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  • 飞思卡尔半导体在成都建设计中心

        美国飞思卡尔半导体公司19日在成都宣布,该公司研发世界上领先通信和射频技术的设计中心在成都高新区正式建立。该中心作为飞思卡尔公司长期的投资重点,将建设成为亚洲一流的半导体研发基地。    据介绍,飞思卡尔公司去年的总销售收入达到64亿美元,每年的研发投资达12亿美元。成都的这个设计中心目前拥有35名研发人员,公司计划在未来将中心人数增加到100人,以增强设计和服务能力。该中心将专注于射频、POWERQUICC和DSP三大领域的设计和开发。    “这个世界级的研发中心是飞思卡尔15年来持续投资中国和技术引进的最新成果,是公司在中国发展的又一个重要里程碑。”飞思卡尔半导体高级副总裁、网络和运算系统部总经理尼内尔·梅凯女士表示,研发中心将使公司更好地服务于重要的亚洲市场,并且通过高度创新的产品服务全球客户。    飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费电子、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品,其客户包括思科、摩托罗拉和中国的大唐、华为等著名企业。    飞思卡尔表示,成都丰富的科技人才资源、当地政府的支持和成都高新区所拥有的世界级的配套设施,是飞思卡尔选择在这里发展的主要原因。 

    时间:2007-09-20 关键词: 半导体 飞思卡尔 成都

  • 安森美半导体双输出转换器获«今日电子»“Top 10 DC-DC 2007”奖项

    森美半导体宣布,其NCP5810的2瓦(W)双输出直流-直流(DC-DC)转换器荣获《今日电子》(EPC)杂志颁发的“Top10DC-DC2007”奖项。这是安森美半导体连续第五年获得EPC颁发这个奖项。 NCP5810包含1个升压转换器和1个逆变器,同时提供正负输出电压。它也是一款高能效的1.75MHz脉宽调制(PWM)转换器,专门针对有源矩阵发光二极管(有源矩阵OLED或AMOLED)面板的显示驱动供电,为恒定电压应用进行了优化,用于便携式应用的新兴显示技术,提供更多的色彩对比和视频回播质量。 安森美半导体数字消费产品部亚太区市场营销经理刘伟强(W.K.Liew)说:“安森美半导体连续第五年获得此奖项,这有力地证明了我们的电源解决方案备受中国地区客户、媒体和业界专业人士的认可。AMOLED面板是一种新兴的便携应用显示技术,而NCP5810为AMOLED电源提供了极大的优势。我们非常高兴这款器件已经被领先的显示器制造商们选用于为超薄型便携多媒体设备中的AMOLED面板供电。” NCP5810双输出DC-DC转换器在1.75MHz振荡器频率下的整体电源能效高达85%,提供了业内最优异的性能。为了互补AMOLED显示纤薄的外形,NCP5810能工作于1.75MHz的高开关频率,允许使用体积小巧的电感和陶瓷电容等外围器件,NCP5810采用尺寸为3.0mmx3.0mm的超薄型LLGA-12封装,厚度仅为0.55mm,非常适用于外形最纤薄的便携设备。此外,它在关机模式下的断电功能将泄漏显示电流限制在1微安(μA),节省了关机状态下的电池电能。NCP5810还具逐周期峰值电流限制和热关机保护功能。 NCP5810采用超薄的3.0mmx3.0mmx0.55mmLLGA-12封装,每3,000片的批量单价为1.20美元。

    时间:2007-09-17 关键词: 半导体 今日电子 转换器 安森

  • 三星制成0.08毫米半导体衬底 有望实现商用

    三星电机(Samsung Electro-mechanics Co.)日前宣布其制成了全球最薄的半导体衬底。据悉,三星电机此次制作的芯片厚度为0.08毫米,比普通的纸还要薄。该公司称,该技术可以制作20层闪存和SRAM芯片。 一位公司发言人在一份声明中说道:“新衬底所制成的电路之间的间隔可达20微米。”他还补充道,新的衬底产品是由铜质材料经特殊工艺制作而成。该产品问世前,最薄的衬底厚度为0.1毫米,同样是三星电机于2005年制成的。半导体衬底是用于集成电路制作的支撑材料。 三星电机称,新衬底的样品已送往全球各地的半导体制造商接受测试。测试顺利通过的话,该产品将在今年晚些时候实现商用。

