半导体材料
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(I
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(I
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10nm技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(I
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半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在迈入10奈米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族
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聚合物太阳电池研究项目入选科技部2012年度“中国科学十大进展”
日前，由华南理工大学吴宏滨教授和中国科学院曹镛院士首创并具有自主知识产权的水/醇溶性聚合物太阳电池界面调控材料与技术的基础上，通过在氧化铟锡表面引入水(醇)溶性共轭
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第三代半导体材料双雄面临直接竞争
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。SiC早在
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第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料的双雄。Si
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第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料
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印度推出国家电子产业振兴政策
印度《商业标准报》10月26日报道，印度内阁25日批准了国家电子产业振兴政策，希望通过财政激励措施大力兴建电子制造产业园区，促进电子产品制造业发展与振兴。报道称，印政府希望通过新政策实施，在电子设备制造业领
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TFT-LCD背板爆发性增长 2012年全球LTPS面板产量将增150%
智慧手机和平板电脑爆发式成长，使得LTPS低温多晶硅技术和IGZO组成的非结晶氧化物半导体技术等生产高解析度显示器技术更为重要。这些TFT技术采用高移动速率半导体材料以减小TFT维度，提高光穿透率。解析度超过每英寸
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对日招商再添佳绩 半导体材料商Namics2.86亿铜锣建厂
记者曹逸雯／台北报导 对日招商再添佳绩！日本半导体材料世界级领导厂商纳美仕（Namics）公司26日在铜锣厂举行新建工程动土典礼，Namics公司社长小田嶋并亲自来台主持，初期将投资新台币2.86亿元，预计明（2013）
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半导体材料业发展十年实现大跨越
近期，SEMI机构公布了世界半导体材料销售市场的统计结果。从数据中看到，2011年全世界半导体材料市场的销售额达到478.6亿美元，比2010年增长6.7%。其中中国内地的半导体材料市场销售额在2011年年增长率最高，达到12.
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台积扩产 本土设备厂沾光
台积电（2330）明年将持续扩增28与20奈米产能，市场预期资本支出也将再往冲高，为了降低设备的投资成本，台积电近年来开始积极扶植本土设备厂商，包括无尘室、自动化等相关设备厂汉唐（2404）、盟立（2464）、家登（
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台积扩产 本土设备厂沾光
【杨喻斐╱台北报导】台积电（2330）明年将持续扩增28与20奈米产能，市场预期资本支出也将再往冲高，为了降低设备的投资成本，台积电近年来开始积极扶植本土设备厂商，包括无尘室、自动化等相关设备厂汉唐（2404）、
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台湾后段设备规模14亿美元
SEMI预估，台湾今年后段设备市场规模达到约14亿美元；日月光、矽品和力成持续在台加码投资建置先进封装设备。 台湾半导体设备与材料大展(Semicon Taiwan2012)今天起到7日在台北世贸南港展览馆盛大登场，主办单位国
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Q2台湾电子材料产值季成长10%
工研院IEKITIS计画日前发表2012年第二季台湾电子材料产业回顾与展望报告，调查显示当季台湾电子材料产值新台币749亿元，较2012年第一季成长10.1%，但较2011年同期退6.4%。第二季应逐步进入电子材料产业的旺季，但PCB
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Q2台湾电子材料产值季成长10%
工研院IEKITIS计画日前发表2012年第二季台湾电子材料产业回顾与展望报告，调查显示当季台湾电子材料产值新台币749亿元，较2012年第一季成长10.1%，但较2011年同期退6.4%。第二季应逐步进入电子材料产业的旺季，但PCB
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DENSO传研发次世代半导体材料SiC晶圆 2年后量产
日经新闻23日报导，全球汽车零组件巨擘DENSO已携手昭和电工、日本新能源暨产业技术总合开发机构(NEDO)共同研发出环保车高性能晶片用次世代半导体材料「碳化矽(SiC)晶圆」。报导指出，和现行矽晶圆相比，SiC晶圆结晶困
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日本：DISCO欲将半导体制造装置产能提高一倍
据日本媒体报道，DISCO于8月7日发布消息称，将在主力的桑畑工厂(广岛县吴市)建设新厂房，力争将半导体制造及研磨装置的产能提高一倍。投资额约为110亿日元(约合1.4009亿美元)，预计于2014年10月竣工。DISCO此次提高产
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LED背光源介绍
LED的基本结构是一块发光半导体材料，其核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，只是死区电压比普通二极管要大，约
