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Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商
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英飞凌在PCIM Europe 2023以创新的半导体解决方案推动低碳化和数字化，助力实现更绿色的未来
【2023 年 4 月 26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）提供CoolSiC™以及CoolGaN™等电源解决方案，可提升能源效率。这使其成为可持续设计的关键和能源转型的重要基石。在PCIM Europe 2023上，英飞凌将展示其功率半导体和宽禁带技术方面的最新解决方案如何为当前的绿色和数字转型挑战提供方案。英飞凌将以“推动低碳化和数字化”为主旨，进行大量演示、现场技术讲座，并提供与专家讨论设计挑战的机会。另外，业内人士也可以注册英飞凌线上平台，该平台将从4月27日起全天候开放。
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安森美半导体宽禁带技术――支持大趋势应用
使用诸如碳化硅(SiC)等材料的宽禁带半导体技术正在兴起，为重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC和电动汽车车载充电器以及太阳能、不间断电源和服务器电源带来显著的好处和增强的可靠性。
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安森美推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势
安森美半导体新的SiC MOSFET另一独特的优势是具有专利的终端结构，增加了可靠性和强固性，并增强了工作稳定性。NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流，并提供高的雪崩能力和强固的短路保护。