    时间:2007-09-13 关键词: 半导体 三星 0.08 衬底

  • 国际半导体协会认为台湾将成12寸晶圆最大产地

    国际半导体设备材料产业协会(SEMI)总裁暨执行长梅耶(Stanley T. Myers)十一日表示,全球十二寸晶圆产出今年将再比去年成长百分之五十九,明年成长率也有百分之二十九。其中,台湾将于明年首度超越韩国,成为十二寸晶圆产能最大的产地,分析师认为,岛内日月光、硅品、力成、京元电等后段封测厂将受惠最大。据台湾《经济日报》报道,“SEMICON Taiwan 二〇〇七台湾半导体设备暨材料展”十二日起在台北世贸一馆及三馆一连举行三天,今年计有超过七百五十家厂商参展,创近年来参展厂商最高纪录。主办单位SEMI总裁梅耶十一日在记者会上指出,由于消费电子的带动,半导体产业正面临重要的转变,在成本压力与创新导向的应用下,包括晶粒黏着、打线接合、封装等技术,持续朝先进制程发展。梅耶强调,尽管过去五年来,芯片绝对产量不断升高,可是单价却因消费电子不断降价,目前IC的价格平均低于二〇〇〇年前,今年全球半导体终端需求约二千五百二十亿美元,比去年二千四百八十亿美元仅微幅成长一点六个百分点,可是整个半导体设备暨采购金额,将因先进制程的提升达到八百二十亿美元,其中,台湾在二〇〇七年的半导体设备与材料投资金额总计将达一百六十六亿美元,仅次于日本,成为全球第二大半导体设备材料市场。

    时间:2007-09-13 关键词: 半导体 晶圆 台湾 产地

  • Dalsa叫停低利润业务 半导体部门计划裁员

    加拿大传感器和半导体产品供应商Dalsa Corp.将对其数码成像和半导体部门进行裁员,裁员规模大约在8%至9%。 据悉,Dalsa的半导体部门将停止某些低利润的业务,而将资源整合后投入到MEMS、影像传感器和高压CMOS等高利润业务中。而对于数码成像部门,Dalsa公司决定撤走Colorado Spring工厂的资产。该公司将立即着手寻找新的投资目标,以开展目前Colorado Spring工厂所从事的X射线成像业务。 据悉,Dalsa半导体业务的强项是代工部门。2002年,该公司从卓联(Zarlink)处购入晶圆厂,该晶圆厂可提供混合信号CMOS和其他特殊工艺的代工服务。

    时间:2007-09-12 关键词: 半导体 利润 裁员 dalsa

  • 华润集团接盘Hynix无锡200毫米半导体生产线

    日前,韩国DRAM制造商海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.)已签署协议,将其位于中国无锡的200毫米半导体生产线设备出售给中国华润集团。 Hynix表示,该公司曾经考虑过以各种方式利用现有的200毫米晶圆产能。之前,Hynix和意法半导体公司(STMicroelectronics)在无锡建立一家内存合资企业,包括200毫米和300毫米晶圆生产线。 2007年5月,意法半导体将其在中国的合资公司股份出售给一家新成立的NOR公司。这家新创的NOR公司是英特尔、意法半导体和Francisco Parters的三方合资企业。Hynix仍然管理中国的晶圆厂,包括300毫米晶圆工厂。Hynix将无锡工厂的200毫米晶圆生产线出售给华润,后者在香港拥有几家上市高科技公司,包括华润上华科技有限公司(CSMC)。 2006年,花旗集团全球市场亚洲公司(Citigroup Global Markets Asia Ltd.)代表华润励致公司,以8.8亿港币(约1.135亿美元)收购了亏损缠身的晶圆代工服务商华润上华科技有限公司(CSMC)剩余股份。 同时,根据韩国媒体日前报道,为了展开波澜壮阔的扩张计划,Hynix Semiconductor Inc.放弃了出售忠清北道清州市M8 200毫米晶圆旧厂的计划。Hynix据报将把M8工厂升级,这座晶圆厂生产NAND闪存产品。不过目前还不清楚Hynix将如何处理在韩国的其它200毫米晶圆厂,之前Hynix曾经与台积电(TSMC)和其他公司商讨,计划出售其M9 200毫米NAND生产线。 稍早Hynix曾宣称,将在2010年底之前投资12.5万亿韩元建设新厂(约133亿美元)。作为计划的一部分,该公司声称将建造三到四座300毫米芯片生产线。

