当前位置:首页 > 嵌入式 > 嵌入式硬件

介绍μPSD的存储器系统内部结构和配置方法,讨论了相关PSDSOFT软件的使用方法。
背景
如果对ST公司的μPSD器件有一定了解,熟悉MCS-51系列单片机的内部结构及原理,使用过PSDSOFT EXPRESS和KEIL开发设计,将对理解本文有很大的帮助。
MCS-51单片机采用哈佛结构的系统结构,即数据存储器空间与程序存储器空间互相独立。它有16根地址总线,最大寻址能力为64K,这决定程序或数据空间不能超过64K。以上两点是本文所有讨论的前提基础。
μPSD的存储器系统结构
μPSD由标准8032核和ST公司的PSD(可编程系统器件)构成,存储器系统包含两个主要部分,一是8032的内部存储器资源:256B内部RAM和128B内部特殊功能寄存器SFR;二是PSD中的存储器模块:主/次FLASH存储器,扩展的SRAM及控制PSD的CSIOP(Chip-Select I/O Port,类似于8051的SFR)。μPSD的主/次FLASH是完全相同的存储介质(早期的PSD813F1中的次存储器是EEPROM结构的),是两个独立的存储器。主FLASH通常分4~8块,每块16~32kb;次FLASH通常分2~4块,一般每块为8kb。μPSD中使用译码可编程译码逻辑阵列(DPLD),页寄存器PAGE,存储器控制寄存器VM,联合实现对存储器系统的配置。
关于IAP和分页技术
为什么μPSD中要有两个FLASH?简单地说,这是为了实现IAP而设计的。IAP就是 “在应用中编程或升级代码”,其原理是:单片机中装有一套用户程序和一套代码更新程序。正常情况下,单片机运行的是用户程序;在需要程序升级时,系统会切换到代码更新程序,通过串口或其他通信口下载新的用户程序代码,并写入到原来的用户程序存储器中,更新完成后,再切换回至用户程序。基于MCS-51系统结构特点,在同一个存储器中运行主程序和改写程序是不可能实现的。所有用MCS-51来实现IAP功能的系统都必须有两个独立的存储器。实现IAP的难点在于存储器的切换控制,体现在μPSD中主要就是如何使用VM寄存器以及如何对存储器的片选控制。
此外,随着应用要求越来越高,代码长度不断增加,64K的限制已经成为设计中的瓶颈。许多软/硬件供应商都竭力推出自己的方案以实现MCS-51对大于64K的支持,分页技术应运而生。
分页设计中最重要的就是公共区和分页区的设置,所谓公共区就是在所有的页面中均为有效的一块存储器区。在程序空间中,64K范围(1页)内的程序是连续的,一旦超过此范围,只保留低16位,最高位将被丢弃,程序会跳回开始处运行。保证程序在页面切换时不会“跑飞”就是通过公共区实现的。分页技术的实现方法是:当程序在调用位于分页区的程序时,首先保存返回地址,然后转跳到公共区执行,再修改页寄存器到新的页号实现页面的切换,调用程序,返回到公共区,恢复原来页号,最后从保存的返回地址返回。
公共区的大小由用户自行设定,在μPSD中通常使用主/次FLASH中的一块或多块作为公共区,如使用1块次FLASH即8KB,2块次FLSAH即16KB,1块主FLASH则是32KB,若只想使用主FLASH中的20KB作公共区也是可行的,只要将主FLASH的地址范围只定义为20K的范围就可以了。当然,公共区的大小不能超过64K。公共区必须设在64K范围的低端,这是因为MCS-51中断入口地址的原因。公共区中保存所有的公用子程序,中断服务程序,全局常数表以及系统的初始化部分及页面切换程序。
μPSD存储器的空间配置
μPSD中存储器系统配置主要是对程序空间的设置,相对而言数据空间的配置稍微简单一点。μPSD中主/次FLASH可设置为程序或数据空间,这是由VM寄存器决定的,VM寄存器的作用如表1所示。VM的内容可在运行时由MCU进行修改,这是实现IAP的关键。在PSDSOFT软件流程中可设置主/次FLASH为程序、数据存储器或程序/数据混合存储器,实际上就是对VM寄存器上电时的默认值进行设置,换句话说,就是确定上电时主/次FLASH分别位于什么空间。

