存储器

调查称英半数企业面闪存盘数据泄密危险

由英国政府有关部门资助的一项调查显示，超过一半的英国企业尚未采取足够的安全措施，以保证手机和闪存盘中的数据安全。 据英国广播公司4月27日报道，对于英国企业的信息安全来说，智能手机、iPod(美国苹果

ATDF为Elpida开展FinFET存储器研究

Sematech产业联盟的全资子公司Advanced Technology Development Facility(ATDF)已经同意为Elpida Memory公司生产基于FinFET以及新型存储器技术的晶圆。 ATDF与日本的主要DRAM制造商Elpida公司达成了两个项目协议，评

3-D芯片研发期待大型半导体公司的加盟

今年也许是三维(3-D)芯片走出研发阶段的一年。但是业界专家指出，为了实现纵维连接电路的真正进展，大型半导体公司将必须带头开路，因为只有他们才同时拥有成功所需的设计和制造专业技能。 与此同时，几家新创公司已

三星要做首家批量生产80纳米DDR2存储器厂商

美国东部时间3月13日（北京时间3月14日）消息：三星电子公司宣称它将成为批量生产80纳米制程的512Mb的DDR 2 DRam（动态随机读写存储器）的第一家厂商。 三星电子公司说，公司依靠其80纳米制程生产工艺可以将先

赤铸：为了舌头和脚——权做新年贺辞，与诸君共勉

“……我说天上一日，下界就是一年。这一年之间，那妖精把你师父，陷在洞中，莫说成亲，若有个喜花下儿子，也生了一个小和尚儿，却不误了大事？”

日本立体大规模集成电路有望突破极限

日本东北大学研究人员开发出由10个半导体芯片层叠而成的立体大规模集成电路，打破了此前3个芯片层叠的纪录。专家称该技术有望突破大规模集成电路极限。 以往的大规模集成电路(LSI)是在一个芯片平面上布置电路，随着集

日立与瑞萨开发MOS相位转换存储器单元

用PowerPC实现高带宽 TCP/IP 性能

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μPSD中存储器系统的配置

介绍μPSD的存储器系统内部结构和配置方法，讨论了相关PSDSOFT软件的使用方法。

韩国开发变阻存储器元件原创技术

韩国产业资源部近日宣布，韩国光州科学技术院教授黄贤尚领导的科研小组成功开发出了变阻存储器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）元件的核心原创技术，这一技术足以克

Renesas 采用自旋转移技术的65 nm MRAM