    时间:2007-09-10 关键词: 半导体 200 hynix 华润

  • 新加坡芯片厂商特许半导体称第三季仍将亏损

        据新加坡媒体报道,新加坡芯片制造商特许半导体日前再次宣布,由于芯片的低价位导致营收减少,公司第三季度可能会出现亏损。    特许半导体曾在7月27日发出第三季盈利预警,预计它第三季可能取得500万美元净利,也可能面对高达500万美元净亏损,销售额也将下降6.6%至3.32亿美元。而去年第三季的盈利达2440万美元,销售额为3.55亿美元。特许半导体的第三大客户AMD,开始寻找更便宜的芯片以抵抗与该行业领导者英特尔竞争时,集团芯片价格开始下降。    作为世界第二大个人电脑处理器生产商的AMD,今年7月份也公布了其连续第三次的业绩亏损。 花旗集团新加坡分析员指出,AMD与特许半导体联系很微弱,由于AMD在努力挽回一些市场份额,特许半导体价格上升的速度可能比预期要艰难很多。现在市场传闻这个关键客户想把部分生产移交到台积电。特许的未来展望与其对手相比较非常不利,后者预计下季度收入增长大约15%。    多种技术工艺混合经营给公司带来压力,90纳米节点的PC业务持续疲软,65纳米节点技术的发展低于预期。特许半导体希望在2007年底可以开始45纳米生产,以扩大产品和客户基础。预计到2008年下半年其高端65纳米业务才能开始发力。市场预测,特许2007年将亏损大约900万美元。    特许半导体总裁谢松辉也坦陈,第三季度的表现与集团之前预料的一样,会出现下降。不过,特许半导体仍保持对第三季平均销售价格的预期,将比上季减少高达7%,八英寸芯片价格将在846至886美元之间,预计产能利用率有所上升,从去年的74%上升到84%    特许半导体的股价今年下跌了18%。公司在新交所股价周五下跌了0.9%至1.05元,它在纳斯达克综合指数下降1.2%至6.78美元。特许半导体将在10月26日发布第三季业绩。

    时间:2007-09-10 关键词: 半导体 芯片厂商

  • 半导体照明市场销售额年均增长48%

    中国的半导体照明产业正在进入自主创新、实现跨越式发展的重要时期。2006年国产芯片市场占有率达44%,已经开发成功包括led车灯、矿灯等四大类140多个新产品,2001年-2006年,半导体照明市场销售额年均增长率为48%。这是8月22日在上海开幕的“第四届中国国际半导体照明论坛暨展览会(CHINASSL)”上传出的信息。 据介绍,中国已经成为世界第一大照明电器生产国和出口国。2006年,中国照明行业产值约1600亿元,出口100亿美元,占全球市场18%。 据悉,“十一五”国家半导体照明工程的发展,将重点围绕半导体普通白光照明的目标,突破白光照明技术的部分核心专利;围绕重大战略产品,产学研上下游联合攻关,解决制约产业发展的共性关键技术;实施产业技术联盟与人才培养、基地建设战略,建立完善的技术创新体系与特色产业集群,提升产业持续创新的能力,最终形成有自主知识产权和中国特色的半导体照明新兴产业。

