超大容量存储器K9F2G08U0M及其在管道通径仪中的应用（2）———超大容量存储器K9F2G08

下面是按页读操作函数的C语言代码。
sbit RdyorBsy=P0^0；
unsigned ch ar xdata * data pK9F；
void PageRead(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd，unsigned int len)
{
unsigned int i=0；
unsigned ch ar ColTemp，RowTemp；
ColTemp=(unsigned ch ar)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned ch ar)(RowAdd>>16)；
ColTemp &=0x0F；
RowTemp &=0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x00；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned ch ar)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned cha r)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned ch ar)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x30；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i
OutputData[i]= * pK9F；
}
3.2 页编程
向器件写入数据时先将数据写入数据寄存器中，器件写入操作是基于页进行的，同时允许在一个页编程周期内对一页内的连续部分编程。若不进行擦除，则对同一页的连续部分编程不能超过4次。
器件支持在1页范围内的随机数据输入，由随机输入命令码85H启动，如图6中虚线框内部分所示，在1页范围内可以启动任意多次随机输入操作。数据输入完毕后，写入页编程确认命令10H，将数据寄存器中的内容写入存储区。写入完成后，需要读状态寄存器(通过写入70H实现)判断操作是否成功。若未能成功写入，应将当前块声明为坏块，并进行块数据替换操作，以保证整个系统的可靠性。
此外应注意，同一块内页编程时必须从地址最低的页开始向高地址的页依次编程，页地址随机的页编程是被禁止的。
下面是页编程子函数的C语言代码。

unsigned ch ar PageWrite(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd)
{
unsigned int data i=0；
unsigned ch ar data Status=0；
unsigned c har data ColTemp，RowTemp；

ColTemp=(unsigned ch ar)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned c har)(RowAdd>>16)；
ColTemp &=0x0F；
RowTemp &=0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x80；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned cha r)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned ch ar)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned ch ar)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i<2112；i++)
* pK9F=InputData[i]；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x10；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x70；
pK9F=0x8000；
Status=* pK9F；
Status &=0x01；
return (Status)；
}
3.3 块擦除
擦除操作以块为单位进行，由于器件分为2 048块，因此输入的地址码中只有A18~A2的11位有效，其余位将被忽略。通过输入确认命令码来启动擦除以防止误操作。块擦除流程如图7所示。同页编程操作类似，擦除完毕后也应该读状态寄存器并处理返回结果。

3.4 页复制
页复制操作用来快速有效地实现页间数据移动，这是由于省去了比较费时的与片外设备之间的读写操作。这一特性的优势在块替换操作用于页间数据复制时体现尤为明显。其实该操作是按页读与页编程操作的复合，页复制读命令35H将页中数据移至数据寄存器中，而页复制写命令85H将数据复制到目标页中。页复制流程图如图8所示。

该操作也可以将原始页中的数据修改后写入目标页，如流程图8中虚线框内部分。
需要注意的是，页复制操作只能在奇数页之间或偶数页之间进行，奇偶页之间的数据移动将被禁止。
3.5 缓存区编程
芯片中除1页大小的数据寄存器外，还有一个1页大小的缓冲寄存器。该缓冲寄存器可以在数据寄存器参与页编程的同时接收外部数据，等待数据寄存器空闲时将数据转移其中，然后继续接收数据。因此，采用缓存区编程操作在连续写入多页数据时将会大大提高效率。
缓存区编程流程如图9所示。当第一组数据写入缓冲寄存器时，写入缓存命令15H，将数据传递给数据寄存器并启动页编程，然后使缓冲寄存器空闲，准备接收下一组数据。在这个过程中芯片将处于忙状态，若内部编程操作未完成，忙状态持续的时间将被延长。

需要注意的是，该操作只能在同一块内进行，因此在多块数据写入时需要注意每块的最后一页。若系统仅仅通过芯片的Ready/Busy引脚监测编程进度，则最后一页的写入操作应该由页编程命令10H启动。另外也可以通过读状态寄存器中的I/O 5位来判断。
K9F2G08U0M 是一种新型的超大容量Flash存储器，以其非易失、功耗低、操作简单而在单片嵌入式系统中得到广泛应用。本文在管道通径仪的开发过程中，根据对外部存储器接口的深入理解，将存储器芯片的两个控制线ALE和CLE用作地址线，使得对存储器的操作更简捷高效。文中的程序已经过实际验证，限于篇幅，只给出按页读和页编程部分的代码。