元件
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国研院今发表积层型 3D-IC 技术
国研院今发表「积层型3D-IC」技术，可将讯号传输速度提升数百倍、耗能降低至少一半。预计今年便可运用在显示器上，未来将陆续与国内记忆体、面板及晶圆代工产业合作，估计技转金约需上亿元，是国研院截至目前为止的最
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国研院开发新芯片 大幅提升讯号传输速度
国研院今发表「积层型3D-IC」技术，可将讯号传输速度提升数百倍、耗能降低至少一半。预计今年便可运用在显示器上，未来将陆续与国内记忆体、面板及晶圆代工产业合作，估计技转金约需上亿元，是国研院截至目前为止的最
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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能源采集元件市场可期 半导体厂商积极布局
能源采集(Energy Harvesting)市场热度正迅速加温。在各式无线感测器及薄膜电池(Film Battery)当道的趋势带动下，能源采集势力将在行动装置、机器对机器(M2M)等各式应用领域中快速崛起，成为物联网(IoT)不可或缺的重要
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五角大楼允许F-35战斗机项目使用中国产元件
尽管美国官员反复表示担心中国的间谍活动和加强军备，但为了帮助3920亿美元的洛克希德马丁F-35战斗机项目走上正轨，五角大楼在2012年和2013年多次豁免了禁止使用中国产元件的禁令。美国的隐形战斗机并没有使用中国产
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能源采集元件市场可期 半导体厂商积极布局
能源采集(Energy Harvesting)市场热度正迅速加温。在各式无线感测器及薄膜电池(Film Battery)当道的趋势带动下，能源采集势力将在行动装置、机器对机器(M2M)等各式应用领域中快速崛起，成为物联网(IoT)不可或缺的重要
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能源采集元件市场可期 半导体厂商积极布局
能源采集(EnergyHarvesting)市场热度正迅速加温。在各式无线感测器及薄膜电池(FilmBattery)当道的趋势带动下，能源采集势力将在行动装置、机器对机器(M2M)等各式应用领域中快速崛起，成为物联网(IoT)不可或缺的重要技
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环球仪器推出针对异形元件的Fuzion平台
21ic讯 环球仪器在异形元件组装方面，在业内拥有超过20年的领先经验。在这个基础上，环球仪器日前推出FuzionOF平台，专门应对回流前或回流后的异形元件组装挑战，进一步扩展旗舰Fuzion™平台的系列产品，作为业
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PMIC厂家插旗能源采集市场
(EnergyHarvesting)市场热度正迅速加温。在各式无线感测器及薄膜电池(FilmBattery)当道的趋势带动下，能源采集势力将在行动装置、机器对机器(M2M)等各式应用领域中快速崛起，成为物联网(IoT)不可或缺的重要技术，而电
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矽品京元电 上月上季营收都比预期好
同为联发科封测阵营的矽品（2325）及京元电昨（6）日公布去年12月及第4季合并营收均优于预期。 矽品去年12月合并营收60.89亿元，月增1.8%，年增26.5%；去年第4季合并营收为188.44亿元，季减1.3%，优于预期；累计去
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优化变速箱元件效率 提升汽车里程
[摘要] 德国福伊特公司认为，增强变速箱的效率是提升汽车里程的方式之一，Tosca Structure软件则能够有效增强变速箱效率。 随着环保标准收紧以及消费者对燃效的要求越来越高，汽车制造商需要开发出更轻的
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我国半导体分立器件出口喜中有忧
我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业，受到国家有关部门的大力扶持。近年来，我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据海关信息网(www.haiguan.info)统计，今年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件(以下简称
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我国半导体分立器件出口量持续增长 企业仍临挑战
我国半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业，受到国家有关部门的大力扶持。近年来，我国半导体分立器件行业不断发展壮大。据海关信息网统计，今年1-11月我国出口二极管及类似半导体器件（以下简称半导体器件）3204
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【SID】“可弯曲”有机EL显示器趋于高精细化和大型化
本届“SID 2013”上有很多关于柔性有机EL显示器的发表。其中一部分已开始走向全高清（1920像素×1080像素）等高精细化和大型化。另外，此次发表的所有面板都采用了InGaZnO（IGZO）TFT作为驱动元件。 松下开发出
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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热电偶响应时间受哪些要素影响？
热电偶（thermocouple）是温度测量仪表中常用的测温元件，它直接测量温度，并把温度信号转换成热电动势信号，通过电气仪表（二次仪表）转换成被测介质的温度。各种热电偶的外形常因需要而极不相同，但是它们的基本结
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