    时间:2007-09-07 关键词: 半导体 销售额 照明 年均

  • 恩智浦半导体再创佳绩

    恩智浦半导体宣布独立经营一年来公司共发表500多项创新产品,平均每周约10项新产品面世。这一佳绩彰显了恩智浦追求创新的精神,以及其通过创新树立在六大重点市场(手机、个人娱乐、家用电子、汽车、智能识别和多重市场半导体)领导地位的战略。 最近,恩智浦通过其“领导者之路”计划(RoadmapforLeadership)对今后三年的研发方案进行了调整和完善。公司将更加致力于集中资源开发一系列可以更好地满足客户需求同时能促进业务增长的突破性产品。 恩智浦总裁兼首席执行官万豪敦先生表示:“我们的主要客户包括世界领先的移动与消费电子品牌,如诺基亚、摩托罗拉、索尼爱立信、明基、三星、飞利浦和TCL等。我们的蜂窝系统解决方案赢得了多宗设计大单,包括T-Mobile、三星、联想和其它高端手机制造商。我们积极参与中国3G标准建设,率先向中国3G市场推出了GSM/EDGE/TD-SCDMA自动切换解决方案,证实了恩智浦在此市场的领导地位。我们的系统芯片为全球多个领先品牌的数字电视和机顶盒提供了发展动力。宝马汽车选用了我们的FlexRay技术。全球多个地区的电子护照也都采用我们的安全ID芯片。最近我们的近距离无线通信技术也已在伦敦展开试验,让消费者在地铁中也可用手机检索交通信息。” 万豪敦先生最后总结道:“脱离飞利浦独自创业并非易事。但是,恩智浦拥有一支充满激情的人才队伍,这正是我们能在短短的一年中,克服市场疲软的不利因素,取得如此骄人的业绩的重要原因。我们对今天的成就充满信心,同时,展望未来前景,我们感到无比兴奋。”

    时间:2007-09-05 关键词: 半导体 再创 佳绩

  • 首尔半导体与OSRAM签署“互惠共享牌照协议”

    光发射二极管(LED)环保照明技术生产商首尔半导体宣布与OSRAM GmbH(欧司朗)公司签署一项“白光”及“可以看见的”LED“互惠共享牌照协议”。OSRAM Opto Semiconductors公司是OSRAM GmbH公司的全资附属公司,同样受惠于此协议。而OSRAM Opto Semiconductors公司是全球主要的LED生产商之一,总部位于德国里根斯堡市(Regensburg)。  “互惠共享牌照协议”的范围包涵盖两家公司的“白光”与封装专利权,而专利权是与“白光” 及“可以看见的” LED 环保照明技术有关。 根据协议,首尔半导体及OSRAM GmbH将会携手合作,结成策略性伙伴,并互相利用对方的优势以加强自己的实力。 根据协议,双方不但可以避免就对方的“白光”及“可以看见的”LED环保照明技术的专利权提出异议,并携手合作,共同维护这些互惠共享的专利权益。

