来自授权的营收为1200万美元,上年同期为600万美元,上一季度为800万美元。第二季度,博通总运营支出达到23.38亿美元,上年同期为18.19亿美元,上一季度为18.07亿美元;运营亏损为2.48亿美元,上年同期运营利润为1.52亿美元,上一季度运营利润为1.98亿美元。在周二的常规交易中,博通股价下跌1.42美元,跌幅4.27%,收于31.83美元。受第二季度业绩不及预期影响,博通股价在盘后交易中(至截稿时,北京时间7月24日凌晨6点)下跌1.83美元,跌幅5.75%,报30.00美元。过去52周,博通股票最高价为37.85美元,最低价为29.95美元。
ARM也希望能藉由甲骨文的支援跨进机器对机器(M2M)的新兴领域,包括讲求节能的工业控制、工厂自动化及工业单板电脑等。ARM周一(7/22)宣布与甲骨文签定多年合作协议,除最佳化甲骨文现有的JavaSEforARM32-bit平台外,同时将让JavaSE扩至支援到ARMv864-bit平台。在这项合作下,将可提升ARM多核系统的资料吞吐量和扩充性。ARM指出,甲骨文的JavaVirtualMachine(JVM)是企业级伺服器与嵌入式系统中,高传输量Java应用的关键元件,将有助于提升ARM多核系统的效能。双方并将合作提升开机效能、省电性,及函式库的最佳化,以利ARM晶片打入资料中心、网路设备基础架构及嵌入式运算。ARM也希望能藉由甲骨文的支援跨进机器对机器(M2M)的新兴领域,包括讲求节能的工业控制、工厂自动化及工业单板电脑等。随着节能成为企业资料中心重要议题,使得以搭载ARM晶片的伺服器,成为近年企业IT最热的产品类别。目前,多家伺服器业者相继推出ARM架构伺服器,包括HPMoonshot、Dell的Copper,就连晶片大厂AMD也预计在2014年推出ARM晶片「西雅图」。ARMv8晶片是64-bit设计,预计明年推出第一台搭载ARMv8的伺服器。ARM与甲骨文于1999年就曾合作,当时曾将JavaOS移植到ARM架构上。不过双方并未说明,是否明年ARMv8伺服器推出就已有Java支援。hhhhhh
【导读】行业的洗牌是必然的,但是怎么样洗牌?什么时候洗牌没有确定的时间。 摘要: 行业的洗牌是必然的,但是怎么样洗牌?什么时候洗牌没有确定的时间。 关键字: LED照明,洗牌 在3月份笔者打PCB样板的时候,PCB板厂LED产品订单排到了4月底,打样是不可能的,LED真的火了? 可是突然间,雄记出事了、亿光出事了,在LED坊间又投下了炸弹,行业内中型小的规模企业,噤若寒蝉,唏嘘不已,局外人士高瞻远瞩者多多,纷纷评头论足,引发了又一轮的洗牌声。 LED真的到了洗牌的时刻了吗? 听传LED照明的国标将出台了,很多人士看来国标就是一个门槛,能够彻底摒弃一把螺丝刀子、一把电烙铁手工作坊的工厂,如果这样认为就大错特错了,国标的出现,不但不能导致行业的洗牌,更不能使那些小的手工作坊消失,洗牌的结果只能使那些较有规模的企业落败;从另外的角度看,能够促使小的手工作坊壮大。 为什么?因为规则向来只能限制那些遵守规则的良商,规则对于规模性企业来讲是有效的,他们会遵循规则做事情,而对于不遵守规则的企业,法不责众,即所谓的劣币驱逐良币。国标就像我们日常用的门锁一样,锁用来是防君子,不是用来防小人的。 再之,国标的出台将使一个很困难的事情,就像LED显示屏一样,从20世纪就嚷嚷着出国标,到现在也没有制定一个国标出来,最后歪歪扭扭的出了一个行业标准,可行业标准的出现,限制了LED显示屏产业的膨胀了吗?没有,结果是LED显示屏行业的大繁荣,推及现在的LED显示屏行业的乱象。 所以寄希望于国标能够调整整个行业的现状是虚无缥缈的。 [#page#] LED行业无论怎么样洗牌,那些小的手工作坊是无法洗的掉的,在深圳20多平米就是一个LED厂,不可想象,但是这种工厂在深圳比比皆是,一个工厂也就是3-5个人,人人都是老板,他们原先都是做业务出身,技术无从谈起,但是他们做的有声有色,为什么?因为市场所需,因为LED是一种太灵活太简单的光源了。行业再怎么样洗牌,能够洗的到他们头上吗? 中国有5家LED厂商在欧盟禁售,并限令召回,说出来那5家企业的名字,竟让没有一家听说过,这不是很可怕吗?外贸是那些小型工厂的最有营养的血液。限售、召回都没有关系,企业关了再做一个,找谁去?导致的结果是国内规模性企业的出口受到了特殊的照顾,造成中国产品在国外的声誉连连下滑;滑稽的是,这种生意在我们中国做的非常有前景,笔者在非洲的时候,眼见非洲人拎着硬纸板做的破皮鞋追着中国鞋商喊“China、China、China”,连笔者都汗颜。即使这样的企业在某一地方或者某一领域关张了,他会再做其他领域,所以洗牌对他们来说无所谓,洗他们关门,不洗他们也关门。 现在的国人大多数是为挣钱而做事;在国外发达国家,他们是为做事而挣钱;这简单的颠倒,就表达了两种不同的做企业的目的,这就是为什么一些企业为什么越做越好,而有些企业越做越差。在我们LED业界内前两年,很多企业做LED的目的是为了上市,所以为了达到上市的标准,他们会千方百计的使达到一定的规模、销售额等等,那些数据会很虚浮,前段时间一些上市企业爆出丑闻,说明这个现实,这样的心态做企业能做大做强吗?这或许是LED业界很多企业的心态。所以洗牌的结果可能是那些比较上规模甚至上市的公司。 为什么会出现这种令人痛心的现实呢?因为在中国,对企业的约束力太小了,从国家到地方,只要企业能够为政府交税、能够为地方带来利益,只要做的不是太违法乱纪,会睁一只眼闭一只眼甚至是纵容企业去做,在我国从大到小企业,有几家尊重别人的知识产权?大环境使然。 行业的洗牌是必然的,但是怎么样洗牌?什么时候洗牌没有确定的时间,洗牌的时间一定在国际大牌感冒、耍脾气和行业内突发大事件的时候,在再寒冷的市场环境中,倒下的是那些上规模的厂家,不管是良商或者劣商,只是劣商的倒闭更快些,中国没有一个能够支撑起成就乔布斯式企业家的环境。
