就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家存储器大厂SK海力士(Hynix)也传出消息,正在研发EUV技术来生产DRAM存储器,未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。
球闸阵列封装基板 ( BGA )大厂神钢电气工业( Shinko Electric )26日于日股盘后发布新闻稿宣布,为了因应存储器小型、薄型化需求,将量产采用最先端MSAP(Modified Semi Additive Process)工艺的次世代塑胶球闸阵列(PBGA)基板,将投资16亿日元在新井工厂内兴建次世代PBGA基板产线,且预计于2019年度下半年(2019年4-9月期间)启用生产。
2018年,恰逢中国改革开放40年。 40年前,64Kb动态随机存储器(DRAM)诞生,宣告超大规模集成电路时代来临,中国科学院半导体研究所开始研制4Kb DRAM,在次年投入生产;40年后,今年第四季度,紫光集团旗下长江存储研发的64Gb 32层三维闪存芯片(3D NAND Flash)将实现量产,8月份刚刚推出的Xtacking技术更是给闪存芯片结构带来了历史性突破,为全球闪存产业的发展留下了中国企业浓墨重彩的一笔。
日媒称,日前获悉,中国新兴半导体存储器企业合肥长鑫计划从半导体制造设备厂商荷兰阿斯麦(ASML)引进最尖端设备。报道称,中国由于与美国的贸易战和高科技摩擦日趋激烈,越来越难以从美国引进技术。为了发展属于产业创新关键的半导体,将转向采购欧洲设备以寻找出路。