    时间:2007-08-31 关键词: 半导体 协议 签署 牌照 互惠 osram 共享 电源资讯

  • 基于MAX1968的半导体激光温控电路设计

    基于MAX1968的半导体激光温控电路设计

    摘要:讨论了一种半导体激光温度控制电路的设计方案,能够实时监视和控制激光器温度,以稳定激光器的输出功率和波长。控制核心采用PIC16C73单片机来实现对整个系统的精确控制。热电致冷器驱动电路采用高集成、高性价比和高效率开关型驱动芯片MAX1968来实现。与传统的分立元件设计方法相比,简化了80%的电路设计。实验结果表明,激光器的温度控制精度达到±0.1℃。 关键词:MAX1968; 单片机; 热电致冷器; 半导体激光器; 温度控制器;  1  引 言 由于体积小、功耗低、寿命长和易于调制,半导体激光器( Laser Diode)作为一种新型激光光源已广泛应用于通讯、医疗和测量等各个领域 [1]。LD易于调制的特点在于LD的输出波长易受温度和注入电流的影响。普通LD的电流调制系数约为0.025nm/mA,;温度调制系数约为0.3~0.4nm/℃[2]。在对波长稳定性要求较高的场合,诸如干涉测量和光谱吸收气体检测待高精度测量应用中,必须对LD温度进行精确控制。本文提供的设计方案能为半导体激光器的温度控制提供有效支持。 2  硬件电路设计 半导体激光温度控制器由MICROCHIP公司生产的PIC16C73单片机和MAXIM公司生产的TEC驱动芯片MAX1968组成,主要包括温度反馈电路、TEC驱动电路、EEPROM存储电路和键盘数码管显示控制电路。温度控制电路利用热敏电阻反馈LD管芯温度,AD转换器对该反馈信号进行AD转换并输入单片机,单片机将其与给定电压比较,在进行数字PID算法[3]处理后,单片机控制DA转换器输出模拟控制电压给MAX1968,从而调整MAX1968输出到TEC的电流方向及大小。TEC 根据流过电流信号对激光器进行制冷或加热,使激光器温度稳定在所要求的值。激光器温控系统须满足控制精度高、温度稳定性好的要求,另外必须进行双向控制, 以适应环境温度变化和激光器工作条件变化。整个系统结构如图1所示。 图1  半导体激光温度控制器系统结构示意图 LD:激光发射管,PD:功率监视器,TEC:热电致冷器 2.1       MAX1968 TEC驱动电路 热电致冷器(TEC)是利用帕耳贴(Peltier)效应进行制冷或加热的半导体器件。在TEC两端加上直流工作电压会使TEC的一端发热,另一端致冷;把TEC两端的电压反向则会导致相反的热流向。 常用的TEC温度控制电路大多采用分立元件搭建的PID 电路,但分立电路需要进行参数整定, 一般都是靠调试人员根据其经验确定参数值, 也并不总是能达到控制要求, 而且分立电路容易引入噪声, 影响控制精度。另外, 由于目前半导体激光器内部通常集成了热敏电阻和TEC, 价格比较昂贵, 若发生TEC过压、过流情况, 容易把激光器烧坏, 搭建温控系统时还须考虑到激光器的保护问题。因此, 传统的温控系统很难完成半导体激光器的温度控制要求, 而集成了控制电路与各种保护功能的专用芯片能够较好地完成精确温度控制的任务。 MAX1968是MAXIM公司推出的高度集成、高性价比和高效率开关型驱动器,适用于Peltier热电制冷器模块。它采用直接电流控制,消除了TEC中的浪涌电流。片内FET在提供高效率的同时,尽可能地减少了外部元件。500kHz/1MHz开关频率和独特的纹波消除电路减小了元件的尺寸和电源噪声。MAX1968单电源工作,在芯片内部的两个同步降压稳压器输出引脚之间连接TEC,能够提供±3A双极性输出。双极性工作能够实现无“死区”温度控制,以及避免了轻载电流时的非线性问题。该方案通过少许加热或制冷可避免控制系统在调整点非常接近环境工作点时的振荡。MAX1968采用薄型28引脚TSSOP-EP封装,工作于-40℃到+85℃的温度范围。 图2所示为激光温度控制器的TEC驱动电路原理图。热敏电阻Rt上的电压信号代表温度的变化,该信号经过运放U5 OP07隔离后送至U6进行AD转换,AD转换器采用MICROCHIP公司生产的单通道12位AD转换芯片MCP3201,接口方式为SPI串行协议。MCP3201将转换后的数字信号送入PIC16C73单片机。单片机先将采集到的温度信号进行数字滤波,再与设定的温度值比较并进行数字PID处理。之后单片机输出控制信号至DA转换器U5,DA转换器根据单片机送来的控制信号输出一个模拟控制电压至MAX1968的CTLI引脚上,从而精确地设置连接在MAX1968 OS1与OS2引脚之间的TEC U4上所通过的电流方向与大小。DA转换器选用MICROCHIP公司生产的单通道12位引脚DA芯片MCP4921,接口方式为SPI串行协议。MAXIP和MAXIN引脚分别用来设置允许通过TEC的加热和制冷电流的最大值,而MAXV引脚用来设置允许加在TEC两端的最大电压。ITEC引脚的输出电流与TEC中通过的电流具有线性关系,可以利用它实时监测TEC中通过的电流大小。此外MAX1968还提供了一个引脚 ,在器件不工作的时候将其电平拉低可以设置器件为关断模式,从而减小器件功耗。 图2  TEC驱动电路原理图 2.2       HD7279A键盘和数码管显示控制电路 HD7279A是北京比高科技公司推出的串行接口8位LED数码管及64键键盘智能控制芯片,单芯片即可完成数码管显示和键盘接口的全部功能。HD7279A内部含有译码器,可直接接受BCD码或16进制码,并提供2种译码方式。此外,还具有多种控制指令,如消隐、闪烁、左移、右移和段寻址等。 在HD7279A检测到有效按键时,其 引脚由高电平变为低电平,同时在单片机RB0引脚上触发中断。中断发生后,单片机在RC0引脚输出低电平(即HD7279A片选信号 变为低电平)选择HD7279A器件,并通过串口协议发出“读键盘数据命令”,HD7279A接收到该命令后,在CLK引脚的上升沿将检测到的按键代码从DATA引脚输出至单片机。单片机根据按键代码进行相应的处理。 在显示数据时,单片机RC4引脚输出的串行数据从HD7279A DATA引脚送入芯片,并由CLK端同步。当片选信号 变为低电平后,DATA引脚上的数据在CLK引脚的上升沿被写入器件内部的缓冲寄存器并显示。 2.3       EEPROM存储电路    为使掉电后上次设定的参数不至于丢掉,系统还采用了MICROCHIP公司生产的串行EEPROM-24LC02进行掉电前的参数存储,接口方式为I2C串口协议。另外,由于热敏电阻Rt的阻值会随温度的增加呈指数规律递减,故代表温度变化信号Rt上的电压也呈现出非线性变化。因此在软件处理中采用查表的方式来确定实测的温度值。在24LC02中预先存储有10~55℃范围内的温度-电压对应值以备查询。 3        软件设计 系统软件采用汇编语言进行模块化结构设计,主要由键盘、显示、温度采集AD转换、温度控制DA输出、存储器读写和PID数据处理等子程序构成。图3为主程序、中断服务程序和中断服务子程序流程图。 图3  系统程序流程图 4        实验结果 图4为90分钟内每隔5分钟测量一次所获得的半导体激光器温度控制的实验数据。激光器购自北京海特光电公司,型号FLMS-1310-112。器件封装内集成热敏电阻和TEC,额定工作电流28.5mA。实验时环境温度为23℃,激光二极管的工作温度设置为25℃。从图中曲线可以看出,系统稳定后,激光二极管的温度基本稳定在25℃左右,偏差在±0.1℃内。 图4  半导体激光器温度稳定曲线 5           结    论 本文设计的半导体激光温度控制器经过实践表明:该控制器可以有效地对激光二极管的工作温度进行控制,电路的控制性能令人满意。相比传统的激光温度控制方案,本文提出的设计方案创新之处在于:采用了MAX1968 TEC驱动芯片和HD7279A键盘和数码管显示控制芯片,大大减少了电路分立元件的数量,改进了系统噪声性能,增加了系统的可靠性;采用PIC16C73单片机进行实时控制,并对信号进行数字滤波、数字PID处理等措施,减少了设计成本,增加了设计的灵活性。 6  致  谢 本课题由国家自然科学基金项目10574081资助,并感谢姚敏言老师和薛理立的辛勤工作。 参考文献: [1]  孙晓明. 半导体激光干涉理论及应用[M]. 北京: 国防工业出版社, 1998, 5-8. [2]  唐文彦,周延周,朱茂华等. 半导体激光器高精度温度控制系统的设计[J]. 哈尔滨工业大学学报, 1994 26(4) : 29-30. [3]  张利娟,赵转萍,杨明. 高精度温度控制的实现[J]. 微计算机信息, 2003 19(11) : 23-24.