【导读】Xilinx日前宣布在20nm工艺节点再次推出两大行业第一:投片半导体行业,也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All Programmable器件;发布第一个ASIC级可编程架构UltraScale。“我们制定了业界最激进的20nm投产计划。”赛灵思公司(Xilinx)全球高级副总裁汤立人(Vincent Tong)说,“我相信,当客户结合采用台积电技术和UltraScale架构,并通 摘要: Xilinx日前宣布在20nm工艺节点再次推出两大行业第一:投片半导体行业,也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All Programmable器件;发布第一个ASIC级可编程架构UltraScale。“我们制定了业界最激进的20nm投产计划。”赛灵思公司(Xilinx)全球高级副总裁汤立人(Vincent Tong)说,“我相信,当客户结合采用台积电技术和UltraScale架构,并通过Vivado设计套件进行协同优化后,其产品将比竞争对手提前一年实现1.5至2倍的系统级性能和可编程集成。”关键字: ASIC级可编程架构,赛灵思 此次推出ASIC级可编程架构的大背景在于,随着需要极高数据速率的400G OTN、LTE/LTE-A、4K2K和8K视频处理、以及数字阵列雷达等新生代系统的不断涌现,时钟歪斜、大量总线布置以及系统功耗管理方面的挑战将会达到令人生畏的程度。“一旦以数Gbps速度传输的串行数据流进入芯片,就必须扇出(Fan Out),以便与片上资源的数据流、路由和处理能力相匹配。”汤立人说。因此,实现上述要求的必要条件并非仅是改善单个器件性能,或增加模块数量这么简单,而是要从根本上提高通信、时钟、关键路径以及互联性能,以满足这些高性能应用对海量数据流和智能数据包、DSP或图像处理等的要求。 此次赛灵思将精力重点放在了解和满足新一代应用对于海量数据流、多Gb智能包处理、多Tb吞吐量以及低时延方面的要求。最新开发的UltraScale架构能从20nm平面FET结构扩展至16nm鳍式FET晶体管技术甚至更高的技术,同时还能从单芯片扩展到3D IC。据称,它不仅能解决系统总吞吐量扩展和时延方面的局限性,还能直接应对先进工艺节点上的头号系统性能瓶颈—互联问题。 源于其中包含众多ASIC要素,赛灵思将UltraScale称为ASIC级可编程架构。例如,针对海量数据流而优化的宽总线支持多兆位(multi-terabit)吞吐量;多区域类似ASIC的时钟、电源管理和下一代安全性;高度优化的关键路径和内置的高速存储器串联,消除DSP和包处理的瓶颈;二代3D IC系统集成芯片间带宽的步进功能;高I/O和存储器带宽,提供动态时延缩短和3D IC宽存储器优化接口;Vivado工具消除布线拥堵和协同优化,器件利用率超过90%等。 与前几代可编程逻辑器件所采用的时钟方案完全不同,Xilinx在UltraScale架构中加入了类似ASIC时钟功能,不但消除了放置方面的众多限制,还能够在系统设计中实现大量独立的高性能低歪斜时钟资源,而这正是新一代应用的关键要求之一。 提高布线率,为UltraScale架构引入类似高速公路设计中的快速通道理念,以缓解数据拥塞问题,则是本次发布的另一大亮点。这些新增的快速通道可供附近的逻辑单元之间传输数据,尽管这些单元并不一定相邻,但它们仍通过特定的设计实现了逻辑上连接。这样,通过UltraScale架构提供的高布线效率,就能够使可管理的数据量呈指数级上升。这意味着,只要设计合适,布局布线就没有问题。器件利用率将有望达到90%以上,且不降低性能或增加系统时延。 [#page#] 赛灵思设计UltraScale架构还有另一个目的,就是充分利用继20 SoC之后的工艺节点16nm FinFET所提供的更高性能、容量和节电性能。另外,在赛灵思“FinFast”开发计划的支持下,赛灵思UltraScale架构和Vivado设计套件针对台积电16nm FinFET工艺技术进行了协同优化。这样,赛灵思与台积电将于2014年推出第二代UltraScale All Programmable器件芯片。 支持UltraScale架构FPGA的Vivado设计套件早期试用版现已开始供货,首批UltraScale器件将于2013年第四季度开始发货。今后,对于20nm和16nm工艺,相应的器件命名方式将更改为Kintex UltraScale、Virtex UltraScale和Zynq UltraScale SoC,应用目标锁定256通道超声、超高清视频处理、400G OTN交换、4X4混合模式无线电、ASIC原型设计等新兴领域。