表1 VM寄存器各位作用

表中,“#RD可以/不能访问”是指此存储器是否位于数据空间,“#PSEN可以/不能访问”是指此存储器是否位于数据空间,因为在MCS-51系统中对外部数据/程序空间的访问就是通过#RD和#PSEN进行区分的。举例说明:
VM=0CH,表示主FLASH位于程序空间,次FLASH位于数据空间;
VM=16H,表示主FLASH位于数据和程序空间,次FLASH位于程序间。
位0用来指定SRAM是否位于程序空间,因为SRAM只在数据空间有效。位7用来指示外设IO模式的允许与禁止,具体将在后面介绍。图1可帮助对VM寄存器作用的理解。

图1 μPSD中存储器系统结构
如图1所示,VM位0~4与#RD、#PSEN联合实现对主/次FLASH及SRAM的选择。这里是通过输出允许#OE信号进行控制的,也就是说即使存储器的地址有效(CS有效),如果#OE无效,也不能访问到此存储器的

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

搭载SuperFlash®存储器,Mythic的APU实现120 TOPS/W的低功耗AI推理性能

关键字: 处理器 存储器 AI

在非易失性存储器领域,EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)曾长期占据主流地位,广泛应用于各类电子设备的参数存储、日志记录等场景。但随着工业控制、汽车电子、医疗设备等领域对存储性能提出更高要求,FRAM(铁电随机存取存...

关键字: 存储器 可编程 嵌入式

随着医疗技术向精准化、便携化转型,便携式医疗设备正逐步重塑慢病管理、康复治疗与紧急诊疗的模式,从可穿戴健康监测仪、便携式心电监护仪到植入式神经刺激器,这类设备需在有限体积内实现精准数据采集、长期稳定存储与低功耗运行,对存...

关键字: 医疗技术 数据采集 存储器

March 10, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新笔电产业研究,2026年全球笔电市场正面临需求疲弱、成本上升的双重压力,除了存储器价格快速攀升,CPU价格也开始上调。据TrendForce集邦...

关键字: 笔电 存储器 CPU

扩展nRF54L 系列以涵盖更广泛的应用,包括对成本敏感的低功耗蓝牙产品。

关键字: 低功耗蓝牙 SoC 存储器

March 5, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新手机面板调查,由于占手机成本极高的存储器缺货与价格攀升,冲击了品牌对2026年的出货规划,更削弱面板出货动能。预估2026年全球手机面板出货量约为...

关键字: 手机面板 存储器 AMOLED

Feb. 11, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新智能手机研究,2026年全球手机生产表现受存储器价格高涨影响,恐呈现10%的年衰退,总量约降至11.35亿支。然而,存储器涨势未歇,加剧终端售价与...

关键字: 存储器 vivo Oppo

Feb. 9, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新数据显示,受惠于AI浪潮的推升,存储器与晶圆代工产值均将在2026年同步创下新高。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响,产值规模大幅扩张至 5,516...

关键字: 存储器 晶圆 AI

2月3日消息,TrendForce集邦咨询发布最新存储器产业研报显示,受AI与数据中心需求持续激增推动,全球存储器市场供需失衡加剧,2026年第一季度(Q1)DRAM、NAND Flash各类产品价格全面大幅上涨,多个细...

关键字: 存储器

Feb. 2, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查,2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,原厂议价能力有增无减,TrendForce集邦咨询据此全面上修第一季D...

关键字: 存储器 DRAM NAND Flash
关闭