    时间:2007-08-31 关键词: 半导体 电路设计 激光 温控 电源技术解析 基于 max1968

  • 中国半导体照明产业进入自主创新时期

    中国的半导体照明产业正在进入自主创新、实现跨越式发展的重要时期。2006年国产芯片市场占有率达44%,已经开发成功包括LED车灯、矿灯等四大类140多个新产品,2001—2006年,半导体照明市场销售额年均增长率为48%。 这是8月22日在上海开幕的“第四届中国国际半导体照明论坛暨展览会(CHINASSL)”上传出的信息。 据介绍,中国已经成为世界第一大照明电器生产国和出口国。2006年,中国照明行业产值约1600亿元,出口100亿美元,占全球市场18%。 据悉,“十一五”国家半导体照明工程的发展,将重点围绕半导体普通白光照明的目标,突破白光照明技术的部分核心专利;围绕重大战略产品,产学研上下游联合攻关,解决制约产业发展的共性关键技术;实施产业技术联盟与人才培养、基地建设战略,建立完善的技术创新体系与特色产业集群,提升产业持续创新的能力,最终形成有自主知识产权和中国特色的半导体照明新兴产业。

    时间:2007-08-28 关键词: 半导体 中国 照明 时期

  • 中国半导体照明市场年增长48%

    中国的半导体照明产业正在进入自主创新、实现跨越式发展的重要时期。2006年国产芯片市场占有率达44%,已经开发成功包括LED车灯、矿灯等四大类140多个新产品,2001年-2006年,半导体照明市场销售额年均增长率为48%。 这是22日在上海开幕的“第四届中国国际半导体照明论坛暨展览会(CHINA SSL)”上传出的信息。 据介绍,中国已经成为世界第一大照明电器生产国和出口国。2006年,中国照明行业产值约1600亿元,出口100亿美元,占全球市场18%。 据悉,“十一五”国家半导体照明工程的发展,将重点围绕半导体普通白光照明的目标,突破白光照明技术的部分核心专利;围绕重大战略产品,产学研上下游联合攻关,解决制约产业发展的共性关键技术;实施产业技术联盟与人才培养、基地建设战略,建立完善的技术创新体系与特色产业集群,提升产业持续创新的能力,最终形成有自主知识产权和中国特色的半导体照明新兴产业。

