【导读】国内封装材料供应龙头大厂长华电材董事长黄嘉能表示,日本大地震之后出现的缺料问题已经浮现,材料成本将全面涨价,如果以日币做基准,至少涨价了10~20%,有部份材料涨价已经是现在进行式,包括银胶、环氧树
近日,日本新一代涂布型电子元器件技术研究联盟(ECOW)宣布开发出了直接喷涂有机半导体材料的技术。新技术有望成为利用“静电喷雾沉积法(ESD)”技术取代真空蒸镀技术以及旋涂法和喷墨法等涂布技术的第三种有机半导
3月31日-4月6日,电子行业表现强势,在各板块中处于领涨地位。截止4月4日收盘时,中信电子行业指数上涨4.71%,沪深300指数上涨1.56%,上证指数微涨0.84%。各子版块全线上涨,其中分立器件、半导体材料和LED板块涨幅较
LED半导体照明网讯 1.与成都亚光电子成立厦门市三安集成电路有限公司,注册资金为5亿元人民币。三安以自有现金出资3.25亿元,占合资公司注册资本65%;亚光电子以现金出资0.75亿元,占合资公司注册资本15
由以色列特拉维夫大学(Tel Aviv University)所独立的新创公司 StoreDot ,号称能利用以短链胺基酸(short-chain amino acids)制作的半导体组件,在30秒之内把手机电池充饱;该公司日前展示了一款大小跟笔记本电脑充电
近日,国家重点基础研究发展计划项目“2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究”启动会在中科院上海微系统与信息技术研究所召开。科技部973责任专家组成员中科院物理所吕惠宾研究员,上海市科委基础处
1.与成都亚光电子成立厦门市三安集成电路有限公司,注册资金为5亿元人民币。三安以自有现金出资3.25亿元,占合资公司注册资本65%;亚光电子以现金出资0.75亿元,占合资公司注册资本15%;厦门中航国际投资集成电路产业发
由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)公告的SEMI Material Market Data Subscription(MMDS)最新研究报告指出,在全球半导体总营收成长5%的状况下,2013年全球半导体材料市场总营收为435亿美元,相较2012年减少3%
国际半导体设备与材料协会(SEMI)4月7日公布:2013全球半导体材料销售额为435亿美元,与2012年相比,虽然2013年全球半导体材料市场规模减少3%,但销售额增长了5%,这意味着半导体材料市场连续第二年呈下降趋势。201
3月20日下午,科技部国际合作司副局级参赞蔡嘉宁、科技部国际合作司美大处处长李昕以及科技部国际合作司美大处副处长杨雪梅一行六人对国家半导体照明工程研发及产业联盟(简称CSA)、国际半导体照明联盟(ISA)及半导体照
华灿光电17日晚间公告,公司拟以自有资金4000万元人民币对其全资子公司华灿光电(苏州)有限公司进行增资。增资后,子公司的注册资本将增至5.4亿元人民币。华灿光电(苏州)有限公司经营范围包括半导体材料
近日,中央组织部人才工作局、海外高层次人才引进工作专项办公室正式下发通知,易美芯光执行副总裁刘国旭博士入选国家第十批 “千人计划”创新人才长期项目。 刘国旭博士,毕业于北京大学,并获美国伊
3月20日消息,据外媒Digitimes报道,近期台湾生产12英寸晶圆产能利用率提高,台湾半导体公司向上修正第一季度业绩。根据预测半导体材料和设备供应商的盈利都会大幅度提高。半导体材料硅片、光刻胶和石英管出货量随着
又一个要取代矽的新型二维半导体:黑磷又一个要取代矽的新型二维半导体:黑磷又一个要取代矽的新型二维半导体:黑磷近年来,二维晶体材料因其优越的电气特性,成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后
近日,中央组织部人才工作局、海外高层次人才引进工作专项办公室正式下发通知,易美芯光执行副总裁刘国旭博士入选国家第十批“千人计划”创新人才长期项目。 刘国旭博士,毕业于北京大学,并获美国伊利诺伊大学博士学
第十三届全国MOCVD学术会议 第二轮会议通知 2014年5月6~9日,扬州经济技术开发区 网址http://www.MOCVD13.org.cn 主办单位:中国有色金属学会 承办单位:北京大学 国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
英国利兹大学的研究人员开发出了世界上功率最大的太赫兹激光器芯片。工程与技术学院电子快报上报道利兹团队研制的量子级联太赫兹激光器的输出功率超过1W。新记录比去年维也纳团队的记录高出一倍以上。太赫兹波具有
一 据华强北电子市场价格指数本期集成电路指数:91.21 涨跌值:0.92 涨跌幅:1.02%,集成电路价格指数如同春天温度的脚步,这周的小幅上扬给我们如同春风般的沐浴,当寒冷已成往事我们干嘛不去细细的品味这暖暖的惬意,
中国科学院半导体研究所常凯研究组,提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应
最近,中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中,与美国劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)汪林望博士研究组合作,在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展