    时间:2007-08-28 关键词: 半导体 中国 照明 增长

  • Intel研发高管展望化合物半导体前景

    Intel(英特尔)化合物半导体研究主管Mike Mayberry日前在Intel的网站上发布了近期化合物半导体的研究进展。同时,他就镓、砷、铟和锑化物对未来Intel集成电路发展的重要性展开讨论。 Mayberry指出,Intel已开展了数个项目,瞄准化合物半导体,看好其在未来十年内的应用。他表示,由于成本原因,制造150mm砷化镓基片几乎是不可能的,因此Intel关注于在300mm硅基片上制作化合物半导体器件。 他补充表示,化合物半导体和硅可以混合使用,实现互补,在硅表现良好的方面仍然保持硅的使用,而用化合物半导体替代一部分以实现更良好的性能。 Mayberry列举了目前Intel所面临的挑战,其中包括:寻找一种合适的高K介质;用化合物半导体制造PMOS器件,与性能等同的NMOS器件匹配实现化合物CMOS;制造增强性器件;实现尺寸缩小至前沿的硅集成水平。

    时间:2007-08-27 关键词: 半导体 Intel 化合物

  • 传意法半导体与宏力半导体洽谈合作

        据国外媒体报道,消息人士周五透露,欧洲第一大芯片厂商意法半导体正在同多家中国芯片厂商进行谈判,寻求建立生产合作关系。   意法半导体和韩国现代半导体已经联合投资20亿美元在中国无锡修建了一家芯片工厂。消息人士表示,意法半导体同中国芯片厂商上海宏力半导体之间的谈判目前还处于初级阶段。他说:“意法半导体不愿意继续修建工厂,因此该公司希望找到一家合作伙伴,并向其转让技术。”   消息人士还表示,意法半导体最初曾经接触多家中国芯片厂商,除上海宏力半导体之外,该公司目前还在分别同中芯国际和茂德科技进行谈判。目前还无法确定意法半导体是否会收购潜在中国合作伙伴的股份,或者双方将采用何种生产技术。不过,意法半导体不太可能再成立另一家中国合资公司。   到目前为止,意法半导体、上海宏力半导体和茂德科技的发言人拒绝就此发表评论,中芯国际发言人则表示不会就特定客户发表评论。

    时间:2007-08-24 关键词: 半导体 宏力半导体

  • 2007年台湾地区半导体资本支出将居于前列

    今年台湾地区厂商的半导体资本支出将提高40亿美元,达到130亿美元。“从整体产业来看,我们预测今年资本支出将增长5%。”SMA的总裁GeorgeBurns在报告中表示。“几乎所有增长都发生在台湾地区。” SMA预测,中国大陆和东南亚资本支出将微幅增长,美国和欧洲企业的半导体资本支出将没有增长。Burns表示,日本的资本支出将“明显萎缩”,预计下降15%。“韩国厂商在削减支出。”他说。“但其支出仅下降1%。” SMA报告称,台湾地区厂商今年占资本支出的份额升至22%,表现突出。“台湾地区资本支出仍然低于美国。”他表示。“但美国厂商所占份额今年下降到28%。台湾地区厂商占晶圆制造支出的份额为61%,而且在全部DRAM和闪存支出方面占28%。”

    时间:2007-08-20 关键词: 半导体 前列 台湾地区 居于

  • 2007年台湾地区半导体资本支出将居于前列

    美国Strategic Marketing Associates(SMA)的报告指出,今年台湾地区厂商的半导体资本支出将提高40亿美元,达到130亿美元。“从整体产业来看,我们预测今年资本支出将增长5%。”SMA的总裁George Burns在报告中表示。“几乎所有增长都发生在台湾地区。” SMA预测,中国大陆和东南亚资本支出将微幅增长,美国和欧洲企业的半导体资本支出将没有增长。Burns表示,日本的资本支出将“明显萎缩”,预计下降15%。“韩国厂商在削减支出。”他说。“但其支出仅下降1%。” SMA报告称,台湾地区厂商今年占资本支出的份额升至22%,表现突出。“台湾地区资本支出仍然低于美国。”他表示。“但美国厂商所占份额今年下降到28%。台湾地区厂商占晶圆制造支出的份额为61%,而且在全部DRAM和闪存支出方面占28%。”

    时间:2007-08-16 关键词: 半导体 2007

  • 传意法半导体与英飞凌合并 或将引起欧盟关注

        市场研究公司IMS Research日前表示,市场传言欧洲最大的两家芯片公司意法半导体和英飞凌科技将进行合并,这可能会引起欧盟功率半导体竞争机构的高度关注。    IMS Research认为,一旦意法半导体和英飞凌合并,将会出现一家功率半导体行业的巨头,同时还会在欧洲功率分离器件市场上占有三分之一的市场份额,这足以引起欧盟竞争机构对该收购事项的关注,并展开相关调查。IMS Research还指出,这两家公司合并还会阻碍功率管理芯片市场上其他竞争对手的发展。    除此之外,两家公司合并后将会成为全球最大的功率分离器件供应商,在全球将占有15%以上的份额,大大超过了目前的市场领导者Fairchild和International Rectifier所占有的份额,并跳跃式地发展成为全球最大的功率MOSFET设备供应商。    IMS Research研究总监Ash Sharma在声明中说:“除阻碍功率分离器件市场上其他供应商的发展外,双方合并后还会主宰全球功率集成电路市场,其规模将可以与目前该市场上的最大供应商德州仪器和国家半导体公司相媲美。”    意法半导体和英飞凌的发言人均拒绝对有关意法半导体准备竞购英飞凌的报道发表评论。

    时间:2007-08-16 关键词: 合并 半导体 英飞凌 欧盟

  • 欧盟批准英特尔与意法半导体合并闪存

        8月14日消息,英特尔和意法半导体(STMicro)合并双方闪存部门的计划周一获得了欧盟委员会的批准。该合并计划得到了私募基金公司Francisco Partners的支持。    据路透社报道,这笔交易将有助于合并后的公司实现规模化运营,解决闪存产品激烈的价格竞争,并可以使两家公司摆脱这个给他们的利润率带来重压的业务。双方今年5月首次宣布了这桩交易。    根据交易条款,意法半导体将向新成立的公司出售其闪存资产,英特尔将出售其NOR闪存资产及资源。做为交换,英特尔将得到合资企业45.1%的股权及4.32亿美元现金,意法半导体将获得48.6%股权及4.68亿美元现金。    Francisco Partners计划出资1.5亿美元,换取相当于合资企业6.3%股权的可转换优先股票。

    时间:2007-08-14 关键词: 合并 半导体 欧盟 英特尔

  • 传意法半导体与英飞凌合并 或将引起欧盟关注

        市场研究公司IMS Research日前表示,市场传言欧洲最大的两家芯片公司意法半导体和英飞凌科技将进行合并,这可能会引起欧盟功率半导体竞争机构的高度关注。    IMS Research认为,一旦意法半导体和英飞凌合并,将会出现一家功率半导体行业的巨头,同时还会在欧洲功率分离器件市场上占有三分之一的市场份额,这足以引起欧盟竞争机构对该收购事项的关注,并展开相关调查。IMS Research还指出,这两家公司合并还会阻碍功率管理芯片市场上其他竞争对手的发展。    除此之外,两家公司合并后将会成为全球最大的功率分离器件供应商,在全球将占有15%以上的份额,大大超过了目前的市场领导者Fairchild和International Rectifier所占有的份额,并跳跃式地发展成为全球最大的功率MOSFET设备供应商。    IMS Research研究总监Ash Sharma在声明中说:“除阻碍功率分离器件市场上其他供应商的发展外,双方合并后还会主宰全球功率集成电路市场,其规模将可以与目前该市场上的最大供应商德州仪器和国家半导体公司相媲美。”    意法半导体和英飞凌的发言人均拒绝对有关意法半导体准备竞购英飞凌的报道发表评论。

    时间:2007-08-13 关键词: 合并 半导体 欧盟 关注 电源资讯 引起

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